薄膜太陽能電池 Thin Film Solar Cells

1. 薄膜太陽能電池Thin Film Solar Cells

2. 太陽能電池市場現況

3. 太陽能電池效率演進

4. C-Si Technology in Historic Perspective

5. 全球PV 前十大廠商

6. 台灣太陽光電產業鏈分佈概況

7. 太陽光電產值預期達成規模

8. 薄膜太陽能電池的種類 • 非晶矽(Amorphus Silicon, a-Si) • 微晶矽(Microcrystalline Silicon， μ c-Si) • CIS/CIGS(銅銦硒化物) • III-IV族:GaAs(砷化鎵);II-VI族 CdTe(碲化鎘) • 色素敏化染料(Dye-Sensitized Solar Cell) • 有機導電高分子(Organic/polymer solar cells)

9. 有機導電高分子(Organic/polymer solar cells) 有機導電高分子太陽能電池是直接利用有機高分子半導體薄膜(通常厚度約為100nm)作為感光和發電材料。此種技術共有兩大優點，一在於薄膜製程容易(可用噴墨、浸泡塗佈等方式)，而且可利用化學合成技術改變分子結構，以提昇效率，另一優點是採用軟性塑膠作為基板材料，因此質輕，且具有高度的可撓性。目前市面上已經有多家公司推出產品，應用在可攜式電子產品如NB、PDA的戶外充電上面，市場領導者則是美國Konarka公司。不過，由於轉換效率過低(約4~5%)的最大缺點，因此此種太陽能電池的未來發展市場應該是結合電子產品的整合性應用。

10. 非晶矽薄膜太陽電池構造 • 結構通常為 p-i-n 或 n-i-p 。 • p層跟n層主要為建立內部電 場，i層則由非晶矽構成。

11. 微晶矽(μ c-Si) 微晶矽其實是非晶矽的改良材料，其結構介於非晶矽和晶體矽之間，主要是在非晶體結構中具有微小的晶體粒子，因此同時具有非晶矽容易薄膜化，製程便宜的特性，以及晶體矽吸收光譜廣，且不易出現光劣化效應的優點，轉換效率也較高。 目前已有將a-Si和μ c-Si疊層後製成的薄膜太陽能電池商品(由日本Sanyo研發成功)，可鍍膜在一般窗戶玻璃上，透光的同時可發電，因此業界廣泛看好將是未來非晶矽材料薄膜太陽電池的的發展主流。

12. Thin-film solar cells

13. Need of raw material

14. 非晶矽薄膜太陽電池製造流程

15. 非晶矽薄膜太陽電池製造流程

16. 非晶矽薄膜太陽電池製造流程

17. 非晶矽(Amorphus Silicon, a-Si) • 優點: • 對於可見光譜的吸光能力很強。 • 利用Sputtering 或CVD生成薄膜成本低廉。 • 材料成本相對於其他化合物半導體材料也便宜許多。 資料來源：BP 2002、World Nuclear Association

18. 非晶矽(Amorphus Silicon, a-Si) 缺點: • 轉換效率低(約5~7%) 。 • 會產生嚴重的光劣化現象的問題，因此無法打入太陽能發電市場，而多應用於小功率的消費性電子產品市場。 • 新一代的非晶矽多接面太陽能電池(MultijuctionCell)已經能夠大幅改善純非晶矽太陽電池的缺點，轉換效率可提升到6~8%，使用壽命也獲得提昇。未來在具有成本低廉的優勢之下，仍將是未來薄膜太陽能電池的主流之一。

19. 可撓式非晶矽薄膜太陽電池 a-Si:H Thin-film Solar Cell (UniSolar )

20. CIGS薄膜電池 此類型有兩種：一種含銅銦硒三元素（簡稱CIS），一種含銅銦鎵硒四元素（簡稱CIGS）。由於其高光電效率及低材料成本，被許多人看好。在實驗室完成的CIGS光電池，光電效率最高可達約19.88，就模組而言，最高亦可達約13﹪(CIS 約10%)。CIGS隨著銦鎵含量的不同，其光吸收範圍可從1.02ev至1.68ev，此項特徵可加以利用於多層堆疊模組，已近一步提升電池組織效能。此外由於高吸光效率（α>10E4~10E5㎝-1），所需光電材料厚度不需超過1μm，99﹪以上的光子均可被吸收，因此一般粗估量產製造時，所需半導體原物料可能僅只US$0.03/W。

21. CIGS薄膜電池

22. Chalcopyrite 半導體的性質

23. CIGS太陽能電池元件結構演進

24. CIGS太陽能電池元件製作流程

25. CIGS 薄膜太陽電池製造方法

26. CIGS太陽能電池-真空製程

27. 真空塗佈製程- Co-evaporation

28. 真空塗佈製程- Sputtering

29. CIGS太陽能電池-非真空製程

30. 非真空塗佈製程- electrodeposition

31. 非真空塗佈製程-Metal Oxide Ink

32. CIS薄膜太陽電池 245-kW rooftop, thin-film CIS-based solar electric array, Camarillo, California (Shell Solar Industries. ) 85-kW thin-film CIS-based BIPV facade, North Wales, UK

33. CIGS優勢 • 薄膜太陽電池中，CIGS是目前具有最高效率的電池之一。 • 現階段CIGS電池主要量產技術仍以真空製程技術為主，但難以克服大面積及降低成本的問題。 • CIGS非真空製程技術雖具有降低成本以及提高材料使用率的優點，但各方式都具有難以克服的關鍵問題皆仍待解決。如CIGS晶粒成長…等。

34. CIGS瓶頸 • CIGS薄膜太陽能電池雖具有高效率、低成本、大面積與可撓性等潛力優勢，但還有許多需要克服的問題接踵而來。 • 製程複雜、技術選擇百家爭鳴，且供應鏈相當分歧，各站並無制式化設備放大製程之均質性不佳，良率變化大。 • 系統化的研究與實驗數據十分缺乏許多關鍵點都無定論，如：組成成分、結構、晶界、各層間之介面…等。 • 關鍵原料的缺乏 (銦元素也是一項潛在隱憂)，銦的天然蘊藏量相當有限，國外曾計算，如以效率10﹪的電池計算，人類如全面使用CIGS光電池發電供應能源，可能只有數年光景。

35. CdTe(碲化鎘) CdTe同樣屬於化合物半導體，電池轉換效率也不差：若使用耐高溫(~600度C)的硼玻璃作為基板轉換效率可達16%，而使用不耐高溫但是成本較低的鈉玻璃做基板也可達到12%的轉換效率，轉換效率遠優於非晶矽材料。此外，CdTe是二元化合物，在薄膜製程上遠較CIS或CIGS容易控制，再加上可應用多種快速成膜技術(如蒸鍍法)，模組化生產容易，因此容易應用於大面積建材，目前已經有商業化產品在市場行銷，轉換效率約11%。不過，雖然CdTe技術有以上優點，但是因為鎘已經是各國管制的高污染性重金屬，因此此種材料技術未來發展前景仍有陰影存在。

36. CdTe thin film solar cell

37. CdTe Film Deposition

38. CdTe Film Deposition

39. CdTe Film Deposition

40. CdTe薄膜太陽電池 SAGFirst Solar ----CdTe Rooftop Katzenbach Juwi      Memmingen SAG

41. 染料敏化染料(Dye-Sensitized Solar Cell) • 染料敏化感染料電池是太陽能電池中相當新穎的技術，由透明導電基板、二氧化鈦(TiO2)奈米微粒薄膜、染料(光敏化劑)、電解質和ITO電極所組成。 • 優點: • 二氧化鈦和染料的材料成本都相對便宜，又可以利用印刷的方法大量製造，基板材料也可更多元化。 • 缺點: • 轉換效率仍然相當低(平均約在7~8%，實驗室產品可達10%)，且在UV照射和高熱下會出現嚴重的光劣化現象， • 封裝過程較為困難(主要是因為其中的電解質的影響)，因此目前仍然是以實驗室產品為主。然而，基於其低廉成本以及廣泛應用層面的吸引力，多家實驗機構仍然在積極進行技術的突破。

42. DSSC

43. Advantage of DSSC • Ease of fabrication for large area from solution • Transparent • Conformal and flexible • Low cost of manufacturing Dye-Sensitized Solar Cell

44. Principle of the DSSC h : photon absorption a : electron injection b : recombination c : e-transport and collection at conducting substrate d : I- oxidation e : I3- reduction f : ion transport Basic mechanisms in a DSSC I/I3- redox electrolyte a c h E b f e 3I-I3 - + 2e- d 2e- + I33I- TiO2 dye TCO Counter electrode

45. DSSC效率演進

46. Principle of Dye-Sensitized Solarcells Gratzel, Nature, 2001 Dye-Sensitized Solar Cell • Low photocurrent could be the result of • Inefficient light harvesting by the dye • Inefficient charge injection into TiO2 • Inefficient collection of injection electron

47. Special Features of a DSSC • Semiconductor not excited directly • Photo carrier generation & transportation are well separated –the probability of recombination can be drastically reduced. • Positive charge transport via ion transport in the electrolyte, rather than hole condition • No electric field, electron transfer has been described as diffusion • Jn= n n Ecb + q Dnn • Nanoparticle structure TiO2 / dye / electrolyte(I-/I3-) glass 0 Counter electrode e- TCO

48. Performance of Photovoltaic and DSSC

49. TCO Electrode • Role of the TCO electrode in a DSSC • Electrons transportation and collection • Characteristics • High transmittance in visible region () • High electrical conductivity () • Thermal endurance() • Corrosion resistance • Energy level not higher than nanoparticle oxide I T R e- () present the issue still for improving

50. Materials and Processes of TCO Electrodes • Materials: • ITO, ZnS, ZnO, SnO2 (energy gap higher than photo energy in visible region) • Processes: • Sputtering deposition • Plasma ion assisted deposition Ref (3)