1 / 48

Radoslava Mitova

Intégration de l’alimentation de la commande rapprochée d’un interrupteur de puissance à potentiel flottant. Radoslava Mitova. Directeur de thèse: Christian Schaeffer Co-encadrants: Jean-Christophe Crébier Laurent Aubard. 27 Octobre 2005. INTRODUCTION.

roch
Download Presentation

Radoslava Mitova

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Intégration de l’alimentation de la commande rapprochée d’un interrupteur de puissance à potentiel flottant Radoslava Mitova Directeur de thèse: Christian Schaeffer Co-encadrants: Jean-Christophe Crébier Laurent Aubard 27 Octobre 2005

  2. INTRODUCTION • Optimisation de la gestion de l’énergie • Place de plus en plus importante de l’électronique de puissance dans les produits grand public et dans les produits industriels • Marché fortement concurrentiel Efforts chez les industriels de réduction de coût et d’augmentation de la densité de puissance Intégration des structures de l’électronique puissance Fonctionnalités ajoutées - commande, protection… Différents types d’intégration hybride monolithique « Integrated Drive Module » (IDM) [SEMIPOWER] Mini-Profet [INFINEON]

  3. Refroidisseur CALC Source d’énergie Charge Filtre Filtre Interrupteur Organes de gestion, des protections, dV/dt, I, V, T°,CEM Commande rapprochée Alimentation Isolation galvanique Commande éloignée INTRODUCTION

  4. PLAN DE LA PRESENTATION • INTRODUCTION • AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT • - solutions, principes de fonctionnement, validation expérimentale, rendement • 3. CONCEPTION ET REALISATION D’UN MOSFET DE PUISSANCE AVEC LES ELEMENTS DE L’ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE • - dimensionnement physique et électrique, validation expérimentale • 4. SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET VERTICAL • - fonctionnement du JFET vertical, modélisation, résultats expérimentaux • 5. CONCLUSIONS ET PERSPECTIVES

  5. PLAN DE LA PRESENTATION • INTRODUCTION • AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT • - solutions, principes de fonctionnement, validation expérimentale, rendement • 3. CONCEPTION ET REALISATION D’UN MOSFET DE PUISSANCE AVEC LES ELEMENTS DE L’ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE • - dimensionnement physique et électrique, validation expérimentale • 4. SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET VERTICAL • - fonctionnement du JFET vertical, modélisation, résultats expérimentaux • 5. CONCLUSIONS ET PERSPECTIVES

  6. CAHIER DE CHARGE • - Faire appel aux solutions intégrables sur silicium • Compatibilité des filières technologiques des composants • Réduire au maximum les étapes technologiques supplémentaires • - Éliminer la nécessité d’une alimentation externe de la commande II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

  7. L’ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT Le transformateur d’impulsion : Avantages : - Transmission simultanée de l’énergie et des signaux de commande - Haute tension d’isolement (10kV) • Inconvénients : • Difficilement intégrable • Coût • Nécessité d’une alimentation externe [COILCRAFT] II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

  8. L’ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT La pompe à charge : Avantages : - Intégrable pour des faibles et moyennes tensions et pour des faibles valeurs des capacités de stockage • Inconvénients : • Faible tension de fonctionnement • Faible isolation • Grand nombre des capacités requises • Nécessité d’une alimentation externe II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

  9. L’ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT Bootstrap : • Avantages : • Haute tension de fonctionnement (1200V) • Une seule alimentation non isolée pour un bras d’onduleur • Inconvénients : • Fonctionnement impossible en régime statique • Nécessité d’une alimentation externe pour la • commande • - Tension d’alimentation unipolaire II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

  10. R Vers l’alimentation de la commande D REGULATION Commande rapprochée Interrupteur de puissance C L’AUTO-ALIMENTATION Le principe de l’auto-alimentation : Prélever de l’énergie aux bornes de l’interrupteur de puissance et alimenter la commande rapprochée avec cette énergie Énergie II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

  11. LA TOPOLOGIE MOSFET/MOSFET décharge charge maintien MOSFET Rp I V auxiliaire P Cs V DS a Signal de la commande 0V VDS t V MOSFET GSa principal V OFF ON OFF ON DZ V DB D R b Commande G V rapprochée DS V D Z CS C S 0V ON OFF 0V ON OFF OFF ON • Avantages : • Pas d’alimentation externe de la commande • Compatibilité entre les filières technologiques des composants • Inconvénients : • - Capacité de stockage et la résistance sont difficilement intégrables sur silicium • Le fonctionnement en régime statique • La branche de polarisation crée des pertes II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

  12. CDGa CDSa IDSa=f(VGSa) CGSa MODELISATION DYNAMIQUE DE L’AUTO-ALIMENTATION V DS Diode de roue libre Charge 0V OFF I P VZ Rp VZ avanlanche DC source200V Grille MOSFET auxiliaire 0V MOSFET VGSa principal VGS V Vth RG Z D Commande D VDB b 0V Z rapprochée V Cs CS VCS OFF 0V Résultats de simulations sous PSPICE d’un hacheur série avec interrupteur auto-alimenté Ouverture Formes d’ondes générales Ouverture II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

  13. VALIDATION EXPERIMENTALE DE L’AUTO-ALIMENTATION MOSFET auxiliaire Capacité de stockage VDS=250V CS=22nF Charge Vsource F=30KHz =0.5 MOSFET principal Formes d’ondes générales Fermeture Ouverture II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

  14. RENDEMENT DE L’AUTO-ALIMENTATION Ouverture Fermeture 2.5A 2A VDS=150V 1.5A CS=22nF F=30KHz 1A =0.5 0.5A Rg=67 0A Le surcoût énergétique de l’auto-alimentation est négligeable II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

  15. CONCLUSION • Solution pour l’alimentation de la commande rapprochée d’un interrupteur à • potentiel flottant contenant deux MOSFETs. • La topologie est entièrement intégrable avec l’interrupteur principal suivant les mêmes étapes technologiques et sans étape supplémentaire. • Pas d’alimentation externe pour la commande rapprochée. • Le principe de fonctionnement de l’auto-alimentation a été validé par • des simulations et avec des composants discrets. • La solution MOSFET/MOSFET ne crée que de faibles augmentations de pertes en commutation. Conception d’un composant de puissance intégrant des éléments de l’auto-alimentation avec l’interrupteur principal II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

  16. PLAN DE LA PRESENTATION • INTRODUCTION • AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT • - solutions, principes de fonctionnement, validation expérimentale, rendement • 3. CONCEPTION ET REALISATION D’UN MOSFET DE PUISSANCE AVEC LES ELEMENTS DE L’ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE • - dimensionnement physique et électrique, validation expérimentale • 4. SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET VERTICAL • - fonctionnement du JFET vertical, modélisation, résultats expérimentaux • 5. CONCLUSIONS ET PERSPECTIVES

  17. Chemins de découpe Chemins de découpe INTEGRATION DE L’AUTO-ALIMENTATION Périphérie 250µm D p MOSFET auxiliaire 3mm Signal de la commande t MOSFET principal MOS principal MOS auxiliaire D Z D R b Commande G rapprochée C S Source Source Cs + Grille Grille Chemins de découpe Al Si02 N+ N+ N+ N+ N+ N+ P P P P P+ P+ P+ P+ P+ P+ N N+ Diode DP Diode Db Diode Zener DZ périphérie périphérie MOSFET auxiliaire Drain MOSFET principal 3mm

  18. LA CONCEPTION DU MOSFET Caractéristiques électriques Électrode de la grille Source statiques dynamiques VBR - Tenue en tension Grille Grille Capacités parasites – Ciss, Crss, Coss RDSON - Résistance à l’état passant Al Source Vth - Tension de seuil Canal JMAX - Densité de courant eSiO2 Si02 N+ Xjn N+ N+ Paramètres géométriques Paramètres physiques P P XjP P+ P P+ e Distance intercellulaire Porte-canal Îlot P+ N - Résistivité ()du substrat • Épaisseur du substrat (e) N+ - Dopage de la source (N+) • Profondeur de la source (Xjn) Drain • Profondeur du porte-canal (Xjp) - Dopages du porte-canal ( P) - Épaisseur de l’oxyde de grille (eSiO2) - Type et dopage du polysilicium de la grille Nombre des cellules (S active) - ……………….. • Distance Intercellulaire (Lintercell) • Périmètre du canal (Z) • Dimensions du composant (Surface active) • …………. III. LA CONCEPTION DU MOSFET

  19. LA TENUE EN TENSION Périphérie Calibre en tension du MOSFET = 600V N=2.1014 at/cm3 e = 50 µm MOS auxiliaire MOS principal f(VBR) Terminaison de tenue en tension – anneaux de garde Source Tenue en tension Grille I[A] Al Si02 Si02 Si02 Si02 Al Al Al Al Al Al Si02 N+ N+ P P P+ P+ P+ P+ P+ P+ P+ N+ VDS,[V] Drain périphérie MOSFET principal III. LA CONCEPTION DU MOSFET

  20. LA TENSION DE SEUIL VTH DU MOSFET VTH entre 1.5 et 3V Dépend essentiellement de deux paramètres: - le dopage du porte-canal P - l’épaisseur de l’oxyde de la grille eSi02 Contrainte pour l’oxyde de la grille – tenue en tension eSiO2> 100nm Dopage du porte-canal entre 2.1016 et 1.1017 at/cm3 III. LA CONCEPTION DU MOSFET

  21. LA TENUE EN TENSION DU PORTE CANAL Source A Grille Grille Al A Zone de charge d’espace,µm Profondeur du porte-canal E,V.cm-1 Si02 N+ N+ N+ WA EMAX P P P P+ P+ Jonction porte-canal substrat WD N+ A’ A’ VDSVBR Drain XJP =f(EMAX,P, N) NA [at/cm-3] XJP [cm] Profondeur du porte-canal entre 2.5 et 3µm pour une tenue en tension de 600V III. LA CONCEPTION DU MOSFET

  22. Z Grille Rcanal Source Grille N+ N+ R45° Rcanal P P P+ P+ W R v Nv N+ Drain Lintercell Lcell/2 DISTANCE INTERCELLULAIRE A surface active du MOSFET constante: Résultats analytiques Simulations SILVACO 20 10 R,[] 20 0 40 0 80 40 60 80 100 160 120 Distance intercellulaire,[µm] Variation de la distance intercellulaire Lintercell [µm] Distance intercellulaire de 30, 40 et 50µm III. LA CONCEPTION DU MOSFET

  23. 3mm CONCEPTION DU LAYOUT MOSFET Zone active Plots de prise de contact de grille Amenée principale de courant de grille Périphérie MOS principal MOS auxiliaire Amenée principale de courant de source Al SiPoly MOS principal MOS auxiliaire SiO2 Nv P+ Drain P Plots de prise de contact de source N+ N+ III. LA CONCEPTION DU MOSFET

  24. CONCEPTION DU LAYOUT MOSFET • Largeurs des amenées de courant de grille et de la source: • JMAX de l’aluminium • Nombre des doigts • Surface Active • Lintecell + Lcell, • IMAXMOS LGrille LGrille= 100µm Ldoigt_grille Ldoigt_Source=2100µm Ldoigt_Source LSource=230µm LSource Al SiPoly SiPoly MOS principal MOS auxiliaire SiO2 SiO2 Nv Nv Nv N+ P+ P+ Drain P N+ N+ III. LA CONCEPTION DU MOSFET

  25. DIMENSIONNEMENT DE LA JONCTION ENTRE LES MOSFETs Da Périphérie 250µm MOSFET I auxiliaire D P p Grille Ga Grille VDS Signal de la commande D MOS auxiliaire MOS principal V t MOSFET Sa GSa principal V DZ V DB G D R b Commande G rapprochée V D CS Z C S Source Source S 0V 15V 0V 15V VDS>0V III. LA CONCEPTION DU MOSFET

  26. DIMENSIONNEMENT DE LA JONCTION ENTRE LES DEUX MOSFETS 15V 0V 15V 0V VDS= 400V Distribution du champ électrique Distribution du potentiel Source auxiliaire Grille principale Grille auxiliaire Source principale III. LA CONCEPTION DU MOSFET

  27. REALISATION TEHCNOLOGIQUE DES COMPOSANTS AU CIME III. LA CONCEPTION DU MOSFET

  28. RESULTATS EXPERIMENTAUX DES COMPOSANTS REALISES Caractéristiques de sortie IDS[A] VDS[V] Tenue en tension Vth=1.5V IDS[A] IDS[A] VGS[V] VDS= 15V VDS[V] III. LA CONCEPTION DU MOSFET

  29. TEST DES COMPOSANTS REALISES t t Composant sous test Diode de roue libre Charge Charge Composant testé I D P p VDS=100V V DS a V MOSFET DS Commande éloignée auxiliaire MOSFET CS=22nF V Composant pilote GSa principal V DZ V DB D R F=20KHz b Vsource Commande G D V Commande Z rapprochée DS V CS rapprochée C S =0.5 Commande rapprochée Commande du composant pilote Commande du composant testé VC , IAUX et VDS du composant testé Commutation du composant testé Ouverture (VDS,Iaux,VC) III. LA CONCEPTION DU MOSFET

  30. TEST DES COMPOSANTS REALISES DANS UN CONVERTISSEUR AC/AC (thèse B. Nguyen) Convertisseur AC/AC AC switch 1 3 1 2 Ventrée ICh 4 2µF AC 2 AC switch 2 Commande rapprochée Circuit de puissance Formes d’ondes aux bornes de deux MOSFETs et deux capacités de stockage Vcharge Icharge*100 VDS2 VC2 VDS3 VC3 III. LA CONCEPTION DU MOSFET

  31. CONCLUSION SUR LA CONCEPTION ET LA REALISATION DU MOSFET Conception du MOSFET pour la fonction de l’auto-alimentation: • Dimensionnement des paramètres électriques • Dimensionnement de la géométrie de l’interrupteur de puissance contenant des éléments de l’alimentation de la commande rapprochée Réalisation pratique: • Validation expérimentale des composants réalisés • Test impulsionnel • Convertisseur AC/AC III. LA CONCEPTION DU MOSFET

  32. PLAN DE LA PRESENTATION • INTRODUCTION • AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT • - solutions, principes de fonctionnement, validation expérimentale, rendement • 3. CONCEPTION ET REALISATION D’UN MOSFET DE PUISSANCE AVEC LES ELEMENTS DE L’ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE • - dimensionnement physique et électrique, validation expérimentale • 4. SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET VERTICAL • - fonctionnement du JFET vertical, modélisation, résultats expérimentaux • 5. CONCLUSIONS ET PERSPECTIVES

  33. D Interrupteur p Interrupteur principal auxiliaire MOSFET (MOSFET) auxiliaire JFET D D Signal de la commande G Commande G t raprochée MOSFET S principal D Z D S R D b Commande G b rapprochée C S C V C V GS V Db LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET VGS0 < 0 VGS1< -VP VDS OFF ON 0V VDS > 0 Seuils de pincement à VDS= 400V VGS= -15V IDS Avantages : - Compatibilité de filière technologique entre le JFET & le MOSFET principal - Un seul composant pour assurer la régulation VGS=0V VGS0<0V VDS VGS= -VP Caractéristiques électriques de sortie du type penthode d’un JFET IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

  34. Interrupteur Interrupteur principal auxiliaire (MOSFET) JFET D D G Commande G raprochée S S D b C INTEGRATION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET Périphérie 3mm MOS principal JFET + Source Source Cs Grille Grille Al Si02 N+ N+ N+ N+ P P P P P+ P+ P+ P+ Canal Source du JFET Source Porte-canal Court-circuit de la source Grille du JFET N N+ Diode Db MOSFET principal JFET Drain IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

  35. N+ IDS VDS LE JFET VERTICAL Lsource > 2 µm Grille VGS=0V VGS<0V Source Caractéristiques électriques de sortie du type triode d’un JFET Résultats de simulation du JFET vertical P P L VGS2<VGS1 VGS1<VGS VGS=0 N 2a  1µm L’équipotentielle0V L’équipotentielle0V VP1 VP2 N + Seuils de pincement VDS1 > 0 VDS= 400V VGS= -15V Drain Caractéristiques électriques de sortie du type triode d’un JFET VDS2> VDS1 LES MODELES EXISTANTS DE JFET VERTICAL NE SONT PAS ADAPTES A CETTE STRUCTURE DE JFET AVEC DES REGIONS DE GRILLES DIFFUSEES La largeur de la source modifie le seuil de pincement du JFET et la tenue en tension de la jonction grille - source Modèle qui donne les seuils de pincement en fonction de la géométrie du JFET ! IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

  36. N+ MODELE PSEUDO-ANALYTIQUE DU JFET VERTICAL Cartographie du potentiel pour un seuil de pincement à VGS=-9V et VDS=108V L’équipotentielle0V Grille Source P P P L Jonction grille-substrat N N + Drain La cartographie du potentiel est la même pour les différents seuils de pincement La position de l’équipotentielle 0V au pincement est la même pour les différents couples VGS - VDS IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

  37. MODELE PSEUDO-ANALYTIQUE DU JFET VERTICAL Simulation SILVACO L’équipotentielle 0V VG<0 Canal du JFET L’emplacement de l’équipotentielle 0V au pincement Grille VG=0 Source E(V.cm-1) VGD EMAX P- WA VG x VD WD VGD N WD et WA N+ x Drain VD=0 VD>0 Les couples VGS-VDS pour des différents seuils de pincement IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

  38. MODELE PSEUDO-ANALYTIQUE DU JFET VERTICAL Comparaison entre le modèle analytique et la simulation pour un canal de largeur 1.5µm Comparaison entre le modèle analytique et la simulation pour un canal de largeur 2µm Lsource = 4µm • Avantage : • Prise en compte des effets bidimensionnels Source Grille Grille Inconvénient : - Nécessité d’une simulation à éléments finis canal= 1µm IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

  39. SIMULATION DE L’AUTO-ALIMENTATION Formes d’ondes générales de VDS et VCS Recharge de la capacité CS Pincement du JFET VDS/20 VDS/20 VCS JFET D VCS G V S GS D VDb b VDS ICS IC Rg VC CS Topologie simulée avec le logiciel SILVACO IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

  40. CONCEPTION DU LAYOUT DU JFET Grille Source Grille Source Al SiPoly MOS principal JFET SiO2 Nv P+ Drain P N+ IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET N+

  41. CONCEPTION DU LAYOUT DU JFET Source Grille LN+ Grille Al Source SiPoly SiO2 MOS principal MOS auxiliaire Nv P+ N+ P N+ IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET N+

  42. CONCEPTION DU LAYOUT DU JFET Surface de contact pour la source LN+ RN+ eN+ LN+= 72µm Source DN+ Lcanal Rcanal eN+ R45° R canal Canal R 45° Rsubstrat Al SiPoly N R substrat SiO2 Nv P+ Drain P Pas=36µm N+ N+ IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

  43. REALISATION DU JFET VERTICAL JFET réalisé Zone active du MOSFET pricipal Zone active du JFET Ouverture contact de la source Canal Grille Grille du JFET Source du MOSFET principal Périphérie IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

  44. IDS,[A] VDS,[V] RESULTATS DE MESURE DES JFET REALISES Résultats de mesure pour les seuils de pincements des JFETs réalisés Résultats de mesure d’un JFET VGS[A] VDS[V] IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

  45. CONCLUSION SUR LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET VERTICAL • Les caractéristiques électriques de sortie (triode ou pentode) du JFET vertical sont très dépendantes de ses formes géométriques. • Les modèles analytiques ne prennent pas en compte le profil diffusé des régions de grille ni l’influence du caisson de source : - ils ne sont pas adaptés à notre structure. • Un modèle pseudo-analytique couplé avec une simulation à éléments finis a été développé. • Un JFET vertical a été dimensionné et réalisé pour l’auto-alimentation. • Des résultats expérimentaux ont été présentés. • La conception et la réalisation du JFET est délicate. IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

  46. CONSLUSION GENERALE • Deux topologies d’auto-alimentation de la commande rapprochée ont été présentées: • - MOSFET/JFET • - MOSFET/MOSFET • Leurs principes de fonctionnement ont été validés par des simulations et des réalisations pratiques • Un dimensionnement et une réalisation d’un interrupteur de puissance (MOSFET) avec des éléments des deux topologies d’auto-alimentation ont été faits • Les composants réalisés de la topologie MOSFET/MOSFET ont été testés et validés dans des convertisseurs • Les résultats expérimentaux de JFET réalisés montrent que leur réalisation est plus délicate et rends cette solution plus difficile à mettre en œuvre

  47. PERSPECTIVES • Réflexions sur une topologie permettant le fonctionnement en statique. • Pour la structure MOSFET/MOSFET : • - Réaliser l’intégration monolithique des autres éléments de la topologie (Thèse Nicolas Rouger). • Pour la structure MOSFET/JFET : - Mise en oeuvre des composants réalisés. - Étudier la topologie en remplaçant le JFET par un MOSFET à appauvrissement (en coopération avec le LAAS). • Étudier la faisabilité et la réalisation d’une intégration de la commande rapprochée au sein de la même puce que l’interrupteur de puissance ( Thèse Binh Nguyen). • Autre solution intégrable monolithiquement afin d’éliminer l’opto-coupleur ( transmission capacitive, émetteur RF…).

  48. FIN Merci pour votre attention FIN

More Related