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1. 内容简介 习题解答 重点/难点 3.存储器技术 3.1 存储器简介 3.2 读写存储器 3.3 存储器扩展技术 Home

2. 3.存储器简介 内容简介 本章主要对微型计算机系统内存技术的发展进行了概述，内容包括存储器的分类、存储器的扩展、存储器的管理、常用内存储器的引脚功能与工作原理，以及外存储器的基本知识。 Home

3. 3.存储器简介 重点与难点 • 芯片SRAM 2114和DRAM 4116 • 芯片EPROM 2764和EEPROM 2817A • SRAM、EPROM与CPU的连接 Home

4. 1 3.1 存储器简介 1.存储器分类 点击演示！ Next Home

5. 2 3.1 存储器简介 内存储器按其在微机系统中的位置可分成两大类： 点击演示！ Back Next Next Home Home

6. 3 3.1 存储器简介 2.存储器的主要性能指标 • 存储容量 • 存取速度 • 可靠性 • 功耗 • 性能/价格比 Back Home

7. 1 3.2 读写存储器 1.静态读写存储器 （SRAM） 8K×8bit的CMOS RAM芯片 (以6264芯片为例) Next Home

8. 2 D0~D7 D0~D7 A0 A0 • • • • • • • • • A12 A12 MEMW WE MEMR OE 译码 电路 高位地址信号 CS1 • • • CS2 3.2 读写存储器 6264芯片与系统的连接 Back Next Next Home Home

9. 3 D0~D7 D0~D7 A0 A0 • • • • • • • • • A12 A12 MEMW WE MEMR OE 译码 电路 高位地址信号 CS1 • • • CS2 3.2 读写存储器 6264芯片与系统的连接 Back Next Next Home Home

10. 4 3.2 读写存储器 2.动态读写存储器 （DRAM） • 特点： • DRAM是靠MOS电路中的栅极电容来存储信息的，由于电容上的电荷会逐渐泄漏，需要定时充电以维持存储内容不丢失（称为动态刷新），所以动态RAM需要设置刷新电路，相应外围电路就较为复杂。 • 刷新定时间隔一般为几微秒～几毫秒 • DRAM的特点是集成度高（存储容量大，可达1Gbit/片以上），功耗低，但速度慢（10ns左右），需要刷新。 • DRAM在微机中应用非常广泛，如微机中的内存条（主存）、显卡上的显示存储器几乎都是用DRAM制造的。 Back Next Next Home Home

11. 5 列地址 1 0 0 0 1 0 0 0 3.2 读写存储器 典型的动态存储器芯片2164A • 2164A：64K×1 • 采用行地址和列地址来确定一个单元； • 行列地址分时传送，共用一组地址线； • 地址线的数量仅为同等容量SRAM芯片的一半。 Back Next Next Home Home

12. 6 3.2 读写存储器 动态存储器芯片2164A的工作原理 三种操作： • 数据读出 • 数据写入 • 刷新 　　将存放于每位中的信息读出再照原样写入原单元的过程。 Back Next Next Home Home

13. 7 3.2 读写存储器 3.可重写的只读存储器（EPROM） • 特点： • 可多次编程写入； • 掉电后内容不丢失； • 内容的擦除需用紫外线擦除器。 Back Next Next Home Home

14. 8 3.2 读写存储器 典型的EPROM 2764 8K×8bit芯片，其引脚与SRAM 6264完全兼容 地址信号：A0 ~ A12 数据信号：D0 ~ D7 输出信号：OE 片选信号：CE 编程脉冲输入：PGM Back Next Next Home Home

15. 9 数据读出 编程写入 擦除 标准编程方式 快速编程方式 工作方式 3.2 读写存储器 EPROM 2764的工作方式 编程写入的特点： 每出现一个编程负脉冲就写入一个字节数据 Back Next Next Home Home

16. 10 3.2 读写存储器 4.电擦除可编程只读存储器（EEPROM） • 特点： • 可在线编程写入； • 掉电后内容不丢失； • 内容的擦除需用电擦除器。 Back Next Next Home Home

17. 11 3.2 读写存储器 典型的EEPROM 98C64A 8K×8bit芯片 13根地址线（A0 ~ A12） 8位数据线（D0 ~ D7） 输出允许信号（OE） 写允许信号（WE） 选片信号（CE） 状态输出端（READY/BUSY） Back Next Next Home Home

18. 12 3.2 读写存储器 EEPROM 98C64A的工作方式 • 数据读出 • 编程写入 • 擦除 字节写入：每一次BUSY正脉冲写 入一个字节 自动页写入：每一次BUSY正脉写 入一页（1~ 32字节） 字节擦除：一次擦除一个字节 片擦除：一次擦除整片 Back Next Next Home Home

19. 13 3.2 读写存储器 5.闪速EEPROM（FLASH） 特点： 通过向内部控制寄存器写入命令的方法来控制芯片的工作方式，而非用引脚的信号来控制芯片的工作。 应用： BIOS，便携式闪存硬盘 Back Next Next Home Home

20. 14 读单元内容 读内部状态寄存器内容 读芯片的厂家及器件标记 数据读出 编程写入 擦 除 数据写入，写软件保护 字节擦除，块擦除，片擦除 擦除挂起 3.2 读写存储器 FLASH的工作方式 Back Home

21. 1 3.3 存储器扩展技术 　　用多片存储芯片构成一个需要的内存空间，它们在整个内存中占据不同的地址范围，任一时刻仅有一片（或一组）被选中。 位扩展——扩展每个存储单元的位数 字扩展——扩展存储单元的个数 字位扩展——二者的综合 Next Home

22. 2 字节数 字长 3.3 存储器扩展技术 位扩展 • 存储器的存储容量等于： 单元数×每单元的位数 　　当构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元的字长时，就要进行位扩展，使每个单元的字长满足要求。 • 位扩展方法： 　　将每片的地址线、控制线并联，数据线分别引出。 • 位扩展特点： 　　存储器的单元数不变，位数增加。 Back Next Next Home Home

23. 3 3.3 存储器扩展技术 字扩展 • 扩展的含义： 　　地址空间的扩展。芯片每个单元中的字长满足，但单元数不满足。 • 扩展原则： 　　每个芯片的地址线、数据线、控制线并联，仅片选端分别引出，以实现每个芯片占据不同的地址范围。 Back Next Next Home Home

24. 4 3.3 存储器扩展技术 字位扩展 • 根据内存容量及芯片容量确定所需存储芯片数； • 进行位扩展以满足字长要求； • 进行字扩展以满足容量要求。 • 若已有存储芯片的容量为L×K，要构成容量为M ×N的存储器，需要的芯片数为： （M / L） ×（N / K） Back Next Next Home Home

25. 3.存储器简介 • 本　章　小 结 • 通过本章的学习： • 熟悉存储器的分类及各类存储器的特点和使用场合； • 熟悉半导体存储器芯片的结构； • 掌握SRAM 2114、DRAM 4116、EPROM 2764、EEPROM 2817A的引脚功能； • 理解SRAM读写原理、DRAM读写和刷新原理、EPROM和EEPROM工作方式 • 掌握存储芯片与CPU连接的方法，特别是片选端的处理。 Back Home