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Caracterización de películas delgadas semiconductoras de un amplio ancho de banda dopadas con tierras raras. M.Sc. Guerra J. A. guerra.jorgea@pucp.edu.pe. PUCP 2012. Solid State Physics Group. Películas delgadas. Película. d [nm]. Sustrato. t [mm]. d << t. PUCP 2012.
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Caracterización de películas delgadas semiconductoras de un amplio ancho de banda dopadas con tierras raras M.Sc. Guerra J. A. guerra.jorgea@pucp.edu.pe PUCP 2012 Solid State Physics Group
Películasdelgadas Película d [nm] Sustrato t [mm] d << t PUCP 2012 Solid State Physics Group
¿amplioancho de banda? PUCP 2012 Solid State Physics Group
bandas e e anti-enlazamiento rA rA rB rB ∆E A Energía B R R ∆E/2 … … … A A B B Ci enlazamiento Posición PUCP 2012 Solid State Physics Group
ancho de banda(energía de bandaprohibida) b.c. Energía b.v. aislantes & semiconductores conductores PUCP 2012 Solid State Physics Group
tierrasraras PUCP 2012 Solid State Physics Group
¿Porqué? nc-AlN:Lh3+ R. Weingärtner, O. Erlenbach, A. Winnacker, A. Welte, I. Brauer, H. Mendel, H.P. Strunk, C.T.M. Ribeiro and A.R. Zanatta, Opt. Mater.28 (2006), p. 790. PUCP 2012 Solid State Physics Group
¿Porquéamplioancho de banda? • Transparencia excitación & emisión material dopado • «Quenching» por: • ancho de banda • temperatura • concentración PUCP 2012 Solid State Physics Group
a-(SiC)1-x(AlN)x Ingeniería del ancho de banda R. Weingärtner J. A. Guerra, O. Erlenbach, G. Gálvez, F. De Zela, A. Winnacker, 2010 Mater. Sci. Eng. B, 174114-8 PUCP 2012 Solid State Physics Group
Al1-xGaxN:Tm D S Lee and A J Steckl2003 Enhanced blue emission from Tm-doped AlxGa1-xN electroluminescent thin films Appl. Phys. Lett. 832094 PUCP 2012 Solid State Physics Group
PUCP 2012 Solid State Physics Group
Deposición & Caracterización PUCP 2012 Solid State Physics Group
pulverización catódica PUCP 2012 Solid State Physics Group
pulverización catódica G. Gálvez, O. Erlenbach, J. A. Guerra Torres, T. Hupfer, M. Steidl, F. De Zela, R. Weingärtner, A. Winnacker, Materials Science Forum Vols. 645-648 (2010), 1199-1202 PUCP 2012 Solid State Physics Group
PUCP 2012 Solid State Physics Group
Foto-luminiscencia (PL) caracterización óptica Espectrofotometría UV-VIS Espectroscopía vibracional (FTIR) PUCP 2012 Solid State Physics Group
Foto-luminiscencia (PL) I(λ)exc • defectos I(λ)PL Muestra • Impurezas • Tiempo de vida de portadores de carga (TRPL) Señal Energía de excitación b.c. e- b.v. PUCP 2012 Solid State Physics Group
Espectro PL λexc = 488 nm PUCP 2012 Solid State Physics Group
a-SiC:H:Tb 1% 11% Tb% Sustrato Película Objetivos SiC 120W Tb 50W PUCP 2012 Solid State Physics Group
PL a-SiC:H:Tb PUCP 2012 Solid State Physics Group
PL a-SiC:H:Tb J. A Guerra, et al., Concentration Quenching of the Luminescence from several Terbium doped MatrixMaterials, Submittedto EDS-2012. PUCP 2012 Solid State Physics Group
Simulaciones (Percolación) PUCP 2012 Solid State Physics Group
Espectrofotometría UV-VIS-NIR I0= IT +IA+IR I0(λ) IT(λ) 1= T+A+R T(λ)= IT/I0 IR(λ) ¡Esto es lo que medimos! Sustrato Película IA(λ) PUCP 2012 Solid State Physics Group
Espectrofotometría UV-VIS-NIR PUCP 2012 Solid State Physics Group Cortesía de A.R. Zanatta, IFSC-USP, Brasil
a-(SiC)0.53(AlN)0.47 d = 356.14 ± 0.13 nm PUCP 2012 Solid State Physics Group Extracto de la tesis de maestría de J. A. Guerra
a-(SiC)1-x(AlN)x R. Weingärtner J. A. Guerra, O. Erlenbach, G. Gálvez, F. De Zela, A. Winnacker, 2010 Mater. Sci. Eng. B, 174 114-8 PUCP 2012 Solid State Physics Group
a-AlN J A Guerra, L Montañez, O Erlenbach, G Galvez, F De Zela, A Winnacker, R Weingärtner, 2011 J. of Phys. Conf. Series 274 012113 PUCP 2012 Solid State Physics Group
¿Quées lo quehacemosentonces? • SiC:H • SiCN • (SiC)1-x(AlN)x • Si1-xNx • AlxSi1-xN Caracterizamos Aplicaciones PUCP 2012 Solid State Physics Group
Miembros actuales en el grupo Colaboradores Lider Pregrado Ingeniería Ciencias Graduados Maestría Doctorado PUCP 2012 Solid State Physics Group
Gracias, y lancen sus preguntas PUCP 2011 Grupo de Ciencias de los Materiales