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SEMICONDUCTORES Física 1º Ingeniería Informática José Luis Mincholé. Teoría de bandas. Conductores y aislantes. 1 . SEMICONDUCTORES . ELECTRONES Y HUECOS. silicio. 2.1 Semiconductores intrínsecos. n = p = n j (T). Banda de conducción. E F. Banda prohibida. Nivel medio de la BP.
E N D
SEMICONDUCTORESFísica 1º Ingeniería InformáticaJosé Luis Mincholé
Teoría de bandas. Conductores y aislantes 1. SEMICONDUCTORES. ELECTRONES Y HUECOS silicio 2.1 Semiconductores intrínsecos n = p = nj (T)
Banda de conducción EF Banda prohibida Nivel medio de la BP Banda de valencia Semiconductores intrínsecosBandas de energía n =p n p
Semiconductores intrínsecos n = p = nj (T)
Semiconductores tipo N IMPUREZAS DONANTES (grupo V) fósforo n>p arsénico n»Nd
n >>p Banda de conducción EF Banda prohibida Nivel medio de la BP Banda de valencia Semiconductores tipo NBandas de energía
Semiconductores tipo P IMPUREZAS ACEPTANTES (grupo III-A) p>n galio Aluminio p»Na
Banda de conducción Nivel medio de la BP Banda prohibida EF Banda de valencia p >> n Semiconductores tipo PBandas de energía
Semiconductores tipo N y P n>p n<p
La unión N-P a) En equilibrio (sin polarizar) b) Con polarización directa c) Con polarización inversa
Unión N-P sin polarizar EQUILIBRIO Intensidad=0
Unión N-P sin polarizar Carga espacial
Unión N-P sin polarizar ddp de contacto
Unión N-P sin polarizar • Difusión de portadores mayoritarios • Aparición de una ddp entre N(+) y P(-) • Arrastre de portadores minoritarios ddp contacto Vo EQUILIBRIO Alineación NF Intensidad=0
Unión N-P con polarización directa Desalineación NF Intensidad, I : de P N, creciente con V
Unión N-P con polarización directa ddp en la unión
Unión N-P con polarización directa • Intensidad de P a N creciente con V • Menor ddp en la unión • Se favorece la difusión • Se dificulta el arrastre • Pequeña resistencia eléctrica
Unión N-P con polarización inversa Desalineación NF Intensidad, I : de N P, no depende de V
Unión N-P con polarización inversa ddp en la unión
Unión N-P con polarización inversa • Intensidad de N a P no depende de V y es casi cero • Mayor ddp en la unión • Se favorece el arrastre • Se dificulta la difusión • Resistencia eléctrica muy grande
DIODOS Símbolo y polarización
El transistor JFET Canal N
MOSFET empobrecimiento Canal P
MOSFET enriquecimiento Canal N
MOSFET enriquecimiento Canal P