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整合製程委託代工申請表 &Run Card 委託說明. Outline. 目的 基本資料填寫說明 常見錯誤範例說明 Ex:1~5 製程整合單 Ex:6~8 製程整合單 + run card 製程整合單 ,Run card 與 sample 送件流程 Summary: 注意的事項 問題提出 & 討論. 目的 : 連續製程比單站快速明確 , 減少 NDL 員工 loading, 避免操作錯誤. 單站 & 連續製程比較 , 完成時間 , 前者一週 , 後者三個工作天.
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Outline • 目的 • 基本資料填寫說明 • 常見錯誤範例說明 Ex:1~5製程整合單 Ex:6~8製程整合單+ run card • 製程整合單,Run card與sample送件流程 • Summary:注意的事項 • 問題提出 & 討論
目的: 連續製程比單站快速明確, 減少 NDL 員工 loading, 避免操作錯誤. • 單站 & 連續製程比較, 完成時間, 前者一週, 後者三個工作天. • 連續製程勿更改(刪或增添), 若有必要, 請先知會 PE 宋; • 若連續製程 or runcard 有不完整或註明機台或call 宋, 請先與我聯繫. b. NDL 針對學生違規處理, 依 97.01.09 NDL 月會結論如下: (1) 學生一旦違規被查覺至公告公佈前, 課長級以上主管, 可以書面或 MAIL 方式, 告知簡小姐(7610) 直接暫停違規者所有機台使用權利.(2) 公告公佈後, 依公告內容處理 (暫停或註銷違規機台使用權利,......).(3) 提醒: 為避免違規產生, 注意事項如下(a) 思慮清楚再處理, 避免污染事件發生 (欲速則不達) (b) 有疑慮或不清楚, 請詢問後再處理. (c) 連續製程勿逕自修改, 請先與本人討論(0982651499(亞太), 0972698105(中華電信), 7653, 07:00~22:00(含例假日) (d) 下頁起, 範例左為原下線者內容, 右為修改後之內容. • Laser maker 不開放, 已下run (未來補刻號) • 無塵 & PVC 標籤紙 & 無塵封裝袋價格 • 營運二課工程師, 可找我代為尋找 or mail 告知
舊編號: 給簡秀芳建檔 新編號: 給試驗線小姐記帳 (web) 國家奈米元件實驗室 整合製程委託代工申請表 由簡秀芳編輯 申請者姓名： 宋金龍 身份證字號：A123456789 所屬單位：XX大學XX系所 電話：0972698105,0982651499 (7653) 地 址： 指導教授或主管簽章： 施錫龍Dr. 統一編號： NDL負責人簽章: 計劃名稱：□國科會 編號 ＮＳＣ（卡號：S） □ NDL學界合作案編號：_Pxx-XXX-XXX-XXX_______ □ 其他 申請日期： 交件日期：_____________ 收件日期：____________ e-mail：clsung@ndl.org.tw, 下線批號： 研究領域或主題：請勾選 □奈米電子□奈米光子□奈米量測□奈米製造及功能性材料□高頻技術 □奈米生物電子與元件□奈米結構與分析□奈米系統模型與模擬□其他 業界類別：□積體電路□電腦週邊□通訊□光電□精密機械□生物技術(非業界無須勾選) 模組負責人檢核及費用： 實驗室編號 申請者勿填 以mail方式同時傳給合作計劃研究人員, 指導教授, 宋,不用紙本簽名 由宋金龍or陳瑤真編輯
Ex8:Run card(進出量;001,002,011,101 ,105,106)
Ex13-1: Run card
Ex15-2: Run card
製程整合單與sample送件流程 製程整合單 (與 Run card) 以mail方式同時寄給 1. 申請者合作計劃研究人員, 指導教授 2.宋金龍課長與(陳瑤真)修改 錯誤 確認無誤 製程進行完畢 宋金龍課長 以口頭或 MAIL 告知申請者取件 申請者以電話 口頭或 mail告知 sample放置地點 (可以提前告知) 修改完以mail 回傳給 申請者 & 研究人員, 指導教授 製程中
Summary:注意的事項 • 所有下線晶片, 皆須laser刻號:方便試驗線小姐Run 貨, 避免互混. • 晶片 (盒上寫上姓名, 批號) & Runcard 置於100 pass window, • 公共電腦桌(進入 class 100 air shower 旁) 或 10k 機台處 b. 連續製程單,由我(7653) 印出; 若自行印出, 請在 mail 告知, 置於我信箱 or pass window(或與晶片放在一起)後, 然後電話告知. • 簡短流程 不用附上Runcard, 只需要連續製程單(內容須詳述) . a.自行操作部分, 先註明 ”自行操作” 或姓名; b. 已完成, 請註明日期 & “finished”. (進,出量皆註明) • 進爐管 & 前段RTA的貨, 須做STD clean(SC-1 & SC-2); • (RCA: H2SO4 + STD clean, 含換酸) (HF dip 須另加註) • 設備編號: 寫機台新編碼 (NDL 網頁 ----- 設備服務 ------ 營運組設備 • ----- 設備介紹及相關表單) (若不知, 空白)
前段蝕刻後, 請去除光阻, (Fusion-O3 or Mattson Asher & H2SO4 stripper); • 後段蝕刻, 去除光阻, (則使用 ILD-4100 or TCP 9600). • 後段流程 clean,不可以在前段 wet station,做STD clean. • (務必在 clean, litho, etch註明) (** 111, high-k & Ge 流程, 亦須先告知) 7. 若是 P-type or non-doped 24hrs anneal,可以使用 T10 水平爐管 ; N-type (imp. or in-situ (N+) poly), 必須用T9,不可以用T10. 8. 我的聯絡時間 07:00~22:00(含例假日), Pass window 除下 run 外,非 置放晶片用. 9. 留意 NDL 機台狀況說明 & 公告 10. 連續製程結束, 連續製程單, 若須保留, 則影印給我(runcard 自行保留) 11. 爐管 & 蝕刻注意事項
蝕刻注意事項 • 後段連續製程, 勿用前段流程, runcard 註明 (尤其是 rework). • High-k & Ge 製程, 事先告知工程師. b. “o” layer, contact …., 在 TCP 9400 , 事先告知工程師(上班時間作業) • ADI & AEI 自行處理, 除非提供圖檔, 可供辨識. 3. 機台有問題, 找不到營運二課工程師, 可找我 or mail 告知. • 蝕刻程式號碼, 時間, 須註明清楚, 否則 hold 待通知處理. 5.SOI E-beam零層蝕刻或其他問題 Date: Thu, 10 Jan 2008 17:20:56 +0800 (CST)Subject:請問SOI E-beam零層蝕刻問題 宋先生 您好: 最近想做SOI E-beam的第零層蝕刻，由於是第一次做所以不清楚 SOI的零層如何蝕刻，想向您請教一下，我們所用的SOI參數如下: 上層Si: 50nm, 中間 Oxide: 150 nm 謝謝您的幫忙 交通大學xx所 xxx Phone: 0916xxxxxx
問題提出 & 討論 • 寒暑假上課(製程設備見習班) 勿衝突. • 晶片封裝 (停電前)
