1 / 46

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES: -SEMICONDUCTORES -SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS

UNIDAD N° 1:. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES: -SEMICONDUCTORES -SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS -SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS -TIPO N -TIPO P -JUNTURA PN – DIODO SEMICONDUCTORES -EL DIODO IDEAL -DIODO REAL -CIRCUITOS CON DIODOS -EL DIODO COMO RECTIFICADOR. SEMICONDUCTORES:.

azriel
Download Presentation

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES: -SEMICONDUCTORES -SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. UNIDAD N° 1: DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES: -SEMICONDUCTORES -SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS -SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS -TIPO N -TIPO P -JUNTURA PN – DIODO SEMICONDUCTORES -EL DIODO IDEAL -DIODO REAL -CIRCUITOS CON DIODOS -EL DIODO COMO RECTIFICADOR

  2. SEMICONDUCTORES: Semiconductor Intrínseco: -Silicio -Germanio

  3. SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS: • Para aumentar la concentración de portadores, se realiza el proceso de DOPADO o CONTAMINACIÓN con IMPUREZAS • El tipo de impureza predominante, determina el tipo de portador mayoritario, y por ende, el tipo de semiconductor. Semiconductor tipo N: Impurezas: átomos donores Ej : Antimonio Semiconductor tipo P: Impurezas: átomos aceptores. Ej Galio, Indio, etc:

  4. TIPO N, dopado con FÓSFORO TIPO P, dopado con Boro

  5. JUNTURAS P-N: • Frontera entre zona tipo N y tipo P, formada en el mismo cristal. • Se produce difusión de portadores de una zona a otra, hasta lograr el equilibrio, generando una zona de agotamiento o DESERCIÓN. • La diferencia de potencial electrostático creado, se denomina potencial de barrera de la juntura. • El flujo de portadores minoritarios (lagunas de región N a P y electrones de P a N), se compensan mutuamente , en condición de equilibrio.

  6. POLARIZACIÓN DIRECTA: • Se reduce la altura de la barrera de potencial • Permite que mayor cantidad de portadores mayoritarios crucen la barrera por difusión. • Despreciando caidas en los contactos externos, la reducción en la barrera es igual a la tensión externa aplicada. • Pequeñas variaciones en la barrera generan grandes variaciones en el flujo de portadores (relación exponencial) • Altura de la barrera depende : contaminacion, materiales.

  7. POLARIZACIÓN INVERSA: • Se incrementa la altura de la barrera de potencial • Disminuye la cantidad de portadores mayoritarios que pueden cruzar la barrera por difusión. • Predomina la difusión de portadores minoritarios-> corriente de saturación inversa Is ->t • Con tensiones de alrededor de 0,1 V, se logra anular casi por completo el flujo de portadores mayoritarios.

  8. RUPTURA DE LA JUNTURA PN: • Se produce con valores intensos de tensión de polarización inversa. • Se producen pares e- huecos por ruptura de enlaces covalentes. • Tensión de ruptura: Vr (depende de materiales y contaminación) • En ruptura, la corriente inversa aumenta rápidamente con la tensión. • Avalancha – Zener

  9. DIODO: Diodo Ideal: • Cortocircuito con Vd>0 • Circuito Abierto Vd<=0

  10. Circuitos con diodos ideales:

  11. Circuitos con diodos ideales:

  12. Diodos reales: Donde:

  13. Diodos reales: Pequeñas variaciones de Vd, generan grandes variaciones en Id

  14. Diodos reales: recta de carga DC

  15. EFECTOS DE LA TEMPERATURA SOBRE LA CURVA DEL DIODO:

  16. RESISTENCIA DC: En un punto de polarización Q, se puede calcular la resistencia de DC equivalente del DIODO: Q es el punto de equilibrio o reposo “quiescence” LA RESISTENCIA DC del diodo, es diferente para cada punto de POLARIZACIÓN

  17. RESISTENCIA AC: Vac Concepto de superposición: Vac+Vdc Vdc

  18. RESISTENCIA AC: Sabemos que:

  19. RESISTENCIA AC: Sabemos que: si Para excursiones pequeñas de la señal Modelo para pequeña señal:

  20. Si la excursión de la señal de AC es comparable al nivel de DC

  21. Las formas de onda de Vd e Id se distorsionan

  22. Selección de diodos – hojas de datos:

  23. Para calcular la potencia que disipará el diodo:

  24. RECTIFICADORES:

  25. Rectificador de Media Onda:

  26. Rectificador Puente – Onda completa:

  27. Rectificador Onda completa:

  28. Rectificador Onda completa: Voltaje inverso máximo: 2Vmax

  29. Rectificador TRIFÁSICO de media onda:

  30. Rectificador TRIFÁSICO de media onda: La tensión aplicada a la carga es: Vfase

  31. Rectificador TRIFÁSICO Puente: La tensión aplicada a la carga es VLínea

  32. Rectificador TRIFÁSICO Puente: Donde V(wt) es tensión de línea Donde -30° es el desfasaje de la tensón de línea respecto de la de fase en conexión Y Donde Vmax en este caso es valor pico de la tensión de línea!.

  33. Ejercicios y ejemplos: SCHILING, Donald; BELOVE, Charles, Belove : “CIRCUITOS ELECTRÓNICOS, Discretos e Integrados”; 3° ed, Mc Graw-Hill

  34. Ejercicios y ejemplos: BOYLESTAD, Robert; NASHLESKY, Louis; “ELECRÓNICA:TEORÍA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS”, 8° ED

More Related