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ILD VTX Engineering

ILD VTX Engineering. ２００８年１２月１日 杉本康博. Detector for ILC. ２００８年９月： GLD と LDC を統一した ILD のパラメータ決定 ２００９年３月末： Letter of Intent (LOI) 提出 Detector “ 建設”の LOI ではなく、“ Technical Design” へ進むための LOI ～２０１０年頃： Detector Technical Design Phase-I  中間報告書 ～２０１２年頃：

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Presentation Transcript

  1. ILD VTX Engineering ２００８年１２月１日 杉本康博

  2. Detector for ILC • ２００８年９月： • GLDとLDCを統一したILDのパラメータ決定 • ２００９年３月末： • Letter of Intent (LOI) 提出 • Detector “建設”のLOIではなく、“Technical Design”へ進むためのLOI • ～２０１０年頃： • Detector Technical Design Phase-I  中間報告書 • ～２０１２年頃： • Detector Technical Design Phase-II  Project Proposal

  3. ILD Detector

  4. Vertex Detector for ILD • Impact parameter resolutionの目標： • 第１項を達成するため • 小さなピクセルサイズ • 第２項を達成するため • 低物質量(<0.1%X0/layer) • 内径を小さくBeam background増加 • センサーのテクノロジー • ILC測定器用に１０種類もの異なるテクノロジーが提案されている • ILDではFPCCD,ISIS,CMOS,DEPFETなど • いずれもピクセルサイズを極端に小さくするか(FPCCD)、高速読出し(<20ms)によってpixel occupancyを低く(<1%)抑えている

  5. ILD VTXの２つのオプション

  6. 日本グループの活動 • KEK,JAXA,東北大学 • Fine Pixel CCD (FPCCD)センサーとその読出しASICの開発 • Doublet構造の提唱 • 現在はリソースが限られているためセンサーと読出しASICの開発のみ • Doublet構造に基づいたメカニカルな設計を行う必要がある

  7. 3-doublet 構造 CCD: 50+30 mm Si ASIC: 100+30 mm Si

  8. 消費電力 100 W 200 W

  9. ラダーのアイデア • 物質量の目標値 • 0.1%X0/layer = 0.2%X0/ladder • 構造の１つのアイデア • 50mmSi + 2mm RVC/SiC-foam +50mmSi　　　サンドイッチ構造 RVC: Reticulated Vitreous Carbon 網目ガラス状カーボン

  10. 検討項目 • ラダーの設計 • センサーの薄型化とラダーへの貼付け方法 • 隣接する（f方向）センサーとのオーバーラップ • 強度計算 • 支持方法 • 全体設計 • クライオスタット構造 • 冷却方法（CCDの場合、クライオスタット内部で100W発熱を-60度に維持） • ケーブルの取り出し、クロックドライバー（数１００W発熱）の配置と冷却 • アラインメント 徹底した低物質量化が 求められる

  11. 今後の予定 • LOIまでにもっともらしい設計をおこなう • ２０１２年までに実寸大プロトタイプを製作して、冷却、アラインメント、変形等が問題ないことを実証する

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