1 / 8

Polovodiče

9. ročník. Polovodiče. Polovodiče typu P a N. Polovodiče. nejpoužívanějšími polovodičovými materiály křemík (Si) arsenid galitý - GaAs selenid kademnatý - CdSe sulfid kademnatý – CdS Víme, že vodivost polovodičů závisí na teplotě a osvětlení .

bjorn
Download Presentation

Polovodiče

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. 9. ročník Polovodiče Polovodiče typu P a N

  2. Polovodiče • nejpoužívanějšími polovodičovými materiály • křemík (Si) • arsenid galitý - GaAs • selenid kademnatý - CdSe • sulfid kademnatý – CdS • Víme, že vodivost polovodičů závisí na teplotě a osvětlení. • Kromě toho závisí i na čistotě látky. 9. ročník

  3. Vodivost křemíku + - Si Si Si Si Si Si Si Si Si • křemík má 4 valenční elektrony • všechny vázány se sousedními atomy • způsobena usměrněným tokem elektronů v elektrickém poli • jako u kovů • platí obecně pro čisté polovodiče 9. ročník

  4. Vodivost křemíku • k odtržení elektronu z vazby je potřebná velká energie • při normální teplotě malá energie k rozštěpení velkého množství vazeb • málo volných elektronů • => malá elektrická vodivost • => tedy velký R 9. ročník

  5. Polovodič typu N • N – negativní • dopováním křemíku prvky s větším počtem valenčních elektronů • typicky prvky V. A skupiny PSP • o jeden valenční elektron více než atom Si • volný (navíc) elektron vázán slabě • => při normální teplotě téměř všechny volně pohyblivé • za normální teploty mnohem vyšší elektrická vodivost než čistý Si 9. ročník

  6. Polovodič typu P • P – pozitivní • dopováním křemíku prvky s menším počtem valenčních elektronů • typicky prvky III. A skupiny PSP (např. In) • o jeden valenční elektron méně než atom Si • ve vazbě Si-In je díra, do které se může snadno přesunout valenční elektron Si • => pohyb děr k zápornému elektrickému pólu • za normální teploty mnohem vyšší elektrická vodivost než čistý Si 9. ročník

  7. Zápis • Polovodič typu N je negativní. • Vzniká např. dopováním křemíku atomy prvků V. A skupiny PSP, čímž se významně zvýší počet volných elektronů. • Elektrický proud je způsoben usměrněným pohybem částic se záporným elektrickým nábojem (e-) v elektrickém poli. 9. ročník

  8. Zápis • Polovodič typu P je pozitivní. • Vzniká např. dopováním křemíku atomy prvků III. A skupiny PSP, čímž vzniknou v polovodiči díry s kladným elektrickým nábojem stejné velikosti, jako mají elektrony. • Díry mohou být zaplněny volnými elektrony a na původních místech elektronů vzniknou nové díry. • Díry se v elektrickém poli pohybují opačným směrem než elektrony , tedy k zápornému elektrickému pólu. • Elektrický proud je způsoben usměrněným pohybem částic s kladným elektrickým nábojem (děr) v elektrickém poli. 9. ročník

More Related