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Eletrônica Analógica

Eletrônica Analógica. Prof. Arnaldo I. T. Consultant I. I. A. Consultant. Junções Semi Condutoras DIODOS. Diodo Semicondutor de Sinais E. E. Representação Gráfica. Simbologia Eletrônica. Diodo Retificador para Baixos Sinais. D I O D O S Simbologia Eletrônica - EIA.

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E N D

Presentation Transcript

  1. EletrônicaAnalógica Prof. ArnaldoI. T. ConsultantI. I. A. Consultant

  2. Junções Semi Condutoras DIODOS

  3. Diodo Semicondutor de Sinais E. E. Representação Gráfica Simbologia Eletrônica Diodo Retificador para Baixos Sinais

  4. D I O D O S Simbologia Eletrônica - EIA

  5. Diodos Retificadores, Zener, Schottky,... –Encapsulamentos Op.

  6. DiodossãoComponentes EletrônicosFormatadospelas Junções Físico-Químicasde Materiais Semicondutores Diferentemente Dopados& que possuem Vários Tipos de Funções Técnicas Operacionais em Pontos Específicos dos Circuitos Eletroeletrônicos aonde Serão Inseridos, conformeseus Detalhes Construtivos de Fabricação; Diodo -- Esquema Representativo Básico

  7. Ao se promoverem Processos de Dopagens nas Junções Cristalinas Semicondutoras, manifesta-se uma Difusão (Espalhamento) de Elétrons dos Cristais N ao P, o que provoca o Aparecimento de Cargas Fixas nos 2 Lados da Junção, criando-se uma Região Intermediária com Ausência de Cargas conhecida por Barreira Interna de Potencial ou mesmo Zona de Depleção, sendo que à medida que a Difusãoprogride, a Largura Física da Zona de Depleção vai Aumentando em Ambos os Lados da Junção, mesmo assim sua Área Total é Diminuta ; ≈ 1 µm

  8. O Acúmulo de Íons nos Lados P & N de uma Junção durante o Processo de Difusãooriginará um Campo Elétrico que irá atuar sobre os Elétrons Livres do Diodo & estes Íons são Polarizados Invertidamente em cada Região Semicondutora Dopadaem função de Impurezas N serem Pentavalentes & também pelo pelo fato das Impurezas P serem Trivalentes; Quando os 2 Lados da Junção passarem a ceder suas Cargas Elétricas durante os Processos de Dopagem provocarãoExcessos de Cargas Invertidas em Ambosos Lados da Junção PNrecém constituída; Este Campo Elétrico irá atuar como D. D. P. Inversa entre as Regiões P & Ndevendo ser atingida para o DiodoconduzirCorrente Elétrica, sendo que para Junções Si a V∂ = 0,7 V & V∂ = 0,3 V para Junções Ge;

  9. DIODOS Polarizações Operacionais

  10. Junção I I Camada de Depleção

  11. Para que umDiodosejaPolarizado Diretamente,deve-se conectar o Pólo PositivodaFonte D. D. P.aoAnodo(Zona P)doDiodo& o Pólo Negativoda mesmaBateriaaoCatodo(Zona N) doDiodo ; Nestas Condições Operacionais pode-se observar que : O Pólo Negativo da Bateriarepele os Elétrons Livres do Cristal N, de maneira que estes Elétrons se dirigem à Junção P-N; O Pólo Positivo da Bateria atrai Elétrons de Valência do Cristal P, equivalente a “enviar” as Lacunasdo Cristal P para a Junção P-N; Quando a D. D. P. entre os Pólos da Bateria torna-se Maior que a D. D. P. na Zona de Depleção, os Elétron Livres do Cristal N, adquiremEnergia suficiente para se deslocarem até as Lacunas do Cristal P, já devidamente posicionadas na Junção P-N; Desse modo, a Bateriadiminui a Barreira de Potencial da própria Zona de Depleção (cedendoElétrons Livres à Zona N & também atraindoElétrons de Valência da Zona P), permitindo, então, a Condução de Corrente Elétrica através da Junção P-N; DiodosPolarizados DiretamenteCONDUZEMEletricidade;

  12. Para que umDiodosejaPolarizado Reversamente,conecta-se o Pólo PositivodaFonte D. D. P.aoCatodo(Zona N)doDiodo& o Pólo Negativoda mesmaBateriaaoAnodo(Zona P)doDiodo ; Ocorrerá Aumento da D. D. P. na Zona de Depleçãoprovocando a sua Expansão até que se atinja a MesmaD. D. P. da Bateria; O Pólo Positivo da BateriaatraiElétrons Livres que sairão do Cristal N & serão injetados no Condutor até chegarem à Bateria; O Pólo Negativo da BateriacederáElétrons Livres aos Átomos Trivalentes da Zona P & estes Elétronssuprem as Cargas das Lacunas dos Átomos TrivalentesvisandoEstabilidade Op.; Assim, nesta Situação Op., o DiodoNÃO DEVERIA CONDUZIR Corrente Elétrica, mas devido as Alterações da Temperatura formam-seParesElétrons-Lacunas nos 2 Lados da Junção P-N produzindoCorrentes Elétricas Diminutas (da ordem de 1μA) & que são denominadasCorrentes Inversas de Saturação Op.; Além disso, aparecerão também Valores Diminutos de Corrente Elétricaconhecidos como Correntes Superficiais de Fuga Op. nas Superfícies Físicas Externas do Diodo;

  13. DIODOS CURVAS Operacionais

  14. Diodos -- Curva Op. Característica Depende das Formas de Onda & Níveis de Dissipação Térmica Tensão Reversa de Avalanche ( Breakdown ) Tensão Disparo de Condução ( VShoot, VT ou Vγ )

  15. Curvas Op. Características–Diodos Ge&Si V∂ Ge V∂ Si

  16. V∂ Si D I O D O S Efeitos Op. das Variações de Temperatura na Condução E. E.

  17. DIODOS TESTES Operacionais

  18. BOM R(Ω) FUGA Testes Básicos

  19. Ponta de Prova Preta no Catodo Ponta de Prova Vermelha no Anodo Leitura: Entre 0.500 & 0.700 V Diodo em Perfeito Estado Op.

  20. • Leitura = 0.000 Diodo em Curto • Leitura = OL Pontas de Prova 2 Posições Op.  Diodo Aberto Invertendo-se Pontas de Prova numDiodo Bom Leitura OL (Overload)

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