110 likes | 248 Views
Results of CI experiment @ MIT. 2005/2/25 XIS meeting @ Osaka. Injection Pattern for use on Orbit. ref. DE 仕様に対応した μ-code Test 電荷は IA ・ FS 両方の損失を受ける Ref. 電荷は損失を一切受けない。. ignore. ref. ignore. test. test. Proton Damaged Chip. affected region. ※≠-90degC.
E N D
Results of CI experiment @ MIT 2005/2/25 XIS meeting @ Osaka
Injection Pattern for use on Orbit ref. • DE仕様に対応したμ-code • Test 電荷はIA・FS両方の損失を受ける • Ref. 電荷は損失を一切受けない。 ignore ref. ignore test test
Proton Damaged Chip affected region ※≠-90degC • 照射したプロトン:エネルギー~40MeV真鍮コリメータで中心(400,700)半径320pix.総量2.00×109 prtns/cm2 • ~2-3年分のBGDに相当 Red:Active segD Green:HOC segD Blue:Active segBL.Blue:HOC segB
Comparison between CI and 55Fe ※55Feはgrade0のみ CI:800frames55Fe: ~2800events/column (4000frames)IA上・下端50rowsずつをtest・ref.として抽出⇒ref.イベントでもFS領域での損失は受ける
Correlation between CI and 55Fe ※55Feはgrade0のみ 傾き:1.05±0.01 切片:-0.045±0.008(90%error) • 有意な相関あり • FMチップ(parallel CTI: 1.3-2.3×10-6)で見えていたのはseg.Dよりさらに1に近い部分のみ Black:seg.A Red:seg.B Green:seg.C Blue:seg.D
Stability of the amount of charge 傾き:0.97±<0.01 切片:0.025±0.002 傾き:0.92±0.01 切片:0.079±0.010 CIイベント同士の比較(異なる日・同じ電圧) 55Feイベント同士の比較(異なる日) CI電荷のtest/ref比は~0.2%変化しうる
これからやるべきこと MIT実験の解析状況まとめ • DE仕様のμ-codeでプロトンダメージを与えたチップで実験 • CIのCTIと55FeのCTIとが有意に相関している。 • CI電荷量の安定性は~0.2% • ソフトウェアの開発 • CTIのエネルギー依存性調査 • 電荷漏れ補正した後でどれだけ残るか(トラップの時間スケールはintrinsic CTIと一緒?) • Fitting法を試す数年分のダメージが与えられてもFitting法は有効か?
FI chips calibration 2005/2/25 XIS meeting @ Osaka
Normal vs. P-sum (Gain,ΔE) 55Fe G02346FMS1-segA FMS1-segAのエネルギー分解能 Normal P-sum 55Fe:130.7⇒127.3eV Se: 203.9⇒179.4eV • ゲインの違いは~0.2% • ΔEが有意に小さい(1号機でも同様だった。しかし原因は不明だった)。 Black:P-sum mode Green:Normal mode Se G02346FMS1-segA
Response (Normal) Al (FMS3segA-Dはゲインを合わせて足している) Al (FMS3) 三角成分のエネルギー幅が未だあっていない 55Fe (FMS3) 55Fe (FMS3) Kα・Kβのエネルギー幅が未だあっていない
Response (Normal) Zn (FMS3) Zn (FMS3) • Trail Correctionはまだ掛けていません。 • Kα,Kβピーク間、三角成分に残差が目立つ