110 likes | 302 Views
Caracteristica intensitatii Ic=f(Ib) a unui tranzistor in conexiunea cu emitorul comun. Autor: Fiz. Ligor Octavian. Tranzistor bipolar. simularea in LabView a caracteristicii Ic=f(Ib), a unui tranzistor bipolar, in conexiunea cu emitorul comun;
E N D
Caracteristica intensitatii Ic=f(Ib) a unui tranzistor in conexiunea cu emitorul comun Autor: Fiz. Ligor Octavian
Tranzistor bipolar • simularea in LabView a caracteristicii Ic=f(Ib), a unui tranzistor bipolar, in conexiunea cu emitorul comun; • obtinerea caracteristicii Ic=f(Ib), prin inregistrarea intensitatilor Ib si Ic, cu ajutorul placii de achizitie N.I.6013; • obtinerea din caracteristica Ic=f(Ib) a factorului beta al tranzitorului si al curentului rezidual Iceo prin metoda celor mai mici patrate; • calculul altor parametri ai tranzistorului.
Ecuatiile tranzistorului bipolar in conexiunea cu emitorul comun, folosite pentru simulare
Parametrii simularii Parametrii de intrare: E, Ube, Rb si β Parametrii de iesire: Ic si Ib
Panoul frontal Simulare: Tranzistorul in conexiunea cu emitorul comun
Panoul frontal pentru inregistrarea datelor cu ajutorul placii de achizitie de date pentru caracteristica Ic=f(Ib) pentru tranzistorul in conexiunea cu emitorul comun
Determinarea coeficientului Beta prin metoda celor mai mici patrate (regresie liniara) panta graficului Intersectia graficului cu axa OY
Determinarea altor parametri ai tranzisorului bipolar - factorul de amplificare in curent, intre emitor si colector, in conexiunea tranzistorului cu baza comuna: - curentul de rezidual al tranzistorului, in conexiunea cu baza comuna:
E-mail: oligor@k.ro octavianl@imt.ro