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PSI 2223 – Introdução à Eletrônica Programação para a Terceira Prova. 21ª Aula: O MOSFET como Amplificador. Ao final desta aula você deverá estar apto a: Explicar a utilização do MOSFET como amplificador quando opera na região de saturação
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PSI 2223 – Introdução à Eletrônica Programação para a Terceira Prova
21ª Aula: O MOSFET como Amplificador • Ao final desta aula você deverá estar apto a: • Explicar a utilização do MOSFET como amplificador quando opera na região de saturação • Empregar o Modelo para pequenos sinais para calcular o ganho de tensão em amplificadores como MOSFET
Características de Corrente-Tensão do NMOSFET Tipo Enriquecimento
NMOSFET Equações de ID=f(VGS, VDS) de 1a Ordem • Região Triodo: 0< vDS vGS-Vt Linear ( se vDS<< vGS-Vt ) Parabólica • Região de Saturação: 0< vGS-Vt vDS (Parâmetro de Transcondu- tância do processo [A/V2]) onde • Região de Corte: vGS Vt ou vGS-Vt 0 iD=0
Região de Saturação VDS > VGS− Vt Limiar entre triodo e saturação:vDS = vGS - Vt MOS saturado! NMOS
Exemplo 4.4Como operar em saturação? Fazer VDS ≥ VGS− Vt ou VGS ≤ VDS + Vt [ vGS vDS +Vt ]
Operando na Região de Saturação carga passiva [ vGS vDS +Vt ]
Operando na Região de Saturação carga passiva vi [ vGS vDS +Vt ] vo
Operando na Região de Saturação vO vI vO
O MOSFET como Amplificador • Como amplificador o MOSFET é utilizado na região de saturação carga passiva • Será que podemos analisar esse comportamento matematicamente na região de saturação? [ VGS VDS -Vt ]
Região de Saturação: Modelo para grandes sinais Modelo de circuito equivalente para grandes sinais de um NMOSFET operando em saturaçãoincorporando r0
O MOSFET como Amplificador • Como amplificador o MOSFET é utilizado na região de saturação carga passiva [ VGS VDS -Vt ]
O MOSFET como Amplificador • Falamos que como amplificador o MOSFET é utilizado na região de saturação inclinação (aproximação)
Modelos Equivalentes de Circuitos Pequenos Sinais Grandes Sinais
Modelos Equivalentes de Circuitos para Pequenos Sinais Pequenos Sinais Pequenos Sinais com ro
Modelos Equivalentes de Circuitos para Pequenos Sinais Ganho de Tensão
vGS Até onde vale o Modelo Equivalente para Pequenos Sinais? (saturação) >> Pequenos Sinais!
PSI 2223 – Introdução à Eletrônica Programação para a Terceira Prova
21ª Aula – Parte II: O MOSFET como Amplificador II • Ao final desta aula você deverá estar apto a: • Empregar o Modelo para pequenos sinais para calcular o ganho de tensão em amplificadores como MOSFET • Identificar a condição em que se considera um sinal como de pequena amplitude
Operando na Região de Saturação carga passiva [ VGS VDS -Vt ]
Modelos Equivalentes de Circuitos para Pequenos Sinais Limite com o corte: limite com o corte Limite com o triodo: limite com a triodo
Pequenos Sinais! Modelos Equivalentes de Circuitos para Pequenos Sinais Outras maneiras de expressar gm
Ex. 4.10: Amplificador MOSFET fonte comum empregando um resistor de realimentação dreno-porta: Qual o ganho de tensão? Qual a resistência de entrada? Qual o maior sinal possível na entrada? Calcular POLARIZAÇÃO (= ID, VDS , VGS) Calcular PEQ. SINAIS (= Av, Rin, Rout) FET: Reta de Carga: VD = 15 – RDID = 15 – 10ID ID = 1,06 mA e VD(S) = VG(S) =4,4 V
O papel do resistor de realimentação RGentre dreno e porta Saturação: VDS > VGS− Vt RG garante saturação, pois VDS = VGS !!! carga passiva FET: VDS = VDD− RDID OU Reta de Carga: VDD = VGS+ RDID Se ID tende a aumentar, VGS diminui, forçando ID a diminuir. E vice-versa ID mais constante
Ex. 4.10: Qual o ganho de tensão? iG≈ 0
Ex. 4.10: Qual a resistência de entrada? iG≈ 0 mas não desconsideramos neste caso!!!
Ex. 4.10: Qual o maior sinal possível na entrada? Devemos manter o MOSFET na saturação: vDS ≥ vGS− Vt vDSmin = vGSmax − Vt
22ª Aula: O MOSFET como Amplificador II • Ao final desta aula você deverá estar apto a: • Identificar as configurações básicas de amplificadores MOSFET empregados em Circuitos Integrados • Explicar a necessidade de polarizar para ID constante • Determinar o ganho de tensão nas configurações fonte comum, porta comum e dreno comum