1 / 17

Introduksjon til utleggsregler

Introduksjon til utleggsregler. Enkle utleggsregler:. Inverter. Enkle MOS kapasitans modeller. Gatekapasitens:. der. der. Oppgave 2.4. En transistor med lengde 90 nm har en tykkelse på gateoksid( t ox ) lik 16Å. Hva blir gatekapasitans per mikrometer?. Løsning:. Gatekapasitans detaljer.

dudley
Download Presentation

Introduksjon til utleggsregler

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Introduksjon til utleggsregler Enkle utleggsregler: Inverter INF3400/4400 våren 2007 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler

  2. Enkle MOS kapasitans modeller Gatekapasitens: der der INF3400/4400 våren 2007 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler

  3. Oppgave 2.4 En transistor med lengde 90nm har en tykkelse på gateoksid(tox) lik 16Å. Hva blir gatekapasitans per mikrometer? Løsning: INF3400/4400 våren 2007 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler

  4. Gatekapasitans detaljer Ubiasert gatekapasitans: Operasjonsområde AV: Operasjonsområde LINEÆR: Overlappskapasitanser (statiske): Operasjonsområde METNING: Gatekapasitans: INF3400/4400 våren 2007 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler

  5. INF3400/4400 våren 2007 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler

  6. Diffusjonskapasitans detaljer Diffusjonskapasitans source: der: INF3400/4400 våren 2007 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler

  7. Oppgave 2.5 Beregn diffusjonskapasitans Cdbfor en transistor med en (minimum) kontakt på drain i en 0.6μm prosess når drainspenningen er 0V og VDD = 5V . Anta at substratet er jordet. Parameterverdier er CJ = 0.42fF/μm2, MJ= 0.44, CJSW= 0.33fF/μm, MJSW = 0.12 og Ψ0 = 0.98V ved romtemperatur. Løsning: INF3400/4400 våren 2007 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler

  8. ENKLE RC modeller Motstand i transistor: INF3400/4400 våren 2007 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler

  9. INF3400/4400 våren 2007 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler

  10. Transmisjonsport: INF3400/4400 våren 2007 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler

  11. RC forsinkelsesmodeller INF3400/4400 våren 2007 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler

  12. Eksempel NAND3: Seriekobling av transistorer: Parallellkobling av transistorer: INF3400/4400 våren 2007 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler

  13. Transisjon fra 0 til 1: Transisjon fra 1 til 0: INF3400/4400 våren 2007 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler

  14. RC modell INF3400/4400 våren 2007 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler

  15. Oppgave C Tegn transistorsjematikk for en toinngangs NOR port med transistor bredder slik at effektiv motstand i nedtrekket blir lik en enhetsinverter. Beregn stige og fall forsinkelse når porten skal drive h identiske NOR porter ved å bruke enkle RC modeller. Løsning: INF3400/4400 våren 2007 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler

  16. Hastighetsmetning Hastigheten til ladningsbærere: AV LINEÆR der: Metning Transistormodeller: AV Metningsspenning LINEÆR Metning INF3400/4400 våren 2007 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler

  17. INF3400/4400 våren 2007 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler

More Related