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Lecture 2. Model Build-up 2

Lecture 2. Model Build-up 2. Outline of today’s lecture Re-organize the lab… (pairing) Review some articles… Overlay/Superimpose two silica… Import more crystals using Materials Studio… Search ICSD if necessary… Learn about coordinates… Build CNT using Materials Studio…

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Lecture 2. Model Build-up 2

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Presentation Transcript

  1. Lecture 2. Model Build-up 2 • Outline of today’s lecture • Re-organize the lab… (pairing) • Review some articles… • Overlay/Superimpose two silica… • Import more crystals using Materials Studio… • Search ICSD if necessary… • Learn about coordinates… • Build CNT using Materials Studio… • Learn about surfaces… • Make some surfaces… • Move to Room #310 & Do It Yourself!

  2. Lab Pairing Plan (still tentative) • Client PC’s in MMMSE Rm 310 (1-6: from right to left) • mmmse-cl-1: Kim,KS + Kim,TS • mmmse-cl-2: Cho,JY + Yoo,SK • mmmse-cl-3: Lee,JM + Jung,SJ • mmmse-cl-4: Sung,DJ + Lee,CB • mmmse-cl-5: Kim,MS + Nam,SH • mmmse-cl-6: Choi,HJ • mmmse-cl-*: Yoo,HN + Nam,SY

  3. Lab/Project: E-mail responses so far. 1 • 임의로 정해주셨던 Al2O3, C60, HfO2등등은 저의 연구와 너무 잘 들어맞는내용… • 관심분야는 Si Quantum wire입니다. SiO2나 Si쪽의 예를 들어주시면 감사… • 제가 하고 있는 연구는 ReRAM (Resistance chagne Random Access Memory)… Pt/Nb:STO(Perovskyte) 계면에서Schottky barrier의 변화에 의해 On과Offstate를 만든다는 Modeling에 대해 연구하고 있습니다. • 관심있는 분야는 Silicon과 HfO2와 같은 고유전율의 절연막이 접촉했을 때 발생하는 interfacial defect나 charge trap 등의 reliability 분야와, poly gate가 아닌 금속전극을 사용하면서 고유전율 절연막과의 계면에서 발생하는 oxygen vacancy와 이를 제거할 수 있는 annealing 방법 등을 연구하는 metal gate 분야입니다… MOSCAP 구조의 형태로 Si – HfO2– metal gate (TaN, Ru…)접촉 시 발생하는 분자간 interaction이나 그로 인해 발생하는 defect등에 대해 다뤄주시면 감사… • 저는1D Mg2Ni alloy를 template를 방법을 이용해 50 nm수준의 rod, tube를 만들어 수소저장체로서 성능향상을 관찰할 계획입니다. CNT에 대한 접근도 괜찮을 것 같습니다. 수소저장물질의지지체로 활용하는 쪽도 시도하는 중이기 때문입니다.

  4. Lab/Project: E-mail responses so far. 2

  5. Polar template Substrate Polar template Polar template Substrate Substrate 제가 관심있는 분야는 서로 다른 Miller Index를 가지는 GaN룰 성장시켜 그에 따른 특성변화를 관찰하는 것입니다. GaN이 가지는 많은 Miller Index중에서 크게 위의 그림과 같이 세가지로 분류할 수 있습니다. Miller Index가 변화하면 그 안의 Ga atom 과 N atom 간의 배열이 변화하게 되는데 어떤 면으로 성장 시켰을때 application을 위하여 가장 안정하고 고효율을 가질 수 있는지 Modeling을 통하여 공부해보고 싶습니다.

  6. Import Crystals / Search Databases • Metal Si (diamond), Pt/Au/Ni (fcc), Ru (hcp) • Metal alloy Mg2Ni (and Pt3M) • Oxide SiO2, HfO2, Al2O3, ZnO • Perovskite SrTiO3 • Nitride GaN, TaN (and SiN) • CNT & C60 • Organic: Polymer or Self-assembled monolayer [thiol, …] • & their surfaces, interfaces, composites, defects, rods, tubes, …

  7. Silica (SiO2) Overlay/Superimpose

  8. Materials Studio Q&A • Polyhedron representation? • Yes. (e.g.) BaTiO3, LaMnO3, SrMnO3 • Octahedral/tetrahedral • interstitial site representation? • It seems No.

  9. Miller Index (Uniquely identifies planes or surfaces) Practive with a simple cubic crystal (100) Step 1 : Identify the intercepts on the x- , y- and z- axes. Intercepts: a,, Step 2 : Specify the intercepts in fractional coordinates. Fractional intercepts:1,, Step 3 : Take the reciprocals of the fractional intercepts. Reciprocals: 1,0,0 Coordinates are converted to fractional coordinates by dividing by the respective cell-dimension. (Example) A point (x,y,z) in a unit cell of dimensions a x b x c  has fractional coordinates of (x/a, y/b, z/c).

  10. (110) (111) (211)

  11. fcc unit cell (100) face fcc unit cell (110) face fcc unit cell (111) face

  12. bcc unit cell (100) face bcc unit cell (110) face hcp unit cell (0001) face

  13. High Miller Index surfaces: most likely terraces + steps fcc(775)

  14. fcc unit cell (100) face fcc unit cell (111) face hcp unit cell (0001) face H(4-fold) Fcc H(3-fold) Hcp H(3-fold) O(1-fold) B(2-fold) O(1-fold) B(2-fold)

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