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Resist Meeting Saclay 15/11/07 E. Delagnes + S. Turnbull

Resist Meeting Saclay 15/11/07 E. Delagnes + S. Turnbull. Protection par Silicium amorphe. Gaz. C D. ~20µm Protective Layer. C L. C c. C R. Eps R = 10 Resistivity ~ 10 10 Ohm.cm. sur une tranche de 50µm x 50µm: la resistance verticale est de l’ordre de 1 GOhm.

edmund
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Resist Meeting Saclay 15/11/07 E. Delagnes + S. Turnbull

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Presentation Transcript

  1. Resist MeetingSaclay 15/11/07E. Delagnes + S. Turnbull

  2. Protection par Silicium amorphe Gaz CD ~20µm Protective Layer CL Cc CR Eps R = 10 Resistivity ~ 1010 Ohm.cm sur une tranche de 50µm x 50µm: la resistance verticale est de l’ordre de 1 GOhm. la capa verticale est de 50 fF => 50 µs time constant à comparer avec le shaping de Medipix (<100ns) => le signal est couplé capacitivement à l’électronique!!! => La résistance sert essentiellement à polariser (et protéger) le détecteur

  3. Modèle électrique du pauvre avec Cadence • Pour une tranche correspondante à un pad, le volume de Si amorphe est divisé en • 10x10 carrés (cubes) de schéma équivalent: • Les R et C sont totalement paramétrables (épaisseur, résistivité, Eps). • Conditions aux limites => géométrie des zones interpads de Medipix. • Modèle simplifié du préampli de Medipix • Pas de modélisation électrostatique => C est identique pour toutes les mailles.

  4. Medipix PAD i Medipix PAD i+1 Medipix PAD i-1 Modèle électrique: « ligne » de 16 pads Injection Position (PAD/10 steps)

  5. Réponse temporelle simulée Pad sur lequel le signal est injecté Pad voisin Undershoot invisible

  6. Pad response fonction 1 pad = 10 units

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