1 / 27

HF SSB PA-trin

Agenda. Kort Pr

emily
Download Presentation

HF SSB PA-trin

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


    1. HF SSB PA-trin ved OZ2ACV – Jens

    3. Thrane & Thrane og SP Radio

    4. Thrane & Thrane Ålborg HF SSB, 150W til 500W VHF og UHF

    5. Thrane & Thrane er også

    6. PA trin overordnet Tre forstærker trin 5 mW ind, 250W ud 47 dB power gain Lavpas filtre, Diplexer til afsluttelse af 3. harmonisk -43dB harm. dæmpning SWR beskyttelse ALC power kontrol Vcc = 24 V (21.6 – 31.2 V) Ipa = 20A Push-pull udgang og driver

    7. PA Blokdiagram

    8. Klasse A forstærker

    9. Klasse AB forstærker Klasse AB Klasse AB

    10. Gain Fordeling

    11. Måling på et PA trin

    12. To tone test signal

    13. Undgå at presse dit PA trin

    14. Uønsket Sender Udstråling

    15. Teori om Intermodulation

    16. Bipolær, MOSFET og RØR

    17. IMD Opsummering Kunsten i SSB PA design er at opnå mindst mulig Intermodulation ved højest mulig Power. IMD opstår pga. ulinearitet Linearitet nødvendig fordi vi kører SSB IMD giver splatter på nabokanalerne IMD giver forvrænget modulation IMD ved en given Power giver et mål for PA trinnets ydeævne Snak aldrig om SSB PA power uden at nævne ved hvilken IMD

    18. Hvordan opnås høj power og god IMD Det er det vi skal snakke om resten af foredraget Tilpas valg af udgang og driver transistorer, Vælg ikke for små transistorer til opgaven Vælg en passende Vcc afhængig af ønsket power Transistor tilbagekobling IMD fra bagved liggende trin skal være bedre end IMD for efterfølgende trin Bias spænding under kontrol, evt softbias. Softbias og bånd afhængig bias Lav tab i trafo og lavpasfiltre Ingen form for selvsving God termisk køling

    19. Power og IMD forbedringer

    20. Trafoerne – hvorfor sidder de der Effekt tilpasning på udgang, 50 ohm til Rcc Impedanstilpasning på indgang, 50 ohm til Zbb Interstage match i fler-trins PA Husk at frekvenskompensere trafoen

    21. Trafo frekvensgang

    22. Udgangs trafoer – Effekt og Z tilpasning

    23. Kernematriale til Bredbåndstrafoer Ferrit anvendes. Kernematriale skal ”forsvinde” ved stigende frekvens. Kobling mellem primær og sekunder ved høje frekvenser sker uden hjælp fra ferritten. Max flux må ikke overskrides, medfører mætning. Curie temperatur må ikke overskrides (210 grader Permax 54).

    24. Beregninger på kernematriale

    25. Udgangs filtre Undertrykker harmonisk udstråling Justres i produktionen Diplexer til afsluttelse af 3. Harm kan forbedre PA performance. Lige harmoniske dvs. 2, 4, 6 osv er udbalanceret i udgangs trafoen. Undertrykker ikke dårligdomme som IMD, selvsving og spurious.

    26. Lavpas filtre

    27. Valg af Toroider og kondensatorer Hav styr på tab og max kerne flux. Hav styr på Kerne temp. Brug et simulerings program til at beregne max spænding og strøm i kondensatorer. MICA kondensator er bedst men dyrest. Lavpris KCK benyttes i stor udstrækning i amatør og professionelt udstyr

    28. Valg af Udgangs transistorer MOSFET eller BJT, matched pair. 12V, 24V eller 48V. Måske endda 100V MOSFET! . Udvalget er ikke ret stort. Kun nyudvikling indenfor MOSFET. Frekvenser højere end 6m, overvej MOSFET. Vælg høj spænding, til high power PA. Efter hånden er der ved at komme lavpris MOSFET. Ellers indtil nu langt det billigste at vælge Bipolær. Termisk modstand, junction til case så lav som muligt. Stabilitet – ikke så let med MOSFET som med BJT.

    29. MOSFET versus BJT MOSFET Kan gå højere op i frekvens Højere orden IMD meget bedre Temp. sporing ikke så kritisk ”Simpel” Bias Høj 2. Harmonisk Størrer tendens til selvsving BJT Lav pris: Watt/kr. Termisk runaway skal forhindres Lav 2. harmnisk Lille tendens til selvsving IMD stiger ved lav power Anbefales til amatør byggeprojekter

    30. Bias Kredsløb BJT Forsyner biasstrøm til driver og PA. Vbias = 0.7 V. Indstilling af Bias potmeter vigtig for IMD performance. Sproring kredsløb i termisk kontakt med PA transistorer. Sikre tilfredstillende IMD over fra –15 grader til + 55 grader. Sikre tilfredstillende IMD ved kontinuert TX i 15 minutter Forhindre termisk runaway. Dvs. skrue ned for Bias stigende temperatur Over et bredt frekvens område kan man med fordel ændre bias

    31. Bias MOSFET

    32. Beskyttelses kredsløb Max Temperatur SWR beskyttelse Max udgangseffket Max strøm i PA transistorer Max spænding over PA transistorer

    33. PA Køling

    34. Enkelt trins PA trin Overkommelig byggeprojekt Low cost udgangs transistorer i små PA Kun et trin 5W ind 30 W ud Godt trin at Starte med

    35. Spørgsmål og tak for iaften

More Related