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Caracterizações estrutural e magnética de filmes finos de FeGa/ZnSe/GaAs(001). Bolsista: Ronei Cardoso de Oliveira PIBIC/UFPR-TN Orientador: José Varalda.
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Caracterizações estrutural e magnética de filmes finos de FeGa/ZnSe/GaAs(001). Bolsista: Ronei Cardoso de OliveiraPIBIC/UFPR-TNOrientador: José Varalda As ligas de FeGa massivas apresentam magnetostricção, fenômeno que está associado ao ordenamento dos átomos de Ga, distorção tetragonal da estrutura cristalina, alto grau de textura (preferencialmente [001]) e constantes elásticas fortemente dependentes da quantidade de Ga na liga. No trabalho desenvolvido aqui, estudamos o efeito da temperatura do substrato e recozimentos nas propriedades dos filmes de FeGa para duas proporções constantes de Fe e Ga. As medidas de difração de raios X permitiram determinar os parâmetros de rede das amostras de FeGa, que na direção [001] são entre 1.7 % e 3.8 % maiores que o do ferro puro (a = 0.286 nm). Foi observado que o tratamento térmico relaxa a estrutura do FeGa. As propriedades magnéticas foram estudadas por medidas de magnetização em função do campo magnético em 300 K e 10 K. A partir dos ciclos de histerese foram obtidas as constantes anisotrópicas K para amostras com 14% e 29% de Ga. Com 14% de Ga, foi encontrado um K 7% maior do que o do Fe puro (4,5 ×104 J/m³), enquanto que para 29% os filmes são isotrópicos. • Epitaxia por feixes moleculares – amostras com a espessura nominal de 36 nm. • Difração de raios X. • Medidas de magnetização em função do campo magnético em 300 K e 10 K. Em conclusão, as variações dos parâmetros de rede em função da dopagem, temperatura de crescimento e de recozimento, bem como as características de anisotropias magnéticas observadas indicam que as amostras de FeGa possuem as características de um material magnetostrictivo mesmo quando crescidas na forma de filmes finos. • M. Eddrief, Y. Zheng, S. Hidki, B. Rache Salles, J. Milano, V. H. Etgens, and M. Marangolo, Phys. Rev. B 84, 161410(R) (2011) • S. Rafique, J. R. Cullen, M. Wuttig, J Cui, J. Appl. Phys. 95, 6939 (2004).