Détermination des conditions d’epitaxie

1. Détermination des conditions d’epitaxie Couche mince de MnAs/GaAs produite par Epitaxie par Jets Moléculaires et observée par Microscopie Electronique à Balayage.

2. Motivations de MnAs/GaAs MMnAs GaAs

3. Construction de la maille de GaAs Multiplicité de la maille cubique ? Réseau de Bravais ? Motif ? Réseau réciproque? Orientation de la maille par rapport à l’image MEB ?

4. Construction de la maille de GaAs

5. Réseau réciproque de GaAs

6. Réseau réciproque de GaAs h,k et l ont la même parité.

7. Construction de la maille de GaAs Multiplicité de la maille cubique ? 4 Réseau de Bravais ? cFCubique à faces centrées Motif ? Ga (0,0,0) et As (¼, ¼, ¼) Réseau réciproque? Cubique centrè de paramètre : 2/a Orientation de la maille par rapport à l’image MEB ?

8. GaAs : Réseau direct et réseau réciproque

9. Orientation par rapport au MEB

10. Orientation par rapport au MEB

11. GaAs : plan (1, 1, 1) d111 = 1/ d*111 = a/√(1+1+1) = 5,65/ √3 = 3,26 Å

12. Plan (1,1,1) : surface du substrat de GaAs

13. GaAs : plan (4, -2, -2) d4,-2-2 = 1/ d*4,-2-2 = a/√(16+4+4) = 5,65/ √24 = 1,15 Å

14. GaAs : plan (2,0,0) d2,0,0 = 1/ d*2,0,0 = a/√(4) = 5,65/ √4 = 2,83 Å

15. GaAs : plan (-1, 3, 3) d-1,3,3 = 1/ d*1,3,3 = a/√(19) = 5,65/ √19 = 1,30 Å

16. Image du réseau réciproque par diffraction d’électrons Cliché de diffraction = contributions de GaAs + MnAs car epitaxié

17. MnAs : On remarque la symétrie hexagonale.

18. MnAs : réseau direct et réciproque

19. MnAs : réseau direct et réciproque

20. Orientation rélative MnAs GaAs 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 + 0 0 0 0 0 0 MnAs RR à trouver

21. Orientation rélative MnAs GaAs

22. Orientation rélative MnAs GaAs 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 + 0 0 0 0 0 0 0 0

23. Conditions d’épitaxie (-1-1-1)GaAs// (001)MnAs [0-11]GaAs // [100] MnAs

24. -112 GaAs // 120 MnAs