1 / 10

U DS

U GS. U GS. U GS. I D = I DSS 1. g m = 2KU P 1. I D = I DSS 1. U GS. 2. 2. I D = KU P 2 1. g m = 1. g m = 1. 2. 2 I DSS. 2 I DSS. U GS. U GS. U P. U P. U P. U P. Přehled základních vztahů pro výpočty.

kirk-walsh
Download Presentation

U DS

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. UGS UGS UGS ID = IDSS 1 gm = 2KUP 1 ID = IDSS 1 UGS 2 2 ID = KUP2 1 gm = 1 gm = 1 2 2 IDSS 2 IDSS UGS UGS UP UP UP UP Přehled základních vztahů pro výpočty UP UP UP UP JFET s kanálem typu n ID D IDSS ID UDS G ID UGS S UGS 0 UP MOSFET s trvalým kanálem typu n ID D ID UDS G IDSS ID UGS UGS S 0 UP MOSFET s indukovaným kanálem typu n D ID ID = K(UGS - UP)2 ID UDS G ID gm = 2K(UGS - UP) UGS S UGS 0 UP

  2. + UDD + UDD + UDD + UDD RD ID RD + UDD ID RD RD ID ID RG1 RG1 RG1 RD ID UDS RG1 UDS UDS UDS UGS UGS UGS UDS UGS RG RG2 U2 RG2 ID ID RG2 RS RS RS ID RS UGS ID U2 RG2 U2 ID U2 + UDD + UDD RD ID RD ID RG1 UDS UDS UGS UGS RG RG2 ID ID RS U2

  3. ID ID ID ID ID ID ID ID ID ID ID ID IDSS IDSS IDSS IDSS IDSS IDSS UGS UGS UGS UGS UGS UGS UP UP UP UP UP UP UDS UDS UDS UDS UDS UDS + UDD + UDD RD RD ID ID UDS UDS UGS UGS RG RG ID ID RS RS

  4. + UDD RD ID UDS RZ UGS u2 u1 CS RG ID RS ID ID G D IDSS gmuGS u2 gd u1 RD RZ RG uGS S UGS UP UDS

  5. + UDD RD ID RG1 UDS UGS RZ u2 u1 CS RG2 ID RS ID ID G D gmuGS u2 gd u1 RD RZ RG uGS S UP UGS UDS

  6. + UDD RD ID UDS UGS u2 u1 RG ID RS D G gmuGS gd uGS u1 RG RD u2 S RS G i2 D gmuGS gd uGS RG RD u2 S RS

  7. + UDD ID UDS UGS u1 RG ID u2 RS G D gmuGS gd uGS u1 RG S u2 RS G D gmuGS gd i2 uGS RG S u2 RS

  8. Tranzistor JFET z kanálem typu n je zapojen podle schématu na obr., RG = 180 k, RS = 150 k, UDD = 7 V, parametry tranzistoru IDSS = 12 mA, UP= = 4 V. a) Určete pracovní bod tranzistoru a jeho strmost v pracovním bodě. b) Určete velikost odporu RD tak, aby tranzistor pracoval v saturaci. Tranzistor JFET z kanálem typu n je zapojen jako zesilovač podle schématu na obr., parametry tranzistoru IDSS = 12 mA, UP= = 4 V, napájecí napětí UDD = 30 V. Určete velikost odporů RS , RG , RD tak, aby byly splněny tyto podmínky: tranzistorem protéká proud ID = 6 mA, vstupní odpor zesilovače Rvstup = 2 M, zesílení zesilovače Au 8. + UDD RD ID UDS UGS u2 u1 CS RG ID RS + UDD RD ID UDS UGS RG ID RS

  9. Tranzistor MOSFET je zapojen podle schématu na obr. Je dán časový průběh vstupního napětí u1. Vypočtěte hodnoty a nakreslete časové průběhy proudu iD, napětí uR a napětí uDS. Tranzistor JFET je zapojen podle schématu na obr. Je dán časový průběh vstupního napětí u1 . Vypočtěte hodnoty a nakreslete časové průběhy proudu iD, napětí uR a napětí uDS . UDD = 15 V + iD uR RD = 1 k UP = - 3 V IDS0 = 4 mA uDS u1 RD = 10 M + UDD = 12 V R = 1 k u1[V] uR uR iD 10 uDS u1 3 t Parametry tranzistoru: UP = + 5 V, K = 0,2 mA/V2 u1[V] 0 t - 5

  10. u1 0 čas iD čas 0 uR čas 0 uDS čas 0

More Related