1 / 13

Minőségbiztosítás a mikroelektronikában

Minőségbiztosítás a mikroelektronikában. A monolit technika alapanyagainak vizsgálata Mizsei János. A monolit technika: „homokból” integrált áramkör (IC). Ár/lapka 0.3$ 1$ 3$ 10$ 30$ 100$ 300$. SiO 2 – Si – tisztítás – egykristály növesztés – „szeletelés”-

laird
Download Presentation

Minőségbiztosítás a mikroelektronikában

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Minőségbiztosítás a mikroelektronikában A monolit technika alapanyagainak vizsgálata Mizsei János

  2. A monolit technika: „homokból” integrált áramkör (IC) Ár/lapka 0.3$ 1$ 3$ 10$ 30$ 100$ 300$ SiO2 – Si – tisztítás – egykristály növesztés – „szeletelés”- oxidálás – II: fotoreziszt műveletek – marás – diffúzió vagy ionimplantáció vagy más rétegleválasztás(ok) :II- darabolás – tokozás – típus jelölés – eladás – IC beépítés (panel) Alapanyagok

  3. Bejövő anyagok: • Alapanyagok (egykristály szeletek) • Si • más félvezető (esetlegesen) • Segédanyagok • Vegyszerek (víz, szerves oldószerek, savak, fotoreziszt lakkok, • Gázok (oxigén, hidrogén, nemesgázok, adalékanyagot tartalmazó vegyület-gázok) • Levegő (tisztaszoba környezet)! • Vákuum Alapanyagok

  4. Szilícium szelet méretek Alapanyagok

  5. Szeletméretek Alapanyagok

  6. Szelet vastagságának mérése • Két érintésmentes módszer: • Ultrahangos: a minta alsó és felső felületéről visszaverődő hullámokat mérik • Kapacitív: két elektróda közé helyezik a mintát, így két sorbakapcsolt kondenzátor keletkezikA minta vastagsága (t): Alapanyagok

  7. Si egykristályszelet geometriai hibái Alapanyagok

  8. A Si egykristály geometriai hibáinak vizsgálata • Kapacitív pásztázó letapogatással (esetleg más paraméter mérésével együtt) • Optikai úton, Makyoh topográfiával Alapanyagok

  9. A Si egykristály geometriai hibáinak vizsgálataOptikai úton, Makyoh topográfiával L h(r) r Alapanyagok

  10. Makyoh topográfia: Félvezető egykristály szeletek tükörképei: Alapanyagok

  11. Si elektromos tulajdonságai adalékolás 3 vegyértékű adalék: AKCEPTOR (B, Ga, In) – p típus 5 vegyértékű adalék: DONOR (P, As, Sb) – n típus Alapanyagok

  12. Fajlagos ellenállás R□=ρ/w 4 tűs mérés R□ ha a szelet n-típusú,homogén adalékolású R□= 123 Ω/□ w= 325 μm ρ=4 Ωcm ND≈1015 atom/cm3 Alapanyagok

  13. Szelettérképezés: Pld.: kisebbségi töltéshordozók élettartama felületi passziválás nélkül, és felületi passziválással. 20 cm szeletátmérőre optimált berendezésben növesztett 30 cm átmérőjű Si egykristály Alapanyagok

More Related