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结束放映. 首页目录. §2-2 BJT 的特性曲线和主要参数. —— 在直流和低频场合下, BJT 输入端口和输出端口的伏安特性,是 BJT 内部载流子运动的外部表现。. 一、 输入特性曲线. 二、 输出特性曲线. 三、温度对 BJT 特性曲线的影响. 四、 BJT 的主要参数. i B. c. +. i B. i C. +. b. u CE. u BE. u BE. i E. -. -. e. 首页目录. 结束放映. 一、输入特性曲线:. i B = f ( u BE ) u CE = 常数. 曲线特点:.
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结束放映 首页目录 §2-2 BJT的特性曲线和主要参数 ——在直流和低频场合下,BJT输入端口和输出端口的伏安特性,是BJT内部载流子运动的外部表现。 一、 输入特性曲线 二、 输出特性曲线 三、温度对BJT特性曲线的影响 四、BJT的主要参数
iB c + iB iC + b uCE uBE uBE iE - - e 首页目录 结束放映 一、输入特性曲线: iB=f (uBE)uCE=常数 曲线特点: 1、iB与uBE近似为指数关系,与二极 管正向特性相似。 2、uCE增大,曲线右移(厄利效应)。 uBE不变,uCE uCB iC,iB 3、当uCE1V后,特性曲线基本重合。 UCE=0V 10 实际中,一般 uCE1V, 1 输入特性曲线就用uCE1V的曲线表示。
饱和区 iB=IB5 iB=IB4 iB=IB3 临界饱和线 击穿区 iC iB=IB2 iB=IB1 截止区 c + iB iC + b uCE uBE iE iB=0 uCE - - e BUCEO 结束放映 首页目录 二、输出特性曲线: iC=f (uCE)iB=常数 放大区
临界饱和线 击穿区 iC 100 放大区 饱和区 IB4 60 40 20 ICEO uCE BUCEO 截止区 首页目录 结束放映 1、截止区: (发射结和集电结都反偏) IB=0; iC= ICEO 三个电极电流近似为0,没有放大作用。 2、放大区: 0 (发射结正偏,集电结反偏) ①特性曲线比较平坦,近似为直 线。 ②特性曲线间隔均匀, iC 随iB 近似的成正比例变化。 iC iB 表现BJT的放大作用。 ③特性曲线随uCE的增大略向上倾 斜,这是由厄利效应引起的。 厄利效应(基区宽调效应): uCEuCB iB 、 iC 。 iB,倾斜的程度会增大。
临界饱和线 击穿区 iC 100 放大区 饱和区 IB4 60 40 20 0 uCE BUCEO 截止区 结束放映 首页目录 3、饱和区: (发射结和集电结都正偏) ①iC随uCE的减小而明显下降。 uCE减小使集电结正偏加大, 集电结的扩散电流将抵消发射区载流子转化而来电流。 ②各条曲线几乎重合在一起, iC 不再随iB 成比例的变化,即:iC iB。 BJT失去放大作用。 ③饱和压降UCES: ——BJT饱和时集--射极之间的电压。 UCES随iC的增大而略有增大, 典型值:UCES=0.3V。 uCE=uBE ④临界饱和: 集电结零偏, 在临界饱和状态,仍有iC = iB。 4、击穿区: uCE增大到一定值后, iC急剧增大,集电结反向击穿。
iC T2>T1 iB/A T1 T2 uCE/V uBE/V 结束放映 首页目录 三、温度对BJT特性曲线的影响 T 输入特性曲线左移,(2~2.5)mV/°C T , (0.5%~1%)/C iC, 曲线上移 T ICBO
四、 BJT的主要特性参数 结束放映 首页目录 1、电流增益(电流放大倍数): ——共射直流电 流放大倍数 ——共射交流电 流放大倍数 ——共基直流电 流放大倍数 ——共基交流电 流放大倍数 一般在电流不是很大的情况,可以认为: 今后不再区分直流还是交流,统一用和表示。
四、 BJT的主要特性参数 IC IB 结束放映 首页目录 2、极间反向电流: IB = -ICBO, IC = ICBO 集电结反向饱和电流 ICBO: 集电极反向穿透电流ICEO: ICEO= (1+)ICBO
四、 BJT的主要特性参数 c + iB iC + b uCE 集电极功率损耗 uBE iE - - e 首页目录 结束放映 3、极限参数: ①集电极最大允许电流ICmax ——下降到额定值的2/3时,允许的最大集电极电流。 ②集电极最大允许功率损耗PCmax 管子的功率损耗为: PCmax——pC的平均值不允许超过的极限值。 ③反向击穿电压: BUEBO<BUCEO <BUCBO BUCBO: BUCEO: 常用作选取BJT集电极电源电压的依据。 BUEBO:
四、 BJT的主要特性参数 0 f 1 fT 结束放映 首页目录 4、BJT的频率参数: BJT的共射电流放大系数会随频率的变化而变化: 0——BJT的直流(低频)电流放大系数。 ①共射截止频率f: 时对应的频率。 f ②特征频率fT: =1时对应的频率,与结电容有关。 应用BJT时,工作频率应远小于fT。