1 / 9

Tranzystory FET

Tranzystory FET. normalnie załączone. normalnie wyłączone. Tranzystory unipolarne. S – źródło elektroda z której wypływają nośniki ładunku do kanału D – dren elektroda do której dochodzą nośniki ładunku z kanału G – bramka elektroda sterująca B – podłoże

matteo
Download Presentation

Tranzystory FET

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Tranzystory FET

  2. normalnie załączone normalnie wyłączone Tranzystory unipolarne S – źródło elektroda z której wypływają nośniki ładunku do kanału D – dren elektroda do której dochodzą nośniki ładunku z kanału G – bramka elektroda sterująca B – podłoże Tranzystory MOSFET mają często wyprowadzoną czwartą końcówkę B podłączoną do podłoża . Elektroda ma podobne działanie jak bramka i jest izolowana od kanału warstwą zaporową. Jednak na ogół nie wykorzystuje się jej właściwości i jest ona łączona ze źródłem.

  3. Tranzystory unipolarne - zasada działania EG = - UGS = 0V, VG = VS = 0V, Kanał n – otwarty, gdy ED>0V między DRENEM a ŹRÓDŁEM płynie największy ID (o takim tranzystorze mówimy, że jest normalnie załączony) EG = - UGS > 0V, VG < VS Kanał n – dalej otwarty, gdy ED>0V między DRENEM a ŻRÓDŁEM płynie ID EG = - UGSgr, VG < VS Kanał n – zamknięty, gdy ED>0V między DRENEM a ŻRÓDŁEM nie płynie ID

  4. Tranzystory unipolarne • KONFIGURACJE PRACY TRANZYSTORA • WS WD WG • POLARYZACJA TRANZYSTORA kanał n kanał p

  5. Tranzystory unipolarne CHARAKTERYSTYKI TRANZYSTORA kanał n • ID = f(UGS) WEJŚCIOWA (PRZEJŚCIOWA) Up – napięcie odcięcia kanału UGS > Up: Q Nachylenie charakterystyki: Tranzystory normalnie załączone: ID = IDSSgdyUGS = 0V Tranzystory normalnie wyłączone: ID = IDSSgdyUGS = 2Up

  6. Tranzystory unipolarne 2. ID = f(UDS) dla UGS = const.WYJŚCIOWA Uk = UGS – Up Uk=|Up|przy:ID= IDSS

  7. Wzmacniacz WS

  8. Wzmacniacz WS

  9. Wzmacniacz WD – wtórnik źródłowy

More Related