1 / 20

Квазикристаллы Ti-Zr-Ni системы: синтез, структура и свойства

Квазикристаллы Ti-Zr-Ni системы: синтез, структура и свойства. Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт» , 21, ул . Фрунзе, Харьков , Украина 61002,. Пугачёв А.Т., Малыхин С.В., Гладких Л.И., Борисова С.С.,Решетняк М.В., Савицкий Б.А.

nate
Download Presentation

Квазикристаллы Ti-Zr-Ni системы: синтез, структура и свойства

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. КвазикристаллыTi-Zr-Ni системы: синтез, структура и свойства

  2. Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт», 21, ул. Фрунзе,Харьков, Украина 61002, Пугачёв А.Т., Малыхин С.В., Гладких Л.И., Борисова С.С.,Решетняк М.В., Савицкий Б.А. Ажажа В.М., Бовда А.М., Лавриненко С.Д., Онищенко Л.В. Национальный научный центр «Харьковский физико-технический институт» Мерисов Б.А., Хаджай Г.Я., Гриб А.Н. Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, Украина Дуб С.Н. Институт сверхтвердых материалов НАН Украины, Киев, Украина H. R. Ott, A. V. Sologubenko Laboratorium für Festkörperphysik, ETH Hönggerberg, CH-8093 Zürich, Switzerland

  3. Квазикристаллы представляют собой новый класс вещества в твердом состоянии, который характеризуется наличием дальнего порядка в расположении атомов, симметрией 5-, 8- или 10-го порядков при отсутствии трансляционной инвариантности D. Shechtman, I. Blech, D. Gratias, and J. W. Cahn / Phys. Rev. Lett. 53 (1984) 1951-1953.

  4. ИКОСАЭДРИЧЕСКИЕ КВАЗИКРИСТАЛЛЫ Tsutomu Ishimasa, Yasushi Kaneko , Hiroshi Kaneko.Division of Applied Physics, Graduate School of Ingineering, Hokkaido University, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan (Submitted to J. Non-cryst. Solid) I.R. Fisher*, M.J. Kramer, A.I. Goldman Micron 31 (2000) 469–473

  5. (1,τ,0), (1,-τ,0), (0,1,τ), (0,1,-τ), (τ,0,1), (-τ,0,1), Индексы отражений: (n1, n2, n3, n4, n5, n6) или N=2ni2=h2+h’2+k2+k’2+l2+l’2 (h/h', k/k', l/l') или M=h’+k’+l’+2(hh’+kk’+ll’) (N,M) Параметр квазикристалличности ИДЕНТИФИКАЦИЯ И ИНДИЦИРОВАНИЕ QC-ФАЗЫ И ПАРАМЕТРЫ СТРУКТУРЫ

  6. ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ Образцы Ti-Zr-Ni сплавов различного состава в ленточном и массивном состоянии • Плавление в атмосфере аргона • Чистота 99,9 • Перемешивание • Кристаллизация в охлаждаемой изложнице ННЦ «ХФТИ»

  7. Фазовый состав, параметры структуры Модуль Юнга Нанотвердость Микротвердость Механизм пластической деформации r(T) сверхпроводимость Размер ОКР, микродеформации, плотность дислокаций Стимулированное изменение фазового состава, структуры, свойств Параметры диффузии Распределение по толщине

  8. РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ ЛЕНТОЧНЫХ ОБРАЗЦОВ

  9. РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ ЛЕНТОЧНЫХ ОБРАЗЦОВ Ti41,5Zr41,5Ni17 ; V= 10; 15 ; 19,5; 25 м/с

  10. Остаточные напряжения в лентах

  11. Накопление водорода D(T)=D0exp(-U/kT) U=0.21 эВ D0= 9 10-6м2/с Viano A.M. et. al./ Philmag A, 1998, Vol. 78, No.1, 131-141

  12. Ti41,5Zr41,5Ni17 Ti45Zr38Ni17 Фазовые и субструктурные изменения при насыщении водородом

  13. Температурный ход электросопротивленияСверхпроводимость =310…400 К

  14. 2nd fold axis (72,116) reflection 5th fold axis (136,220) reflection =(8,0±0,5)10-6 К-1 = 4.210-4 nm2 Д =340±10 К XRD- изучение теплофизических свойств Ti41,5Zr41,5Ni17квазикристаллов

  15. Механические свойства Ti-Zr-Ni квазикристаллов Nano Indenter-II, MTS Systems Corporation (Oak Ridge, TN, USA)

  16. Изучение характера деформирования квазикристаллов

  17. Облучение е-+р+ , Е=50…200 кэВ, I=0.01…20 мкА Изменение структурного и напряженного состояния при облучении

  18. ВУФ-облучение, hν10 эВ Изменение структурного и напряженного состояния при облучении

  19. СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ

More Related