국제엘렉트릭코리아 소개 시장동향 비교우위 핵심경쟁력 투자포인트 APPENDIX

2. 국제엘렉트릭코리아 소개 • 시장동향 • 비교우위 핵심경쟁력 • 투자포인트 • APPENDIX

3. Chapter 1 국제엘렉트릭코리아 소개 • 회사소개 • 설립배경 • 참여 반도체공정의 분야 • 생산장비소개 • 사업영역

4. 창 조 사 훈 봉 사 인 화 1-1 회사소개 ( ’02.3Q 당기순이익은 회사 자체결산 자료로, 감사받지 아니한 실적임 )

5. 반도체 재료 및 장비시장 95% 이상 외국에서 조달 ’92년 DRAM 세계 1위 ’93년 Memory 세계 1위 ‘93년 설립당시 국내 반도체 수준 ‘93년 정부 및 반도체업체의 적극적인 지원 ’93. 5. 24 국제엘렉트릭코리아 설립 일본 히타치국제전기 • 세계적인 반도체장비 • 제조회사 • Furnace 및 CVD장비 • 기술의 선두 천안에 공단 지정 합작 외국인 투자유치 1-2 설립배경

6. 반도체 산업구조 반도체소자산업 반도체장비산업 반도체원재료산업 전공정 후공정 반도체 공정 Wafer가공 (Fabrication) Wafer 제조 및 회로설계 조립 (Packaging) 검사 (Test) 전공정 프로세스 산화공정 (Oxidation) 감광액 (PR) 노광 (Exposure) 현상 (Development) 식각 (Etching) 이온주입 화학기상 증착공정 (CVD) 금속배선 • 열 산화 분위기속에서 실리콘 Wafer표면에 산화막을 형성시키는 공정 • 열 및 플라즈마 분위기 속에서 Source Gas간의 화학반응으로 형성된 입자들을 Wafer 표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정 1-3 참여 반도체공정의 분야 반도체 장비산업 중 고부가가치인 전 공정에 참여

7. Furnace & CVD • 200mm/ 300mm Wafer 대응가능 • 모든 Furnace/ CVD공정 처리 가능 Batch Type Single Type 대량생산이 요구되는 공정에 주로 사용되며 Batch당 50~150매 Wafer 일괄처리 가능 장비 [ Batch Type 종류 ] Oxide, Nitride, Anneal, D-Poly HTO(High Temperature Oxide) Alloy, BPSG reflow 등 TAT(Turn Around Time)단축이 필요한 공정에 주로 사용되며 Wafer를 1매씩 처리하는 장비 [ Single Type 종류 ] RTP(Rapid Thermal Process) Ruthenium, High-k Ta2O5 ALD(Atomic Layer Deposition) - Al2O3/ HfO2 - Nitride (Si3N4) - Oxide(SiO2) MMT(Modified Magnetron Type) - Stack Gate용 (Nitridation, Oxidation) 차세대 대응 공동개발장치 1-4 생산장비 소개

8. 반도체 장비제조 및 판매부터 A/S, 개조까지 Total Service • 200mm/300mm용 Diffusion Furnace & LP-CVD, LP-OXIDATION, ALD 장비 제조 및 판매 • 매출비중 : 63 % 반도체장비제조 및 판매 • 반도체소자업체의 장비 유지보수에 필요한 부품 • 매출비중 : 15 % 부품 판매 장비개조 서비스 • 소자업체의 노후장비 성능개선, 기능변경 및 이설 • 매출비중 : 9 % • 히타치국제전기 장비Set-up용역 및 A/S 대행 • 반도체소자업체 생산라인의 보수 용역 • 매출비중 : 13 % (2002년 3분기말 기준) 1-5 사업영역

9. Chapter 2 시 장 동 향 • 회복추세의 세계 반도체 장비시장 • 국내 반도체 장비시장 • 경쟁사 및 시장점유율

10. 세계 반도체 및 장비시장 동향 세계 Furnace & CVD시장동향 (M$) (B$) 204 149 5,243 2,675 62 35 755 397 (자료:WSTS 2002.5, Data Quest 2002.7) (자료:반도체제조장비 Data Book 2001) 2-1 회복추세의 세계 반도체 장비시장 • 반도체시장은 ’01년~‘02년 침체기를 벗어나 ’03년을 기점으로 회복의 길로 접어들 전망 • - 2003년 세계 반도체 시장은 지난해보다 12∼20%,반도체 장비 시장은 9∼16% 성장 전망- 세계 반도체시장은 DRAM시장 회복, 플래시메모리 시장 급성장, 휴대폰 판매량 증가, PC교체 주기도래,아시아지역 수요 확대 등으로 본격적 회복 전망 • 2003년 반도체 소자업체의 투자 증가로Furnace & CVD 장비 수요 증가 예상- 전체 반도체장비시장 중 전공정 장비의 비중은 70%를 넘는 상황- 전공정 장비시장 중 Furnace & CVD는 20%정도 차지

11. 국내 반도체 장비시장 동향 삼성전자의 시설투자(반도체) 규모 추이 (%) (M$) (조원) 25 국내공급비율 반도체, LCD부문의 설비, 건물, Utility등 투자 총액규모 5조 4,029 20 17.8% 4조 3.6조 2,938 15 12.4% 3조 2,217 2,045 1,933 10 1,350 5 0 (자료:한국반도체산업협회 2002) (자료:’03.01 삼성전자 발표) • 삼성전자의 ’03년 세계반도체시장 전망은 IT투자회복, • PC수요증대, 디지털 가전 및 통신시장확대 등 전년 대비 22% 증가 예상($1,422억→$1,731억, $309억↑) • ’03년 공격적 설비투자 예정으로 국내 장비업계의 • 경기회복이 예상되어 수익력 증가가 기대됨. • - 300㎜ Wafer Line • - System LSI Line • - 미국 현지 생산법인 • 전방 산업인 반도체시장의 수요 회복과 삼성전자의 투자확대 등 ’03년 반도체 장비시장규모 확대 예상 • 반도체 장비의 국산화율 12.4% 수준(2001년 기준) • - 전공정 6.8% , 조립공정 36.1% , 검사공정 11.0% • 국산화 전공정 장비의 국내시장 규모 ( 단위 : 억원 ) 구분 ´98 ´99 ´00 ´01 ´02(F) 전공정시장규모 당사공급실적 (점유율 %) 781 81 10.4 1,097 170 15.5 2,173 219 10.1 1,261 90 7.1 1,324 163 12.3 ’03년 신규 및 증설 투자 예정 2-2 국내 반도체 장비시장

12. 경쟁사 및 시장점유율 현황 200mm Furnace & CVD 300mm Furnace & CVD 기타 3% 기타 9% T사 37% 히타치국제전기 49% 히타치국제전기 35% T사 39% 국제엘렉트릭코리아 11% 국제엘렉트릭코리아 17% 2-3 경쟁사 및 시장점유율 (회사추정자료, 공급대수 기준)

13. Chapter 3 비교우위 핵심경쟁력 • 반도체 장비산업의 Trend • 핵심기술력 보유현황 • 차세대 장비개발 추진현황 • R&D 투자와 지적재산권 • 안정적인 수익구조 • 적극적인 해외진출

14. 반도체 장비산업의 특성 반도체 제조업은 지속적인 설비투자가 필요 수입의존도가 높고 국산화율이 낮음 고도의 기술을 요구하는 산업으로 R&D비용이 큼 품질이 검증된 기존업체 제품을 선호 반도체 장비개발의 패러다임 변화 장비개발(장비 Maker) 장비개발(장비 Maker 주도) 공동 개발(예:국제엘렉트릭코리아+삼성전자) 양산 적용(Device Maker) 양산적용(Device Maker) 3-1 반도체 장비산업의 Trend • 반도체 Device의 기술이 첨단 고도화됨에 따라 소자업체의 기술에 맞춰 장비를 개발 • 장비 Maker가 주도하는 장비개발 → Device Maker와 공동으로 장비개발( JDP : Joint Development Project )

15. Furnace & CVD장비 핵심기술력 보유 Conventional Diffusion Furnace & LP-CVD ALD (Atomic Layer Deposition) MMT(Modified magnetron Typed Plasma source) PL-CVD ( Poly Layer – CVD ) RTP (Rapid Thermal Process) 3-2 핵심기술력 보유현황 (▷ : 개발착수 , ◎ : 기술보유)

16. 히타치 국제전기의 선진기술 도입 10년간 축적된 핵심 제조기술 Device Maker와 차세대장비 공동개발 안정적인 사업기반 구축으로 수익성 확보 3-3 차세대 장비개발 추진현황

17. R&D 현황 (백만원) (%) 15.0 12.5 9.3 5.0 주요 Unit 국산화 추진실적 지적재산권 현황 3-4 R&D 투자와 지적재산권 • 2000년 기업부설연구소 설립 • R&D 인력 23명 (전체 인원 77명중 30% 차지) • - 관련부문 15년 이상 핵심 연구인력 5명 • R&D 비용 15억 이상 투입(매출액 대비 6%↑) • 장비국산화를 위해 삼성전자, 히타치국제전기와 • 공동개발을 통한 차세대장비개발로 리스크 감소 (국산화 부품의 일부는 일본, 미국등으로 수출하고 있음)

18. 국제엘렉트릭코리아 타 반도체 장비업체 장비매출 외의 매출로 안정적 수익구조 보유 반도체 소자업체의 설비투자에 의존율이 높다 • 부품 판매 매출 : 유지보수를 위한 부품판매 - 국내 공급된 장비 1,700여대용 부품 독점 공급 - 장비대수 증가에 따라 매출 증가 • 서비스 매출 : 설치서비스 매출과 무상서비스 2001년 반도체 경기침체로 대부분의 장비업체 매출 감소 및 적자 반전 - 설치서비스 매출 : 히타치가 공급한 장비 1대당 약 2,500만원의 서비스 매출 - 무상서비스 매출 : 설치 검수 완료 후 1년간 장비공급가의 3%의 수수료 발생 - 업무위탁매출 : 업무위탁계약으로 월정 위탁료 800만원 발생 • 개조 매출 : 노후장비의 성능 업그레이드 및 이설 - 국내에 공급된 당사 및 일본 히타치의 장비개조 독점 국내 반도체 장비업체의 대부분은 기술수준이 낮은 후공정에 참여 첨단 고도기술의 전공정 장비로 고가의 장비가격 3-5 안정적인 수익구조 장비매출이외에 부품, 서비스, 개조 매출로 안정적 수익구조

19. 적극적인 해외진출로 매출 극대화 ▶ 중국 반도체 생산 전개 연도별 시장 현황 ~ 80년대 말 1991 ~ 1996 1997 ~ 2001 2002 ~ 2006 부품 수입 위주 5″ Wafer 4″ ~ 6″ Wafer 8″ ~ 12″ Wafer - 200억불 투자 예상 - 15~20개 생산라인 건설계획 공동마케팅 추진 중국시장 ▶ 중국 Fab라인 보유현황 국제엘렉트릭코리아 W/F Size 8″ 6″ 5″ 4″ 3″ 합계 히타치국제전기 Line 수 1 4 6 10 10 31 자료:CCID(정보산업발전중국센터 ) ▶ ’03년 히타치국제전기 중국시장 판매계획(M$) 구 분 SMIC Hejian TSMC ASMC 계 대수(8″) 30 30 10 10 80 매출액 27 27 9 9 72 3-6 적극적인 해외진출 • 삼성전자, 하이닉스, 동사의 해외 현지 투자법인을 대상으로 장비의 제조 공급, 설치와 A/S의 영업활동 수행. • 히타치국제전기가 제3국에 판매하는 장비의 주문생산(OEM) 추진. • 미래의 성장 잠재력이 큰 중국 시장을 타켓으로 일본 히타치국제전기와 공동 마케팅 추진. ▷ 1단계 : 국산화 부품 ▷ 2단계 : 장비설치 및 A/S영업 ▷ 3단계 : 주요 Unit, 장비 OEM 생산

20. Chapter 4 투자포인트 • 재무성과 • 공모예정가 정보 • 회사의 투자포인트

21. 수익성 안정성 성장성 (단위:%) (단위:%) (단위:백만원) 부채비율 29,565 (02년 예상) 24,000 23,515 당기순이익율 16,008 14,802 개조 서비스 차입금의존도 부품 장비 (예상) 4-1 재무성과 • 안정적인 성장성 및 매출구조 • - 02년 매출액 240억 예상 • 전년대비 50%증가 • 높은 수익성 유지 • - ’01년 당기순이익 13.07% 달성 • (비교대상 동종 업종 평균 6.4%) • 우수한 재무안정성 보유 • - 차입금 의존도 0% 유지 • - ’02.3Q 원자재 구입대금 일시증가

22. 공모가액 산출 PER 적용 시 비교가치 EV/EBITDA 적용 시 비교가치 4-2 공모예정가 정보 ( 비교가치는 연간 환산하여 산출 )

23. 투자 포인트 ? 국제엘렉트릭코리아는? • 초기 투자비용이 크고 높은 기술장벽으로 경쟁사 출현 가능성 희박 • 국내에서 경쟁하고 있는 회사는 일본 TEL사로 경쟁회사가 적음 경쟁자수가 적은 회사 • 첨단의 고도기술이 요구되는 반도체 전공정 장비제조로 높은 부가가치 창출 • 1999년에서 2001년까지 12%이상의 높은 당기순이익율 유지 • ( 설립이후 9년 연속 흑자 경영 ) 높은 부가가치를 창출하는 회사 • 국내 Furnace & CVD시장에서 합작사와 함께 60%이상 M/S 유지 • Device Maker와의 차세대 장비 공동개발을 통하여 기회를 선점하고 • 지속적인 성장 가능 시장을 선점하고 있는 회사 • 핵심기술력 보유 (히타치와의 합작으로 10년간 핵심기술이전) • 미국, 중국등 해외시장으로의 적극적인 진출 추진 • 히타치 국제전기의 장비설치 · A/S용역 및 부품판매 독점권 확보 남과 다른점을 갖고 있는 회사 • 무차입 경영으로 차입금 지급이자 Zero 재무구조가 견실한 회사 4-3 회사의 투자 포인트

24. Chapter 5 APPENDIX • 코스닥 등록정보 • 회사개요 • 경영진 및 인원현황

25. 주주현황 공모일정 (공모후 총 발행주식수 : 8,210,000주) 내 용 날 짜 히타치국제전기2,190,000주(26.7%) 유가증권제출일 2003년 2월 5일 효 력 발 생 일 2003년 2월 21일 최대주주 등2,355,776주(28.7%) 벤처투자1,200,000주(14.6%) 수 요 예 측 일 2003년 3월 5일 공모주식2,210,000주(26.9%) 일반공모청약일 2003년 3월 12일 ~ 13일 소액주주254,224주(3.1%) 코스닥등록 및 매매개시일 2003년 3월 21일 유통가능물량 2,613,224주(31.8%) 공모자금 사용계획 보호예수등 현황 구 분 주주명 주식수(비율) 사용내역 사용금액 의 무 최대주주 등 2,355,776주(28.7%) 벤처투자(*1) 830,000주(10.1%) 시설자금 2,200백만원 비의무 히타치 국제전기(*2) 2,190,000주(26.7%) 연구개발비 등 운영자금 4,286백만원 우리사주조합 배정(*3) 221,000주( 2.7%) 기타 (발행제비용) 365백만원 합 계 5,596,776주(68.2%) (*1) 벤처투자 지분 : 1,200,000주(의무 보호예수 830,000주) (*2) 히타치국제전기 : 최대주주와 동일하게 의무보호예수 실시 (*3) 우리사주조합 : 274,174주(1년 예탁 : 221,000주) 총 계 6,851백만원 (공모희망최저가액 기준) 5-1 코스닥 등록정보

26. 회사개요 주요연혁 • 93.05 국제엘렉트릭코리아㈜ 설립 • 94.04 일본 ㈜히타치국제전기와의 기술이전계약 체결 • 95.04 일본 ㈜히타치국제전기와의 부품공급 계약 체결 서비스위탁계약, 업무위탁계약 체결 • 97.06 ISO9002 인증 획득(Q10080) • 99.03 제 33회 조세의 날 성실납세자 국무총리 표창 수상 • 00.06 자연산화막 제거기능을 갖춘 화학기상침적장비에 대한 실용신안등록 • 00.08 일본 국제전기세미컨덕트서비스㈜와 부품판매계약 장비의 개조, 이설 및 부품 판매계약 • 00.10 국산화장비 양산용 LP-Oxidation 1호기 출하 • 00.11 기업부설연구소 설립 • 02.02 플라즈마를 이용한 화학기상증착장비에 대한 실용신안 등록 및 튜브의 내부에 공정가스를 공급해서 공정을 진행하는 반도체제조장비에 대한 실용신안 • 03.02 국내 소자업체에 반도체장비 242대(누계) 출하 회 사 명 국제엘렉트릭코리아㈜ 대표이사 이길재 설 립 일 1993.5.24 자 본 금 30억 매출/순이익 160.1억/ 20.9억(2001년) 주요사업 반도체제조용기계제조업 주요제품 Diffusion Furnace 및 LP-CVD장비 종업원수 77명 본 사 충청남도 천안시 차암동 4-2번지 결산기 3월 5-2 회사개요

27. 경영진 현황 인원 현황 대표이사 이 길 재 • R&D 및 기술직 인력 : 전체의 56% 차지 • 한양대 졸업 • 삼성 Japan 부장 • 삼성물산 부장 • 니콘정밀 부사장 기타 2명(2.5%) 기술직 20명(26.0%) 관리영업직 17명(22.0%) 생산직 15명(19.5%) 직책 성명 약력 연구직 23명(30.0%) 대표이사부사장 스즈키테츠오 • 日 히타치국제전기 영업부장 부사장 장재영 • 삼성전자 반도체부문 자재부장 • 삼성전자 본사 업무부장 (전체인원 77명) 상무이사 양창집 • 삼성전자 반도체부문 FAB공정기술 부장 5-3 경영진 및 인원현황

28. 감 사 합 니 다 국제엘렉트릭코리아㈜