ELETRONICA ANALOGICA I – EA I Prof. Rômulo Oliveira Albuquerque

1. ELETRONICA ANALOGICA I – EA I Prof. Rômulo Oliveira Albuquerque romulo.oliveira@gmail.com www.eletronica24h.com.br

2. CRITÉRIO DE AVALIAÇÃO MEDIA=(0,4.P1+0,6.P2).0,8 + 0,2.T P1 E P2 são PROVAS BIMESTRAIS T : LISTAS DE EXERCICIOS (LE) ERELATÓRIOS (R) T=media de LE e R P3>> PROVA SUBSTITUTIVA (substitui a nota mais baixa somente para aluno que não alcançou media) FatecSBC Prof Rõmulo Automação Industrial

3. CONTEUDO PROGRAMATICO Introdução – Semicondutor extrínseco Semicondutor intrínseco tipo N e tipo P – Junção PN – Diodo de junção Retificador de meia onda carga resistiva – retificador de onda completa com CT carga resistiva. Retificador em ponte com carga resistiva – retificadores com filtro capacitivo Aplicações de diodos: limitador – grampeador – multiplicador – Diodo Emissor de Luz (LED). Fotodiodo – Diodo Zener – Regulador Zener – Regulador de três terminais. Transistor bipolar – princípios de funcionamento – curvas características – reta de carga – regiões de operação – transistor na saturação e corte – O par Darlington - Fototransistor. Polarização do transistor: por corrente constante de base por divisor de tensão na base. Capacitores de acoplamento Modelo simplificado do transistor para pequenos sinais Amplificador emissor comum sem realimentação. Amplificador emissor comum com realimentação. Amplificador coletor comum e regulador serie. Amplificadores de potencia

4. BIBLIOGRAFIA BÁSICA: [1]SEDRA, A; SMITH, R. Microeletrônica. 5ª Ed. Prentice-Hall, 2007. [2]SWART, J W. Semicondutores Fundamentos, Técnicas e Aplicações. UNICAMP, 2008. [3]CAPUANO, F. G. ; MARINO, M. A. P. Laboratório de Eletricidade e Eletrônica. 24. Ed. São Paulo: Érica, 2008. [4]BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L.; Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. 8.Ed. São Paulo: Prentice-Hall, 2007. BIBLIOGRAFIA COMPLEMENTAR: [5]PERTENCE JR, A. Eletrônica Analógica - Amplificadores Operacionais e Filtros Ativos. Bookman, 2003. [6]MALVINO, A. P.; Eletrônica Vol1. 4.ed. São Paulo: Makron Books, 2009. V.1 [8]NAHVI, M.; EDMINISTER, J.A.;Teoria e Problemas de Circuitos Elétricos. 4.Ed. Porto Alegre: Bookman, 2005.

5. Circuitos Elétricos São constituídos de componentes passivos conectados entre si por fios Circuito Eletrônico São constituídos por dispositivos, chamados de ativos que de alguma forma controlam o fluxo de corrente Semicondutores A eletrônica é fundamentada em dispositivos semicondutores, isto é, dispositivos construídos a partir de um tipo de material chamado semicondutor

6. Semicondutores Em eletricidade os materiais se classificam em condutores (Ex: cobre , alumínio, ferro, ouro, prata, etc) e isolantes (Ex: madeira, borracha, ar, vidro, etc),) Em eletrônica existe uma classe de material chamada de Semicondutor Principal característica: • Resistividade é alterada quando é fornecida algum tipo de radiação. • Tem dois tipos de portadores de carga. • tem resistividade intermediaria entre condutor e isolante Principais semicondutores: Silicio (Si) e Germanio (Ge)

7. Condutividade

8. Semicondutor Intrínseco É o semicondutor em estado puro (só atomos de semicondutor) Estrutura simplificada do átomo de Si

9. Estrutura do Si O Si é um cristal: arranjo geométrico dos átomos é feito de forma regular Ligação covalente: cada átomo se liga com quatro átomos vizinhos Compartilhando os elétrons da ultima camada Ligação covalente Estrutura cristalina do Si a 0ºK ( -273ºC) - O material se comporta como Isolante (não tem portadores de carga)’

10. Energia é fornecida Geração de Portadores A ausência do elétron na ligação covalente é chamada de lacuna ou buraco e se comporta como portador de carga positiva Estrutura do Si a uma temperatura acima de 0ºK

11. Concentração Intrínseca Se n é o numero de elétrons por unidade de volume (por cm3 ) e p o numero de lacunas por unidade de volume então: n=p=ni= concentração intrínseca do semicondutor que no caso vale: ni=2,5x1013 cm-3 para o Ge à temperatura ambiente de 27ºC ni=1,5x1010 cm-3 para o Si

12. Mecanismo de Condução de Lacunas A condução de lacunas não tem elétrons livres!!!

13. Mecanismo de condução de lacunas

14. Corrente em um Semicondutor Intrínseco IT= Ie+ Il

15. Recombinação É o mecanismo pelo qual um elétron livre ao encontrar uma lacuna passa a fazer parte da ligação covalente, desaparecendo o par eletron-lacuna Se a temperatura do cristal está aumentando a taxa de geração é maior do que a de recombinação e, portanto o numero de pares eletron lacuna aumenta. Se a temperatura do cristal está diminuindo, a taxa de recombinação é maior do que a de geração e, portanto o numero de pares eletron lacuna diminui. Se a temperatura é constante o numero de elétrons livres e de lacunas permanece constante pois a taxa de recombinação é igual à de geração dos pares eletron lacuna.

16. Semicondutor Extrínseco Tipo N A adição controlada de pequenas quantidades de outra substancia, chamada de impureza, ao semicondutor puro permite modificar suas características elétricas, como por exemplo, a resistividade, permitindo aplicações praticas Impureza Pentavalente: tem 5 eletrons na camada de valencia.Ex: Fosforo (P)

17. Semicondutor tipo N com T<Ti Se T<Ti o quinto eletron permanece ligado o material de comporta como isolante Ti = temperatura de ionização da impureza

18. Semicondutor tipo N com Ti<T<Tg Se Ti<T<Tg o quinto será liberado sem geração de lacuna

19. Semicondutor tipo N com T>Tg Se ND é a concentração de átomos da impureza doadora (pentavalente), a   concentração de elétrons livres no equilíbrio térmico (taxa de geração de pares  elétron-lacuna = taxa de recombinação de pares), nn0 , será dada por: nn0ND  a concentração de lacunas será calculada aproximadamente por:

20. Conclusões: Material N Nesse material o numero de elétrons livres é maior do que o numero de lacunas, daí o nome semicondutor tipo N, mas o material continua neutro (numero de cargas negativas igual ao numero de cargas positivas). Se ND=concentração de átomos da impureza doadora (pentavalente) No material N os elétrons livres são chamados de portadores majoritários enquanto as lacunas são chamadas de portadores minoritários.

21. Semicondutor Extrínseco Tipo P com T<Ti A impureza nesse caso é trivalente (3 átomos na ultima camada) exemplo o Boro (B) que se liga com 4 atomos de Si, ficando uma ligação incompleta.

22. Semicondutor Extrínseco Tipo P com Ti<T<Tg Quando a temperatura for maior do que a de ionização, um elétron de valencia de um átomo vizinho terá energia suficiente para ocupar a ligação faltante. Ao fazer isso esse elétron deixa uma vaga que se comportará como lacuna e ioniza o átomo de boro. Foi gerado lacuna sem aparecimento de elétron livre.

23. Semicondutor Extrínseco Tipo P com T>Tg

24. Semicondutor tipo P com T>Tg