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Détermination des conditions d’épitaxie

Détermination des conditions d’épitaxie. ?. ?. ?. Couche mince de MnAs/GaAs produite par Epitaxie par Jets Moléculaires et observée par Microscopie Electronique à Transmission. ?. ?. ?. M MnAs. GaAs. Motivations de MnAs/GaAs. Vg=0. ?. ?. ?. ?. ?. ?.

samira
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Détermination des conditions d’épitaxie

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Presentation Transcript

  1. Détermination des conditions d’épitaxie ? ? ? Couche mince de MnAs/GaAs produite par Epitaxie par Jets Moléculaires et observée par Microscopie Electronique à Transmission. ? ? ?

  2. MMnAs GaAs Motivations de MnAs/GaAs Vg=0

  3. ? ? ? ? ? ? Détermination des conditions d’épitaxie Couche mince de MnAs/GaAs produite par Epitaxie par Jets Moléculaires et observée par Microscopie Electronique à Transmission.

  4. Construction de la maille de GaAs Réseau de Bravais ? Multiplicité de la maille cubique ? Motif ? Orientation de la maille par rapport à l’image MET ?

  5. GaAs : Réseau de Bravais ? Multiplicité de la maille cubique? Motif? Cubique P Cubique I Cubique F

  6. Construction de la maille de GaAs Multiplicité de la maille cubique ? 4 Réseau de Bravais ? cFCubique à faces centrées Motif ? Ga (0,0,0) et As (¼, ¼, ¼)

  7. [1 0 2] – [1 2 2] c a c b a b [1 1 0] Rangées et plans

  8.  b c  a LES PLANS 3D (0 0 1) (0 1 1) (-1 0 1) (1 0 0) (1 1 1) (1 1 -1) (2 0 1) (2 2 1)

  9. CARINE

  10. ? ? ? ? ? ? Orientation par rapport au MEB

  11. CARINE

  12. Distances Analyse cliché diffraction : 1/d(111) = 0.3065 Å-1 d(111) = 3.263 Å 1/d(200) = 0.354 Å-1 d(200) = 2.825 Å

  13. DISTANCE INTERRETICULAIRE • Pour les différents systèmes : • Monoclinique • Orthorhombique • Quadratique • (tetragonal) • Hexagonal • Cubique

  14. GaAs : a = 5,65 Å d(111) d(002)

  15. Orientation par rapport au MEB

  16. GaAs : plan (1, 1, 1) d111 = 1/ d*111 = a/√(1+1+1) = 5,65/ √3 = 3,26 Å

  17. GaAs : plan (0, 0, 2) d002 = 1/ d*002 = a/√(0+0+4) = 5,65/2 = 2,825Å

  18. Plan (1,1,1) : surface du substrat de GaAs

  19. GaAs : plan (4, -2, -2) d4,-2-2 = 1/ d*4,-2-2 = a/√(16+4+4) = 5,65/ √24 = 1,15 Å

  20. GaAs : plan (-1, 3, 3) d-1,3,3 = 1/ d*1,3,3 = a/√(19) = 5,65/ √19 = 1,30 Å

  21. Image du réseau réciproque par diffraction d’électrons Cliché de diffraction = contributions de GaAs + MnAs car epitaxié

  22. SYSTÈME HEXAGONAL • a = b ≠ c • a = b = π/2 g = 2π/3 Éléments de symétrie : - 1 axe de symétrie 6 avec un miroir  - 6 axes de symétrie 2 avec 6 miroirs  - un centre de symétrie

  23. MnAs : On remarque la symétrie hexagonale.

  24. MnAs :

  25. CARINE

  26. CARINE

  27. Orientation rélative MnAs GaAs 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 + 0 0 0 0 0 0 0 0

  28. Conditions d’épitaxie :(-1-1-1)GaAs// (001)MnAs et [0-11]GaAs // [110] MnAs [001] [-110] [110]

  29. -112 GaAs // 120 MnAs

  30. Réseau réciproque de GaAs h,k et l ont la même parité.

  31. GaAs : Réseau direct et réseau réciproque

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