1 / 14

Literatura

Literatura. Tietze U., Schenk C.: Układy półprzewodnikowe. WNT Warszawa, 1987. Horowitz P., Hill W.: Sztuka elektroniki. WKŁ, Warszawa, 1997 Baranowski J., Czajkowski G.: Układy elektroniczne. WNT, Warszawa, 1993 Górecki P.: Wzmacniacze operacyjne. BTC, Warszawa, 2002

trevor
Download Presentation

Literatura

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Literatura • Tietze U., Schenk C.: Układy półprzewodnikowe. WNT Warszawa, 1987. • Horowitz P., Hill W.: Sztuka elektroniki. WKŁ, Warszawa, 1997 • Baranowski J., Czajkowski G.: Układy elektroniczne. WNT, Warszawa, 1993 • Górecki P.: Wzmacniacze operacyjne. BTC, Warszawa, 2002 • Nadachowski M., Kulka Z.: Analogowe układy scalone. WKŁ, Warszawa, 1990 • Nadachowski M., Kulka Z.: Zastosowanie wzmacniaczy operacyjnych. WKŁ, Warszawa, 1999 • Niederliński A.: Mikroprocesory, mikrokomputery, mikrosystemy. WSiP, Warszawa, 1987 • Pieńkoś J., Turczyński J.: Układy scalone TTL w systemach cyfrowych. WKŁ Warszawa, 1980 • Misiurewicz P.: Podstawy techniki mikroprocesorowej. WNT, Warszawa, 1991 • Borkowski A.: Zasilanie urządzeń elektronicznych. WKŁ, Warszawa, 1990. • Rusek M., Pasierbiński J.: Elementy i układy elektroniczne w pytaniach i odpowiedziach. • WNT, Warszawa, 1991

  2. Warto zaglądać ! www.imne.pwr.wroc.pl/zpisp laboratoria Regulaminy Podstawy elektroniki Materiały do zajęć Tematy projektów i materiały pomocnicze na zajęcia u dr. A Kałwaka

  3. Tranzystor Tranzystory: Służą do wzmacniania lub przełączania sygnałów(czynny element półprzewodnikowy układów elektronicznych) • Bipolarne – przepływ prądu powodowany jest przez dwa rodzaje nośników: elektrony ( - ) i dziury ( + ) • Unipolarne – przepływ prądu powodowany jest przez tylko jeden rodzaj nośników: elektrony ( - ) lub dziury ( + )

  4. Tranzystorbipolarny jest czynnym elementem półprzewodnikowym o trzech elektrodach: B - baza, C – kolektor, E - emiter • Tranzystory bipolarne mogą być typu: • n-p-n lub p-n-p • Litery n i p oznaczają rodzaj przewodnictwa: • n większość nośników ładunku stanowią elektrony • p większość nośników ładunku stanowią dziury • Stosowane półprzewodniki: • krzem (Si) • german (Ge) • arsenek galu (GaAs) • inne Tranzystor bipolarny

  5. Tranzystor bipolarny KONFIGURACJE PRACY TRANZYSTORA WB WE WC POLARYZACJA TRANZYSTORA W zależności od polaryzacji złącz tranzystora można wyróżnić trzy rodzaje (obszary) pracy: • AKTYWNY (NORMALNY) IE = IB + IC VC > VB> VE VC < VB< VE • ODCIĘCIA (ZATKANIE) VC > VE> VB VC < VE< VB 3. NASYCENIA VB > VC> VE VB < VC< VE

  6. Tranzystor bipolarny CHARAKTERYSTYKI TRANZYSTORA • IB = f(UBE) dla UCE = const. WEJŚCIOWA dla UCE = const. 2. IC = f(IB) dla UCE = const. PRZEJŚCIOWA

  7. Tranzystor bipolarny CHARAKTERYSTYKI TRANZYSTORA 3. IC = f(UCE) dla IB = const. WYJŚCIOWA UCEsat = 0,2V . . . 1V

  8. I2 I1 H U2 Tranzystor bipolarny Parametry tranzystora opisywane są współczynnikami macierzy H U1 = h11 I 1 + h12 U2 I 2 = h21 I 1+ h22 U2 U1 Rezystancja wejściowa tranzystora Współczynnik wzmocnienia prądowego Konduktancja wyjściowa Współczynnik zwrotny oddziaływania napięciowego

  9. EC / RC ICQ UCEQ IBQ EB Wzmacniacz WE • Tranzystor – wzmacniacz napięcia uwe=Eg sinωt ; Eg<< EB ; Uwe= Eg ΔIB= ΔUBE / rBE = Eg / rBE ΔIC = βΔIB = β Eg / rBE UCE = EC – Ic RC Uwy = ΔUCE = - ΔIC RC = - Egβ RC / rBE Ku = Uwy / Uwe = Uwy / Eg Ku = - β RC / rBE

  10. eg C1 uo RL ui Rg C2 Wzmacniacz WE • Polaryzacja stałym prądem bazy

  11. C1 RL uo ui Rg C2 eg Wzmacniacz WE • Polaryzacja dzielnikiem napięcia

  12. C1 uo RL ui Rg C2 eg Wzmacniacz WE • Polaryzacja przez sprzężenie prądowe

  13. C1 uo RL ui Rg C2 eg CE Wzmacniacz WE

  14. Wzmacniacz WC

More Related