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Commande d’actionneurs à l’aide d’un microprocesseur. 4 Commande des transistors Christian Koechli. Objectifs du cours. Fonctionnement d’un Mosfet de puissance Problématique du Low-Side Problématique du High-Side Découplage Bootstrap Utilisation de P-MOS. Structure. Principe.
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Commande d’actionneurs à l’aide d’un microprocesseur 4 Commande des transistors Christian Koechli
Objectifs du cours • Fonctionnement d’un Mosfet de puissance • Problématique du Low-Side • Problématique du High-Side • Découplage • Bootstrap • Utilisation de P-MOS
Précautions • Surtension GS (souvent 20V max) • Pics de courant • Phénomènes transitoires DS • Limitations du pouvoir de coupure de la diode de roue libre
Les 10 choses à faire ou à ne pas faire avec les MOS de puissance • Attention à la manipulation • Attention aux pics de VGS • Attention aux pics de tension sur le drain ou la source dus à la commutation • Ne pas dépasser la valeur de crête du courant • Rester dans les limites thermiques • Attention au layout • Attention aux performances de la diode de roue libre • Attention en comparant les performances (courant) de différents MOSFETs
Calcul des pertes • Pertes en conduction:Pcd=RDSon I2 tON • Pertes en commutation:Pcom=f
Caractéristiques de l’étage « driver » • Limiter les pertes de commutation • Source de courant idéale pour une commutation rapide • Éviter les pics de tension • Attention à la commutation rapide. • Éviter les inductances de fuites (Condensateur et diode de roue libre le plus proche du transistor)
Découplage Vcc (12V) DSP R TLP250 UDC (24V) (0V) Rmesure_courant
Alimentation unipolaire UDC (24V) Vcc (12V) R DSP Level shifter