360 likes | 1.13k Views
มอสเฟท MOSFET. ความเป็นมา : เฟท ทรานซิสเตอร์ สนามไฟฟ้า ( Field-effect transistor : FET) เรียกสั้น ๆ ว่า เฟท ใช้สนามไฟฟ้าในการเปลี่ยนแปลงสภาพของสารกึ่งตัวนำ เพื่อให้เกิด การนำกระแสเมื่อได้รับแรงดันไฟฟ้าที่เหมาะสม.
E N D
ความเป็นมา :เฟท ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า (Field-effect transistor: FET) เรียกสั้น ๆ ว่า เฟทใช้สนามไฟฟ้าในการเปลี่ยนแปลงสภาพของสารกึ่งตัวนำเพื่อให้เกิดการนำกระแสเมื่อได้รับแรงดันไฟฟ้าที่เหมาะสม
เฟทแบ่งออกเป็น 2 กลุ่ม คือ ทรานซิสเตอร์สนามไฟ้ฟาแบบรอยต่อ(Junction Field Effect Transistor) หรือ เจเฟท(JFET) และทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าแบบโลหะ-ออกไซด์-สารกึ่งนำ(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) หรือ มอสเฟท (MOSFET)
มอสเฟท :ประเภท แบ่งเป็น 2 ประเภท • มอสเฟทแบบดีพลีชั่น(Depletion MOSFET) เรียกสั้นๆ ว่า ดีมอสเฟท แบ่งเป็น 2 แบบ • แชนแนล N (N-Channel) - แชนแนล P (P-Channel) • มอสเฟทแบบเอนฮานซ์เมนต์(Enhancement MOSFET) เรียกสั้น ว่า อีมอสเฟท แบ่งเป็น 2 แบบ - แชนแนล N (N-Channel) - แชนแนล P (P-Channel) Note : โดยปกติการใช้มอสเฟทในวงจรกำลังมักเป็น อีมอสเฟท
มอสเฟท :รูปลักษณ์ภายนอก
มอสเฟต: ขาต่อใช้งาน มี 3 ขั้ว • ขั้วซอร์ส (Source : S) • ขั้วเดรน (Drain : D) • ขั้วเกท (Gate : G)
มอสเฟท :สัญลักษณ์ ดีมอสเฟท N-Channel P-Channel สัญลักษณ์ของดีมอสเฟท
มอสเฟท :สัญลักษณ์ อีมอสเฟท N-Channel P-Channel สัญลักษณ์ของอีมอสเฟท
คุณลักษณะของมอสเฟท : บริเวณการทำงาน มี 3 บริเวณ • บริเวณคัตออฟ (Cutoff region) เมื่อ VGS≤VT • บริเวณพินช์ออฟหรือบริเวณอิ่มตัว (Pinch-off or Saturation region) เมื่อ VDS≤VGS –VT • บริเวณที่เป็นเชิงเส้น (Linear region) เมื่อ VDS≥VGS –VT บางครั้งใช้ VGS(TH)
ประโยชน์และการใช้งานของมอสเฟทกำลัง -มีความเร็วในการสวิตช์สูงมาก (เป็นNanosecond)จึง เหมาะกับวงจร Converter ที่มีความถี่สูงและมีกำลังไฟฟ้าต่ำ - ปัญหาในการคายประจุไฟฟ้าสถิต (Electrostatic discharge) ภายในตัวเอง การป้องกันขณะเกิดฟอลต์แบบลัดวงจร (Short circuit fault) ทำได้ยาก