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INFRAESTRUCTURA DE REDES. Universidad Tecnológica de la Selva. Clase 04: Memoria RAM. Ing. Emmanuel Gordillo Espinoza. Objetivos. El alumno conocerá las diferentes tecnologías de memoria RAM El alumno determinara la tecnología de RAM orientada a servidores
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INFRAESTRUCTURA DE REDES Universidad Tecnológica de la Selva Clase 04: Memoria RAM Ing. Emmanuel Gordillo Espinoza
Objetivos • El alumno conocerá las diferentes tecnologías de memoria RAM • El alumno determinara la tecnología de RAM orientada a servidores • El alumno comprenderá los beneficios de seleccionar la RAM adecuada • El alumno conocerá el procedimiento para agregar la memoria RAM al servidor
MEMORIA RAM random-accessmemory • Se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayoría del software. Es allí donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cómputo. • suele referirse a una forma de almacenamiento de estado sólido • otras veces se refiere a otras formas de almacenamiento rápido pero temporal
MEMORIA SIMM Single In line Memory Module • Almacenamiento basado en capacitores • De 30 terminales permitía el manejo de 8 bits y la de 72 terminales 32 bits. • Velocidad de trabajo aproximadamente entre 25 MHZ y 33 MHz • Comienzo de la utilización de ECC Error CodeCorrection • Modo de acceso FPMFast Page Mode • Sus tiempos de acceso fue de 60 nseg y 40 nseg • Capacidades de almacenamiento fueron 256 KB a 8 MB y de 4 MB a 64 MB
MEMORIA DIMMDual In line Memory Module • Almacenamiento basado en chips • Cuenta con 168 terminales manejaban 32 y 64 bits. • Velocidad de trabajo aproximadamente entre 25 MHZ y 150 MHz • Utilización de ECC Error CodeCorrection • Modo de acceso FPMFast Page Mode • Sus tiempos de acceso fue de 12, 10 y 8 nseg • Latencia de la memoria DIMM - SDRAM • Capacidades de almacenamiento fueron de 32 a 512 MB
MEMORIA RIMMRambus In line Memory Module • incorpora su propio bus de datos, direcciones y control de gran velocidad en la propia tarjeta de memoria • Solo funcionaban en pares con 184 terminales • Velocidad de trabajo aproximadamente entre 300 MHZ a 800 MHz • Manejo de 16 bits • Sus tiempos de acceso fue de 40 nseg • Capacidad de almacenamiento fueron de 64 a 256 MB
MEMORIA DDRDual Data Rate • Incorpora dos canales para enviar los datos de manera simultánea • Cuentan con 184 terminales • Velocidad de 266 a 400 MHz • Tiempo de acceso de 7.5 a 5 nseg • Capacidad de 128 MB a 1 GB
MEMORIA DDR2Dual Data Rate • Incorpora dos canales para enviar y además recibir los datos de manera simultánea • Conector especial de 240 terminales, conocidas también como DIMM • Voltaje de alimentación de 1.8 v • Velocidad de 667 a 800 MHz • Tiempo de acceso es de 6 a 5 nseg • Capacidad de almacenamiento de 256 MB a 4 GB • Compatible con AMD e Intel
MEMORIA DDR3Dual Data Rate • Estándar mas actual al igual incorpora dos canales para enviar y además recibir los datos de manera simultánea • Tasa de transferencia es de 12.8 GB/s • Voltaje de alimentación de 1.5 v • Velocidad de 1066 a 2000 MHz • Tiempo de acceso es de menos de 4 nseg • Capacidad de almacenamiento de 1 a 8 GB hasta 16 GB • Compatible con AMD e Intel
Referencias Bibliográficas • http://www.kingston.com/es/business/server_solutions/best_practices/d • http://www.profinmexico.com/ • www.informaticamoderna.com • http://www.alegsa.com.ar/Notas/Otros/categ/2.php
MATERIAL EXTRA • KINGSTON • Manufactura DRAM • Maximizar la Capacidad de Xenon Serie 5600 y E5 • Maximizar el Rendimiento de Xenon Serie 5600 y E5 2600