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TALLER. ELECTRONICA DIGITAL. RESUMEN GRAFICO. LA ELECTRONICA ES LA TECNICA DE:. ALTAS FRECUENCIAS. BAJAS POTENCIAS.

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Presentation Transcript


  1. TALLER ELECTRONICA DIGITAL RESUMEN GRAFICO

  2. LA ELECTRONICA ES LA TECNICA DE: • ALTAS FRECUENCIAS • BAJAS POTENCIAS

  3. Campo de la ingeniería y de la física aplicada al diseño y aplicación de dispositivos, por lo general circuitos electrónicos, cuyo funcionamiento depende del flujo de electrones para la generación, transmisión, recepción y almacenamiento de información. LA INFORMACION PUEDE CONSISTIR EN: • SEÑALES DE RADIO • IMÁGENES EN UNA • PANTALLA • NUMEROS U OTROS DATOS • EN UNA COMPUTADORA

  4. PRIMERA COMPUTADORA DIGITAL ENIAC - 1946 CALCULADOR E INTEGRADOR NUMERICO ELECTRONICO CONSTRUIDO CON 18.000 VALVULAS ELECTRONICAS

  5. PRIMERA COMPUTADORA COMERCIAL UNIVAC 1 - 1951

  6. TRANSISTOR 1948 - LABORATORIOS BELL (EE-UU) POR LOS FISICOS BRATTAIN – BARDEEN y SHOCKLEY PRECURSOR DE LA TECNOLOGIA ELECTRONICA A GRAN ESCALA

  7. SEMICONDUCTORES • SILICIO • GERMANIO • SELENIO LAS PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES SE ESTUDIAN EN LA FISICA DEL ESTADO SOLIDO

  8. Si Si Si Si Si Si Si Si SEMICONDUCTOR INTRINSECO 0 K Si Si: silicio Grupo IV de la tabla periódica

  9. Si Si Si Si Si Si Si Si 300 K Electrón Hueco 0 K + Si

  10. - - - - - - + + + + + + Si Si Si Si Si Si Si SEMICONDUCTOR INTRINSECO: acción de un campo eléctrico + + Si Si

  11. LA CORRIENTE EN UN SEMICONDUCTOR ES DEBIDA A DOS TIPOS DE PORTADORES DE CARGA: • ELECTRONES • HUECOS LA TEMPERATURA AFECTA DIRECTAMENTE A LAS PROPIEDADES ELECTRICAS DE LOS SEMICONDUCTORES

  12. Si Si Si Si Si Si Si Si SEMICONDUCTOR EXTRINSECO : TIPO N Sb: antimonio Impurezas del grupo V de la tabla periódica Si Sb + Es necesaria muy poca energía para ionizar el átomo de Sb A temperatura ambiente todos los átomos de impurezas se encuentran ionizados

  13. + Sb + Sb Sb + Sb + + Sb Sb + Impurezas grupo V Sb + Sb + + Sb + Sb + Sb + Sb Sb + Sb + + Sb Sb + Electrones libres Átomos de impurezas ionizados 300 K Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son electrones libres

  14. Si Si Si Si Si Si Si SEMICONDUCTOR EXTRINSECO : TIPO P Al: aluminio Impurezas del grupo III de la tabla periódica Si Si Al - + Es necesaria muy poca energía para ionizar el átomo de Al A temperatura ambiente todos los átomos de impurezas se encuentran ionizados

  15. - Al - Al Al - Al - - Al Al - Impurezas grupo III Al - Al - - Al - Al - Al - Al Al - Al - - Al Al - Huecos libres Átomos de impurezas ionizados 300 K Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo P son Huecos. Actúan como portadores de carga positiva.

  16. + + - - - + + - + - - + + - + - + - + - - - + + - + + + - + - - UNION P-N UNION EN EQUILIBRIO Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

  17. Zona de transición - + + + - - - + + - + - - + + - + - + - + - - - + + - + + + - + - - Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga espacial denominada ‘zona de transición’. Que actúa como una barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.

  18. + UNION P-N POLARIZADA INVERSAMENTE N P + + - - - + + - + - - + + - + - + - + - - - + + - + + + - + - - La zona de transición se hace más grande. Con polarización inversa no hay circulación de corriente.

  19. + UNION P-N POLARIZADA EN DIRECTA N P + + - - - + + - + - - + + - + - + - + - - - + + - + + + - + - - La zona de transición se hace más pequeña. La corriente comienza a circular a partir de un cierto umbral de tensión directa.

  20. Concentración de huecos Concentración de electrones + N P + + - - - + + - + - - + + - + - + - + - - - + + - + + + - + - - La recombinación electrón-hueco hace que la concentración de electrones en la zona P disminuya al alejarse de la unión.

  21. CIRCUITO INTEGRADO FINES DE LA DECADA DE LOS 50s POR JACK KILBY y ROBERT NOYCE PRIMER CIRCUITO INTEGRADO DE LA HISTORIA

  22. SILICON VALLEY (EE-UU)

  23. SILICIO

  24. ACTUALIDAD… -NANOELECTRONICA -OPTOELECTRONICA

  25. GRACIAS POR TU ATENCION

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