1 / 28

Vlastní vodivost

Vlastní vodivost. Shockleyho model. Závislost odporu na teplotě. Vodivost N. Model. Vodivost P. Model. Přechod PN: polovodičová dioda. Přechod PN. Přechod PN. Přechod PN. VA charakteristika diody. 1. Usměrňování. Hrotová dioda Plošná dioda. Usměrňování. Jednocestné

chiko
Download Presentation

Vlastní vodivost

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Vlastní vodivost

  2. Shockleyho model

  3. Závislost odporu na teplotě

  4. Vodivost N

  5. Model

  6. Vodivost P

  7. Model

  8. Přechod PN: polovodičová dioda

  9. Přechod PN

  10. Přechod PN

  11. Přechod PN

  12. VA charakteristika diody

  13. 1. Usměrňování • Hrotová dioda • Plošná dioda

  14. Usměrňování • Jednocestné • Dvojcestné – Grätzův můstek

  15. 2. stabilizace obvodů – Zenerova dioda

  16. Stabilizace obvodů • Zenerova dioda

  17. 3. Řízení odporu • Dioda PIN

  18. 3. Řízení odporu • Dioda PIN Užívá se v oblasti centimetrových vln jako řízený odpor nebo spínač. Skládá se ze dvou silně legovaných oblastí P+ a N+ a oblasti vlastního (intrinzického) polovodiče I. Pro funkci diody je rozhodující vlastnost vrstvy I. Přiloží-li se na PIN diodu napětí v přímém směru, dojde k injekci nosičů do obou konců oblasti I a její odpor se zmenšuje v závislosti na procházejícím proudu. Vzhledem ke značné časové konstantě rekombinace (asi 1 μs) a velké době potřebné k extrakci těchto nosičů z vrstvy I nestačí se při vyšších kmitočtech oblast I vyprázdnit v průběhu záporné půlperiody. Proto se při harmonickém průběhu vf. napětí ustálí střední hodnota nosičů v oblasti I a dioda z vysokofrekvenčního hlediska představuje nízkou impedanci, ve velkém rozsahu nezávislou na přenášeném výkonu. Při závěrně polarizované PIN diodě dojde k odčerpání náboje z objemu vrstvy I a vytvoří se oblast prostorového náboje (tloušťka závisí na přiloženém napětí). Dioda se chová jako kondenzátor, jehož hodnota klesá. Přivedeme-li vf. napětí, nestačí se vrstva I v průběhu kladné půlperiody zaplnit nosiči a dioda vykazuje vysokou impedanci s malou závislostí na přivedeném výkonu.

  19. 4. Diody s optickými vlastnostmi • LED dioda

  20. 4. Diody s optickými vlastnostmi • Fotodioda

  21. Bipolární tranzistor

  22. Bipolární tranzistor • Střední část krystalu je báze B a přechody PN ji oddělují od oblastí s opačným typem vodivosti – kolektoru C a emitoru E. • V praxi bývá plocha kolektoru podstatně větší, než plocha emitoru, dotace emitoru příměsemi bývá vyšší a dotace kolektoru nižší.

  23. Zapojení se společnou bází

  24. Zapojení se společnou bází

  25. Zapojení se společným emitorem

  26. Unipolární tranzistor (řízený polem) MOSFET (metal-oxid-semiconductor-field-effect-transistor)

  27. Unipolární tranzistor (řízený polem) MOSFET (metal-oxid-semiconductor-field-effect-transistor)

  28. Tyristor

More Related