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Integração de Processo de Microeletrônica Exemplo: processo nMOS com: - porta Si-poli - isolação LOCOS

Integração de Processo de Microeletrônica Exemplo: processo nMOS com: - porta Si-poli - isolação LOCOS. Litografia: de máscara à gravação. Deposição de camada de Si 3 N 4 por CVD. Ex.: SiH 4 + N 2. Aplicação e espalhamento de fotorresiste. Spinner. Alinhamento da Máscara e Exposição.

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Integração de Processo de Microeletrônica Exemplo: processo nMOS com: - porta Si-poli - isolação LOCOS

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Presentation Transcript

  1. Integração de Processo de MicroeletrônicaExemplo: processo nMOS com: - porta Si-poli - isolação LOCOS

  2. Litografia: de máscara à gravação

  3. Deposição de camada de Si3N4 por CVD Ex.: SiH4 + N2

  4. Aplicação e espalhamento de fotorresiste Spinner

  5. Alinhamento da Máscara e Exposição

  6. Revelação do Fotorresiste

  7. Corrosão do Si3N4 por plasma reativo

  8. Remoção do fotorresiste por dissolução em acetona

  9. Oxidação do Si em Forno Térmico Ex.: 1000 °C em O2 + H2O

  10. Corrosão da camada de Si3N4 em H3PO4

  11. Oxidação do Si em Forno Térmico Óxido Fino de 2 a 50 nm Ex. 900 °C em O2

  12. Deposição de camada de Si-poli por CVD Ex. 650 °C em SiH4

  13. Fotolitografia e corrosão da camada de Si-poli por plasma reativo

  14. Formação de Fonte/Dreno por Implantação de Íons Ex.: íons de fósforo a 50 keV, 1016/cm2

  15. Deposição de camada de SiO2 por PECVD Ex.: a 400 °C em SiH4 + N2O

  16. Fotolitografia e corrosão da camada de SiO2 por plasma reativo

  17. Deposição de camada de Alumínio por evaporação térmica ou por “sputtering”.

  18. Fotolitografia e corrosão da camada de Alumínio por plasma reativo

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