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Travail sur machine de la dernière fois Pas mal dans l’ensemble. Pour deux groupes, des résultats que je ne retrouve pas. Comparaison métal / semi-conducteur / isolant : le nb de porteurs dépend fortement de T dans un semi-conducteur, quasiment pas dans un métal (OK)
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Travail sur machine de la dernière fois • Pas mal dans l’ensemble. Pour deux groupes, des résultats que je ne retrouve pas. • Comparaison métal / semi-conducteur / isolant : • le nb de porteurs dépend fortement de T dans un semi-conducteur, quasiment pas dans un métal (OK) • il y a typiquement 1010 fois plus de porteurs dans un métal de dans un semi conducteur, et 1010 fois plus de porteurs dans un semi conducteur que dans un isolant. • Pensez à récupérer vos fiches !
BC Dopage n BV a b c d e Un électron de la BC vient soit du dopant soit de la BV. Nbre d’e- BC= nbre de trous état du dopant + nbre de trous BV BC Ec Ec Ed Dopage p b c d e Ea Ev Ev BV a T T Un e- qui quitte la BV va soit sur un dopant, soit dans la BC Nbre de trous BV = Nbre d’e- état du dopant + nbre d’e- BV ionisation extrinsèque intrinsèque ionisation extrinsèque intrinsèque Charges mobiles = trous de la BV + électrons de la BC
Définition du ½ conducteur Définition du dopage Le programme sait calculer le niveau de Fermi qui vérifie nbre d’électrons (fixes ou mobiles) = nombres de trous (fixes ou mobiles)