1 / 20

Semiconductors The Fourth Lecture

أشباه موصلات المحاضرة الرابعة. Semiconductors The Fourth Lecture . الخميس 27/ 4/ 1435 ھ الثامنة أ / سمر السلمي. Outline for today. الشوائب والخلل في البلورات الروابط الكيماوية. الشوائب والخلل في البلورات. Impurities and imperfections in crystals. الروابط الكيماوية Chemical binding:

enan
Download Presentation

Semiconductors The Fourth Lecture

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. أشباه موصلاتالمحاضرة الرابعة SemiconductorsThe Fourth Lecture الخميس 27/ 4/ 1435 ھ الثامنة أ / سمر السلمي

  2. Outline for today • الشوائب والخلل في البلورات • الروابط الكيماوية

  3. الشوائب والخلل في البلورات Impurities and imperfections in crystals • الروابط الكيماوية • Chemical binding: • الرابطة الايونية Ionic Bonds • الرابطة التساهميةCovalent Bonds • الرابطة المختلطة the mixed bond • الرابطة المعدنية Metallic Bond • رابطة فان دير فالسvan-der-Waals Bond • الرابطة الهيدروجنيةhydrogen bond

  4. الرابطة الايونية • Ionic Bond: • البلورة الايونية مكونة من ايون موجب وايون سالب • والرابطة الايونية ناتجة من تجاذب الالكتروستاتيكي بينهما • مثال NaCl • البلورة هنا عازلة بسبب عدم وجود الكترونات حرة • لتسبح داخل البلورة sc lattice with different atoms or 2 interpenetrating fcc lattice

  5. الرابطة الايونية • Ionic Bond: • العلاقة أو جهد كولوم بين تجاذب الإيونين • المسافة بين إيونات • R المسافة لأقرب ذرة مجاورة و معامل • وبالتالي جهد كولوم بين الايون وجميع الذرات المجاورة sc lattice with different atoms or 2 interpenetrating fcc lattice α is the Madelung constantهو ثابت مادلونغ وهي تعتمد على structure للمركب مثال (halite structure

  6. E • الرابطة الايونية • Ionic Bond: • طاقة الرابطة الايونية = طاقة الجذب الكهروستاستكي بين الايونين(Na+, Cl-)– طاقة التنافر بين الالكترنات في مدار الذرة وبين النواة • Ebond= Eelectrostaion - Erepulsive • طاقة الجذب الكهروستاستكيطاقة التنافر • في حالة الأعداد مساوي لشحنات الايونات حيث B ثابت • في حالة اختلاف الشحنات الايونات • وهي لصغيةMmXn وبالتالي لابد mZM=nZX

  7. E • الرابطة الايونية • Ionic Bond: • طاقة الرابطة الايونية = طاقة الجذب الكهروستاستكي بين الايونين(Na+, Cl-) – طاقة التنافر بين الالكترنات في مدار الذرة وبين النواة • Ebond= Eelectrostaion - Erepulsive

  8. الرابطة التساهمية • Covalent Bond : • تعتمد على قوة الكم حيث تساهم كل ذرة بإلكترون أو أكثر لتكوين الرابط • بعد تكوين الرابطة تكون كل الكترون مساهمة به غير مميزة (Indistinguishable)مثال Si

  9. مستويات الطاقة في بئر الجهد لذرتين من السليكون: • Energy levels in potential well of two of Si atoms:

  10. الرابطة التساهمية • Covalent Bond : • تعتمد على قوة الكم مثال H2 http://www.tutorsglobe.com/homework-help/organic-chemistry/atomic-and-molecular-orbits-assignment-help-7500.aspx

  11. الفرق بين الرابطة الايونية والتساهمية:

  12. الرابطة المختلطة : • the mixed bond : • في المركبات III–V and II–VI تتكون رابطين : رابطة التساهمية ورابطة إيونية • مثال GeAs(A atom and B atom) • جهد كولوم لذرة A ولذرة B هما و على التوالي • في منتصف ذرتين A و B • الجهد لالكترونات التكافؤ في البلورة • بينما الجمع لـ α و β هم لجميع الذراتA و B على التوالي zincblende structure at (1/8, 1/8, 1/8)a)

  13. الرابطة المختلطة : • the mixed bond : • جهد البلورة يمكن أن ينقسم إلى قسم مماثل وهو جهد الرابطة التساهمية وقسم غير مماثل وهو جهد الرابطة الايونية zincblende structure at (1/8, 1/8, 1/8)a)

  14. شبيكةزنكبلندZincblende III-VI . . .: . .. . .. .

  15. الرابطة المختلطة الرابطة الايونية الرابطة التساهمية

  16. Next class review • الشوائب والخلل في البلورات • أنواع العيوب • اشباه الموصلات النقية والغيرنقية

More Related