Diplomkolloquium Stefan Polzin

1. DiplomkolloquiumStefan Polzin Charge Pumping Messplatz

2. Überblick • Aufgabenstellung • Konzept Charge Pumping • Messplatz • Zusammenfassung & Ausblick

3. Einführung • Warum Charge Pumping?

4. Einführung • Warum Charge Pumping?

5. Einführung • Warum Charge Pumping?

6. Überblick • Aufgabenstellung • Konzept Charge Pumping • Messplatz • Zusammenfassung & Ausblick

7. 1. Aufgabenstellung „Aufbau eines rechnergestützten Messplatzes zur Charakterisierung von MOSFETs durch Charge Pumping“ d.h. • Einarbeitung in die Theorie • Auswahl der Messgeräte • Software schreiben • Messungen

8. Überblick • Aufgabenstellung • Konzept Charge Pumping • Messplatz • Zusammenfassung & Ausblick

9. Aufbau Signale Rechteck (Trapez) Sägezahn (Dreieck) Sinus 3. Konzept des Charge Pumping

10. 3. Konzept des Charge Pumping • Arbeitsbereiche

11. 3. Konzept des Charge Pumping • Arbeitsbereiche Vbase, Vtop<Vfb; ICP=0

12. 3. Konzept des Charge Pumping • Arbeitsbereiche • Vbase, Vtop<Vfb; ICP=0 • Vbase<Vfb<Vtop<Vt; 0<ICP<ICP,max

13. 3. Konzept des Charge Pumping • Arbeitsbereiche • Vbase, Vtop<Vfb; ICP=0 • Vbase<Vfb<Vtop<Vt; 0<ICP<ICP,max • Vbase<Vfb<Vt<Vtop; ICP=ICP,max

14. 3. Konzept des Charge Pumping • Arbeitsbereiche • Vbase, Vtop<Vfb; ICP=0 • Vbase<Vfb<Vtop<Vt; 0<ICP<ICP,max • Vbase<Vfb<Vt<Vtop; ICP=ICP,max • Vfb<Vbase<Vt<Vtop; 0<ICP<ICP,max

15. 3. Konzept des Charge Pumping • Arbeitsbereiche • Vbase, Vtop<Vfb; ICP=0 • Vbase<Vfb<Vtop<Vt; 0<ICP<ICP,max • Vbase<Vfb<Vt<Vtop; ICP=ICP,max • Vfb<Vbase<Vt<Vtop; 0<ICP<ICP,max • Vbase, Vtop>Vt; ICP=0

16. 3. Konzept des Charge Pumping • Auftretende Ströme Minoritätsladungsträger zurück nach Source / Drain Minoritätsladungsträger in das Substrat Interface Trapped Charges, nahe Emin, werden emittiert und nehmen an (1) und (2) teil Eingefangende Minoritätsladungsträger mit Majoritätsladungsträgern an Grenzschicht rekombinieren

17. 3. Konzept des Charge Pumping • Auftretende Ströme Minoritätsladungsträger zurück nach Source / Drain Minoritätsladungsträger in das Substrat Interface Trapped Charges, nahe Emin, werden emittiert und nehmen an (1) und (2) teil Eingefangende Minoritätsladungsträger mit Majoritätsladungsträgern an Grenzschicht rekombinieren

18. 3. Konzept des Charge Pumping • Charge Pumping Kurve

19. 3. Konzept des Charge Pumping • Formeln • Allg.

20. 3. Konzept des Charge Pumping • Formeln • Allg.

21. 3. Konzept des Charge Pumping • Formeln • Allg. • Rechteck

22. 3. Konzept des Charge Pumping • Formeln • Allg. • Rechteck • Sägezahn

23. 3. Konzept des Charge Pumping • Formeln • Allg. • Rechteck • Sägezahn • Sinus

24. 3. Konzept des Charge Pumping • Vorteil • Standardequipment • Kurze Messzeiten • Direktes Messverfahren • Anwendung • Bestimmung Interface Trap Density Dit  Qualitäts- und Prozesskontrolle

25. Überblick • Aufgabenstellung • Konzept Charge Pumping • Messplatz • Zusammenfassung & Ausblick

26. 4. Messplatz • Struktur

27. 4. Messplatz • Struktur

28. 4. Messplatz • Struktur

29. 4. Messplatz • Struktur

30. 4. Messplatz • Struktur

31. 4. Messplatz • Struktur Source Gate Drain

32. 4. Messplatz • Aufbau Variante 2

33. 4. Messplatz • Software • Teilprogramme und Hauptprogramm • Parametereingabe über • Panel • Code

34. 4. Messplatz • PAP Hauptprogramm

35. 4. Messplatz • Programm Code Aufruf

36. 4. Messplatz • PAP Unterprogramm

37. 4. Messplatz • Vorteile dieser Programmstruktur • Nur einmal Aufsetzen • Keine unterschiedlichen Kontaktbedingungen • Mehrere Messungen mit unterschiedlichen Parametern

38. 4. Messplatz • Messdateien Überblick

39. 4. Messplatz • Messdatei Frequenz

40. 4. Messplatz • Messdatei All

41. 4. Messplatz • Emailbestätigung

42. 4. Messplatz • Beispielmessungen

43. 4. Messplatz • Beispielmessungen

44. 4. Messplatz • Beispielmessungen

45. 4. Messplatz • Probleme • Selector • Nadelkarte

46. Überblick • Aufgabenstellung • Grundlagen Charge Pumping • Konzept Charge Pumping • Messplatz • Zusammenfassung & Ausblick

47. 5. Zusammenfassung & Ausblick • andere Nadelkarte • Software • Weitere Tests