1 / 19

MIKROELEKTRONIKA 4.

MIKROELEKTRONIKA 4. 1. Nemlineáris elektromos jelenségek, eszközök 2. Félvezetők optikája, nemegyensúlyi folyamatok, fotovezetés, lumineszcencia, eszközök. Negatív differenciális ellenállás kialakulása (σ d =dI/dV):. Lineáris eset : J= σ E = eµnE,

lilian
Download Presentation

MIKROELEKTRONIKA 4.

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. MIKROELEKTRONIKA 4. 1. Nemlineáris elektromos jelenségek, eszközök 2. Félvezetők optikája, nemegyensúlyi folyamatok, fotovezetés, lumineszcencia, eszközök

  2. Negatív differenciális ellenállás kialakulása (σd=dI/dV): Lineáris eset : J= σE = eµnE, az elektron termodinamikai egyensúlyban van a ráccsal, az elektromos tér elhanyagolhatóan hat a teljes energiára I E elektromos térben azlszabadúthosszon az elektron eEl energiára tesz szert, amelyet akusztikai fononnak ad át vagy kap ütközések következtében. Viszonylagos energiavesztés: =E/kT. Még nagyobb sebesség –bekapcsolódnak az optikai fononok is, a folyamat telítődik. Az ütközés rugalmas, ha eEl / E  1, ekkor vv0, azaz a pótsebesség kisebb az egyensúlyinál. Ha összemérhető vagy nagyobb – nemlineáris effektus V I, A/cm2 1000 100 10 Ge, 300K 100 1000 V/cm

  3. Mechanizmusok: Ütközési (Avalanche) ionizáció, (E≈ 5 V/cm – az adalékok ionizációja) E Elektrostatikus ionizáció , a potenciális gát csökkenése: Tunelezés : Háromszögű gát áthaladásának valószínűsége: U E 107 V/cm Ed Ec 105 V/cm rm Ev

  4. Alagútdióda működése:

  5. OVONIC switch Statikus (a) és impulzus karakterisztikák (b) bistabil OVONIC kapcsolóban Statikus (a) és impulzus karakterisztikák (b) monostabil OVONIC kapcsolóban

  6. Zener dióda (stabilitron) C. Zener – az átütés tunelezési mechanizmusa. 5,6 V letörési feszültség, egy másik diódával kompenzált diódában 6,2 V. –akár referencia! Áram, feszültség, hőmérséklet stabilizálás.

  7. Metallization cell memory switch M.Mitkova.

  8. Félvezetők optikája Optikai elnyelés: Bouguer törvénye • Két fontos feltétel: • foton-elektron kölcsönhatásnál marad a teljes energia • E1= E+h • 2. foton-elektron kölcsönhatásnál marad az elektron kvaziimpulzusa • p1=p+hk/2, k – hullámvektor • E=p2/2m*, p=kh/2π I0 IR I1 x I Tehát ha 0, k  0, dielektrikum, az anyag áttetsző, 1+( 1+( n4Eg=77

  9. Lehető elektronátmenetek a félvezetőkben: E Ec Ev Direkt megengedett átmenetek

  10. Nemegyensúlyi folyamatok, fotovezetés Fotovezetés spektruma. Fotovezetés: f =e(n0+n)n +(p0+p)p p-n átmenet, napelem f stac = e  α n I / h L Hozam: G=Ifoto/Ifoton Ifoto=e(Iopt/h)(nV/L)

  11. Fotorezisztorok kvantum hatásfoka

  12. Lumineszcencia, eszközök Hatásfok :=pr / pr+ pnr E Foto- Röntgen- Elektro- Termo- Chemo- nr r Indikátorok, Képernyők, Kimenet: LED, laser, MQWL.

  13. LED és LD

  14. LED

  15. OLED Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium (AlQ3)

More Related