1 / 8

Digitální učební materiál

Digitální učební materiál. DĚLENÍ PODLE PRINCIPU ČINNOSTI PAMĚŤOVÉ BUŇKY. Paměťová buňka je základní jednotkou paměťového obvodu, protože je v ní uložena základní informační jednotka - 1 bit .

millie
Download Presentation

Digitální učební materiál

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Digitální učební materiál

  2. DĚLENÍ PODLE PRINCIPU ČINNOSTI PAMĚŤOVÉ BUŇKY • Paměťová buňka je základní jednotkou paměťového obvodu, protože je v ní uložena základní informační jednotka - 1 bit. • Podle principu činnosti paměťové buňky dělíme paměti na statické, dynamické, a buňky pevných pamětí.

  3. DĚLENÍ PODLE PRINCIPU ČINNOSTI PAMĚŤOVÉ BUŇKY PAMĚTI STATICKÉ DYNAMICKÉ PEVNÉ PROGRAMOVATELNÉ

  4. DĚLENÍ PODLE PRINCIPU ČINNOSTI PAMĚŤOVÉ BUŇKY Statické • Paměťová buňka statických RWM-RAM polovodičových pamětí je tvořena bistabilním klopným obvodem. • Složitost klopného obvodu závisí na použité technologii. • Statické paměti RWM-RAM se značí zkratkou SRAM (StaticRAM).

  5. DĚLENÍ PODLE PRINCIPU ČINNOSTI PAMĚŤOVÉ BUŇKY Dynamické • Dynamické RWM-RAM paměti pro čtení a zápis mají základní paměťovou buňku tvořenou MOS tranzistorem. • Informace je v každé buňce uložena ve formě náboje v kapacitoru tvořeném elektrodami tranzistoru MOS. • Aby se náboj v kapacitoru (kapacita menší než 1 pF) udržel, je třeba ho pravidelně obnovovat (Refresh). • Dynamické paměti RWM-RAM se značí zkratkou DRAM (DynamicRAM).

  6. DĚLENÍ PODLE PRINCIPU ČINNOSTI PAMĚŤOVÉ BUŇKY Pevné programovatelné • Pevné programovatelné paměti PROM, EPROM a EEPROM uchovávají informaci v různých typech paměťových buněk. • U pamětí PROM spočívá programování v přepálení tavných spojek nebo polovodičových diod v paměťových buňkách (nevratné změny), tím se trvale změní jejich logická hodnota. • Paměti EPROM a EEPROM používají paměťovou buňku se strukturou MOS tranzistorů splovoucím hradlem.

  7. Kontrolní otázky • Co je paměťová buňka? • Jak dělíme paměti podle principu činnosti paměťové buňky? • Popište paměťové buňky a jejich činnost s označením SRAM. • Čím je tvořena paměťová buňka paměti s označením DRAM. • Popište činnost paměťové buňky s označením DRAM. • Popište programování pamětí PROM na rozdíl od EPROM a EEPROM z hlediska principu paměťových buněk.

  8. Použité zdroje: • ANTOŠOVÁ, Marcela a Vratislav DAVÍDEK. Číslicová technika. 3. vyd. České Budějovice: Kopp, 2008, 286 s. ISBN 978-80-7232-333-3. • Autorem všech částí tohoto učebního materiálu, není-li uvedeno jinak, je Jiří Gregor.

More Related