170 likes | 304 Views
Introduksjon til utleggsregler. Enkle utleggsregler:. Inverter. Enkle MOS kapasitans modeller. Gatekapasitens:. der. der. Oppgave 2.4. En transistor med lengde 90 nm har en tykkelse på gateoksid( t ox ) lik 16Å. Hva blir gatekapasitans per mikrometer?. Løsning:. Gatekapasitans detaljer.
E N D
Introduksjon til utleggsregler Enkle utleggsregler: Inverter INF3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
Enkle MOS kapasitans modeller Gatekapasitens: der der INF3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
Oppgave 2.4 En transistor med lengde 90nm har en tykkelse på gateoksid(tox) lik 16Å. Hva blir gatekapasitans per mikrometer? Løsning: INF3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
Gatekapasitans detaljer Ubiasert gatekapasitans: Operasjonsområde AV: Operasjonsområde LINEÆR: Overlappskapasitanser (statiske): Operasjonsområde METNING: Gatekapasitans: INF3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
INF3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
Diffusjonskapasitans detaljer Diffusjonskapasitans source: der: INF3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
Oppgave 2.5 Beregn diffusjonskapasitans Cdbfor en transistor med en (minimum) kontakt på drain i en 0.6μm prosess når drainspenningen er 0V og VDD = 5V . Anta at substratet er jordet. Parameterverdier er CJ = 0.42fF/μm2, MJ= 0.44, CJSW= 0.33fF/μm, MJSW = 0.12 og Ψ0 = 0.98V ved romtemperatur. Løsning: INF3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
ENKLE RC modeller Motstand i transistor: INF3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
INF3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
Transmisjonsport: INF3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
RC forsinkelsesmodeller INF3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
Eksempel NAND3: Seriekobling av transistorer: Parallellkobling av transistorer: INF3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
Transisjon fra 0 til 1: Transisjon fra 1 til 0: INF3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
RC modell INF3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
Oppgave C Tegn transistorsjematikk for en toinngangs NOR port med transistor bredder slik at effektiv motstand i nedtrekket blir lik en enhetsinverter. Beregn stige og fall forsinkelse når porten skal drive h identiske NOR porter ved å bruke enkle RC modeller. Løsning: INF3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
Hastighetsmetning Hastigheten til ladningsbærere: AV LINEÆR der: Metning Transistormodeller: AV Metningsspenning LINEÆR Metning INF3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
INF3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler