420 likes | 534 Views
Fyzikální chemie NANO materiálů. 9. Termodynamika chemických reakcí nanomateriálů: I. Systémy (s)-(g).
E N D
Fyzikální chemie NANOmateriálů 9. Termodynamika chemických reakcí nanomateriálů:I. Systémy (s)-(g) … „One nanometer is one billionth of a meter. It is a magical point on the scale of length, for this is the point where the smallest man-made devices meet the atoms and molecules of the natural world.“ (Professor Eugen Wong, Assistant Director of the National Science Foundation, 1999) 1
Obsah přednášky (2014) 1. Chemická rovnováha v systémech (s1)-(s2)-(g) 1.1 Obecná podmínka chemické rovnováhy (jedna reakce) 1.2 Podmínka rovnováhy v systémech (s1)-(s2)-(g) 1.3 Vliv velikosti částic na rovnováhu v systémech (s1)-(s2)-(g) 1.4 Vliv tloušťky vrstvy na rovnováhu v systémech (s1)-(s2)-(g) 1.5 Vliv tloušťky na strukturu vznikající vrstvy 1.6 Závislost ΔrH a ΔrS na velikosti částice 1.7 ZávislostΔrH a ΔrS na tloušťce vrstvy 2. Chemická rovnováha (s)-(g) ve vícesložkových systémech 2.1 Podmínky chemické rovnováhy ve vícesložkových systémech 2.2 Termodynamika procesu CVD
2 FeOOH(s) = Fe2O3(s) + H2O(g) Vliv velikosti na rovnováhu chemických reakcí • Povrchová energie • Povrchové napětí Stejná stechiometrie/složení, jiné strukturní modifikace - Al-Al2O3-O2(g), Zr-ZrO2-O2(g) Stejná stechiometrie/složení, stejné strukturní modifikace, jiná stabilita - Me-MeOx-O2(g), Me-MeHx-H2(g) Jiná stechiometrie/složení - Si-Ni-NiSi-NiSi2, GaCl3-InCl3-NH3-(Ga,In)N
Obecná podmínka rovnováhy jedné chemické reakce Chemická reakce (zahrnuje i fázové přeměny 1.řádu) Reakční Gibbsova energie – rovnovážná konstanta http://www.vscht.cz/ipl/TM2.html
Podmínka rovnováhy reakce (s1)-(s2)-(g) 3 Fe(s1) + 2 O2(g) = Fe3O4(s2) 2 FeOOH(s1) = Fe2O3(s2) + H2O(g)
Příklad: systém Ag-O 4 Ag(s1) + O2(g) = 2 Ag2O(s2)
Ag2O Ag Vliv velikosti částic na rovnováhu reakce (s1)-(s2)-(g) 4 Ag(s1) + O2(g) = 2 Ag2O(s2) O2(g,T, p(O2))
Vliv velikosti částic na rovnováhu reakce (s1)-(s2)-(g) 4 Ag(s1) + O2(g) = 2 Ag2O(s2) 0,929
Vliv velikosti částic na rovnováhu reakce (s1)-(s2)-(g) Závislost rovnovážné teploty na r při stálém p(O2)
Vliv velikosti částic na rovnováhu reakce (s1)-(s2)-(g) Rozpouštěcí kalorimetrie • Vzorky kovů a jejich oxidů o různém měrném povrchu (BET). • Stanovení množství adsorbované vody před měřením vážením. • Rozpouštění v oxidických taveninách 3Na2O·4MoO3 nebo 2PbO·B2O3 (700 °C). • Určení specifické povrchové entalpiehsurf γsurf z termochemického cyklu.
hydrated anhydrous Vliv velikosti částic na rovnováhu reakce (s1)-(s2)-(g)
Vliv velikosti částic na rovnováhu reakce (s1)-(s2)-(g) A Navrotsky et al. Science 2010;330:199-201
hydrated anhydrous Vliv velikosti částic na rovnováhu reakce (s1)-(s2)-(g) A Navrotsky et al. Science 2010;330:199-201
O2(g,T, p(O2)) O2(g,T, p(O2)) Ag Ag Ag2O Vliv velikosti částic na rovnováhu reakce (s1)-(s2)-(g) 2 Ag(s1) +½ O2(g) = Ag2O(s2) 0,05 Jm-2
O2(g,T, p(O2)) O2(g,T, p(O2)) Ag2O Ag Ag Vliv tloušťky vrstvy na rovnováhu reakce (s1)-(s2)-(g) 2 Ag(s1) + ½O2(g) = Ag2O(s2) δ
Vliv tloušťky na strukturu vznikající vrstvy Me(s) + X2(g) = MeX2(α) Me(s) + X2(g) = MeX2(β) Cf. Jeurgens et al. (PRB, 2000)
Vliv tloušťky na strukturu vznikající vrstvy Me(s) + X2(g) = MeX2(α) Me(s) + X2(g) = MeX2(β)
Vliv tloušťky na strukturu vznikající vrstvy Me(s) + X2(g) = MeX2(α) Me(s) + X2(g) = MeX2(β)
Vliv tloušťky na strukturu vznikající vrstvy Co jsme zanedbali? L.P.H. Juergens et al. (2000)
Vliv tloušťky na strukturu vznikající vrstvy Krystalický nebo amorfní ? -Al2O3
Závislost ΔrHo,np a ΔrSo,np na velikosti částic Me(s1) + X2(g) = MeX2(s2) Předpoklad: γ ani Vm nezávisí na teplotě
Závislost ΔrHo,np na velikosti částic Mg(s1) + H2(g) = MgH2 (s2)
MgH2 (T = 0 K) Závislost ΔrHo,np na velikosti částic
Závislost ΔrHo,np na velikosti částic Q. Jiang, C.C. Yang, J.C. Li: Mater. Lett. 56 (2002) 1091-1021 L.H. Liang, G.W. Yang, B. Li: J. Phys. Chem. B 109 (2005) 16081-16083
Závislost ΔrHo,nf a ΔrSo,nf na tloušťce vrstvy Me(s1) + X2(g) = MeX2(s2) Předpoklad: γ ani Vm nezávisí na teplotě
Chemické rovnováhy ve vícesložkových nanosystémech • Povrchová energie • Povrchové napětí • Dodatkové a směšovací veličiny
Podmínky chemické rovnováhy ve vícesložkových systémech Systém: N složek (látek+fáze) tvořených M prvky Počet nezávislých chemických reakcí R Gibbsovo stechiometrické pravidlo
Metoda CVD a její využití pro přípravu nanostrukturovaných materiálů Příprava tenkých vrstev (tloušťky do 100 nm) a jiných nanostruktur (nanotube/nanowire arrays) chemickou reakcí s výchozích plynných látek (prekurzorů). Různé varianty: CVD, MOCVD, LPCVD, PECVD, ..., ALE • Prvky:C(dia), Grafen, Si, W, ... • Anorganické sloučeniny (čisté látky):ZnO, TiO2,ZrO2, HfO2, WO3, CoGa2O4, CdS, CdSe, FeSe, GaN, InN, InP, TiN, W2N, Ni5Ge3, ... • Tuhé roztoky: (Zn1-xMnx)O, (Al,Ga,In)N, ... • Kompozitní materiály:C(dia)/SiC, TiN/Si3N4, ...
Metoda CVD – termodynamický model Koncept lokální termodynamické rovnováhy • Předpokládá ustavení termodynamické rovnováhy mezi vznikající pevnou fází a plynnou fází v jejím okolí. • Pro zvolené hodnoty T, p a nio je možné určit fázové složení a složení vícesložkových fází. • Výpočet rovnovážného složení minimalizací celkové Gibbsovy energie systému na množině bodů splňujících podmínky látkové bilance. http://www.vscht.cz/ipl/osobni/leitner/prednasky/Chemrovnovah/FCHR_T11_2011.ppt
Metoda CVD – termodynamický model CVD (fázové/depoziční) diagramy Systém Zr-C-Cl-H (g)-fáze (64 složek) (s)-fáze (7 látek: ZrCl2, ZrCl3, ZrCl4, ZrC, Zr2C, ZrC3 a C(gra)) Vliv velikosti (tloušťky vrstvy): - Povrchová energie (sg) - Mezifázová energie (ss) podložka-vrstva
1000 nm Nanovlákna InGaN připravené metodou CVD (InxGa1-x)N na safírové podložce - CVD
Nanovlákna InGaN připravené metodou CVD (1-x) GaCl3(g) + x InCl3(g) + NH3(g) = Ga1-xInxN(s) + 3 HCl(g)
Nanovlákna InGaN připravené metodou CVD GaCl3(g) + InN(s) = GaN(s) + InCl3(g) bulk
Nanovlákna InGaN připravené metodou CVD Vliv velikosti na omezenou mísitelnost GaN-InN