350 likes | 595 Views
Instytut Problemów Jądrowych. Od warstwy epitaksjalnej poprzez heterostruktury do przyrządów optoelektronicznych. Karolina Danuta Pągowska. Plan seminarium. Znaczenie związków półprzewodnikowych III-V Wytwarzanie warstw czyli epitaksja i wzrost epitaksjalny
E N D
Instytut Problemów Jądrowych Od warstwy epitaksjalnej poprzez heterostruktury do przyrządów optoelektronicznych Karolina Danuta Pągowska
Plan seminarium • Znaczenie związków półprzewodnikowych III-V • Wytwarzanie warstw czyli epitaksja i wzrost epitaksjalny • Techniki wzrostu warstw: MOCVD i MBE • Metody charakteryzacji: • HRXRD • TEM • RBS/channeling • Przykłady
Znaczenie związków III-V Związki półprzewodnikowe III-V są wykorzystywane do wytwarzania nowoczesnych przyrządów półprzewodnikowych dla mikro- i optoelektroniki.
III Związki grup III-V V III-N GaN, AlGaN, InGaN
z The quantum well Electron confinement on z-axis
Quantum Well 2D Quantum Wire 1D Quantum Dot 0 D Low dimensional structures
Layer by layer gowth (Frank - van der Merwe) Island growth (Vollmer – Weber) Layer plus island growth (Stransky – Krastanow) Self-organization processes during epitaxial growth Intermediate misfit Small misfit Large misfit
Strained lattice-mismatched heterostructure • Misfit f = (as-af)/asf(InAs/GaAs) = 7.1%f(Si/Ge) = 4.0 %f(AlAs/GaAs) = 0.1%
Lattice Parameter vs. Bandgap for III-V Compound Semiconductors
Material systems: active layer/ barier layers Useful wavelength range (μm) GaAs/ AlxGa1-xAs GaAs/ InxGa1-xP InyGa1-yAs/ InxGa1-P InxGa1-xAsyP1-y/InP InxGa1-xN/GaN 0.80 -0.90 0.90 – 1.00 0.85-1.10 0.92-1.70 0.35 - 1.10 Materials systems for light sources Best developed system at present Most important systems in present
Epitaksja • Epitaksja z języka greckiego (epi + taxia = położony na) • Epitaksja to technika półprzewodnikowa wzrostu nowych warstw monokryształu na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. • Monokryształ – materiał będący w całości jednym kryształem (np. kryształ cukru, soli, półprzewodnika).
Epitaksja Epitaksja jest procesem tworzenia pojedynczych warstw monokryształu na monokrystalicznych podłożu. • Gdy warstwa epitaksjalna i podłoże stanowią dokładnie taki sam materiał to proces epitaksji nazywamy homoepitaksją. • Gdy warstwa epitaksjalna różni się od podłoża w jakikolwiek sposób to proces taki nazywamy heteroepitaksją.
Principle of MetalOxide Chemical Vapour Deposition M O C V D MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) MOVPE (Metalorganic Vapor Phase Epitaxy)
Podstawowe metody charakteryzacji heterostruktur • HRXRD • RBS/channeling • TEM
Basics of X-ray Characterization Incident X-ray beam conditioned in wavelength and divergence Dq Diffracted X-ray beam 2dsin = Dla półprzewodników takich jak (Si, Ge) stałą sieci jesteśmy w stanie wyznaczyć z dokładnością 10-7. Natomiast dla związków półprzewodnikowych takich jak (GaAs, InP) dokładność ta wynosi 10-5.
RBS – to skrót pochodzący od angielskiej nazwy metody Rutherford Backscattering Spectrometry (rozpraszanie jonów wstecz) Jest to metoda mikroanalizy jądrowej służąca do badania warstw powierzchniowych materiałów. Co to jest RBS?
x0 Podstawy Rutherford Backscattering Spectrometry Liczba cząstek rozproszonych x0 Energia Głębokość 4He+, 2 MeV Si SiO2 x0 - O - Si
InP substrate InxGa1-xAs1-yP1-y InP 10 x (Λ = 53 nm) Capping layer Superlattice 10xInP/In0.54Ga0.46As0.94P0.06
Random and aligned RBS/channeling spectra for Al0.4Ga0.6N/GaN structure with 500 nm thick SBL (only the potion of spectrum due to the scattering by Ga atoms is shown).
Depth distributions of displaced lattice atoms due to the dislocation formation in both epilayers deduced from spectra.
TRANSMISYJNY MIKROSKOP ELEKTRONOWY (TEM) działo elektronowe (wyrzutnia elektronów) kondensor –układ soczewek skupiających elektrony obiektyw –tworzy obraz rzeczywisty, odwrócony, powiększony komora preparatu soczewki pośrednie i projekcyjna –powiększają i rzutują obraz utworzony przez obiektyw ekran – materiał świecący w wyniku bombardowania elektronami np. siarczek cynku system rejestracji obrazu –klisza fotograficzna, kamera TV, matryca CCD
Depth distributions of displaced lattice atoms due to the dislocation formation in both epilayers deduced from spectra.
Podsumowanie Związki półprzewodnikowe grup III-V to materiały na bazie, których wytwarzane są współczesne urządzenia mikro- i optoelektroniczne. Należy jednak pamiętać, że nie tylko wytworzenie ale, także charakteryzacja takich materiałów daje dopiero pracujący przyrząd.