350 likes | 519 Views
Projekt nadfioletowego lasera na swobodnych elektronach POLFEL w Świerku. Przez stulecia fotony były najważniejszym narzędziem poznawania materii począwszy od światła słonecznego do lasera. Claudio Pellegrini i Joachim Stoehr. laser na swobodnych elektronach. lampa ksenonowa.
E N D
Projekt nadfioletowego lasera na swobodnych elektronach POLFEL w Świerku
Przez stulecia fotony były najważniejszym narzędziem poznawania materii począwszy od światła słonecznego do lasera. Claudio Pellegrini i Joachim Stoehr
laser na swobodnych elektronach lampa ksenonowa laser synchrotron Kraków Świerk
synchrotron źródło elektronów akcelerator undulator wiązka światła Laser na swobodnych elektronach Free Electron Laser (FEL)
Laser na swobodnych elektronach i laser na zwiazanych elektronach Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation Light Amplification by Synchronised Electron Retardation Elektrony w stanach związanych o dyskretnym widmie energii własnych Swobodne elektrony ciągłe widmo energii
Polfel Polfel długość fali 27 nm – 9 nm czas impulsu < 100 fs energia impulsu 200 μJ moc szczytowa 0,22 GW jasność 1030 fotonów/s·mrad2 ·0.1% BW
Czas S. K. Sundaram, E Mazur, Nature, Vol. 1, Dec 2002, p. 217
Obrazowanie na podstawie rozproszenia pojedynczych impulsów Na laserze Flash dokonano udanego doświadczenia z rozpraszaniem i rekonstrukcją rysunku o wymiarach nanometrowych. Obraz odtworzono za pomocą przygotowanych algorytmów wyłącznie na podstawie obrazów dyfrakcyjnych. Doświadczenie pokazało możliwość rejestracji i interpretacji obrazu dyfrakcyjnego pochodzącego od pojedynczego impulsu świetlnego emitowanego przez FEL. Znaczenie tego wyniku polega na tym, że stanowi on wzór do powtórzenia na planowanych rentgenowskich laserach na swobodnych elektronach, co umożliwi badanie molekuł przez zastosowanie krótszej fali.
30 fs pulse reflectivity at 32nm XUV pulse „p” or „s” polarisation 4 XUV detector 16% increasing fluence Low-fluence 3 Reflectance (%) 2 100% 1 Si/C ML 0 45 50 35 40 Angle of incidence (degrees) Testing the experiment setup: instruments and allignment Optical constans measurements for low light intensity
Polimers and organic crystals Photoeatchin efficiency for various wavelengths Manufactoring o fnanostructures Photo-induced modifications of the properties of surface Non-organic crystals Photo-induces nanocrystallites growth at short wavelengths Photoeatching of transparent materials A. Bartnik, et al. Detection of surface changes of materials caused by intense irradiation with laser-plasma EUV source utilizing scattered or luminescent radiation excited with the EUV pulses, Applied Physics B 91 (2008), 21-24 A. Bartnik, et al. Strong temperature effect on X-ray photo-etching of polytetrafluoroethylene using a 10 Hz laser-plasma radiation source based on a gas puff target, Applied Physics B 82 (2006), 529-532
TTF1 FEL modyfikacje powierzchni, AFM Au/Si(100)