1 / 12

Kémiai leválasztás gőzfázisból (CVD)

Kémiai leválasztás gőzfázisból (CVD). Mizsei János 2013. PVD és CVD. Physical Vapor Deposition : Vákuum gőzölés Katód porlasztás Chemical Vapor Deposition : Két féle gőz a szelet felületén lép reakcióba Vákuumtechnológia során a rendszer felnyitása nélküli rétegleválasztás.

clara
Download Presentation

Kémiai leválasztás gőzfázisból (CVD)

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Kémiai leválasztás gőzfázisból(CVD) Mizsei János 2013

  2. PVD és CVD • PhysicalVaporDeposition: • Vákuum gőzölés • Katód porlasztás • ChemicalVaporDeposition: • Két féle gőz a szelet felületén lép reakcióba • Vákuumtechnológia során a rendszer felnyitása nélküli rétegleválasztás

  3. EPI-CVD reaktorok

  4. EPI-CVD reaktorok

  5. Rétegleválasztás (CVD) V. ö.: oxidáció

  6. Rétegleválasztás (CVD) V. ö.: oxidáció

  7. Rétegleválasztás (CVD)

  8. Si epitaxia, kémiai reakciók • Szilános (SiH4) és tetrakloridos (SiCl4) rendszerek. • Si tetrakloridos: 800-1200 C° SiCl4+H2 -------------- SiCl2+HCl Gáztérben: Si felületén adszorbálódik a SiCl2 2 SiCl2Si+SiCl4 SiCl4deszorbálódik

  9. Si epitaxia, kémiai reakciók • A teljes reakció: SiCl4+H2  Si+4 HCl • A kémiai reakciók megfordíthatók  Si- tetraklorid koncentrációtól függően rétegnövekedés vagy marás is lehet.

  10. Si epitaxia, kémiai reakciók Rétegnövekedés sebessége SiCl4 epitaxiával.

  11. Si epitaxia, kémiai reakciók • Szilános rendszerek: 1000 C° SiH4 --------- Si+ 2H2 A rétegnövekedés sebességét a hidrogén deszorpciója határozza meg. A rétegnövekedés nem fordítható meg  marás nem történik.

  12. Rétegleválasztás (CVD) összefoglalás

More Related