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Radiografia digitale. Radiografia digitale. Sistema ideale: Acquisizione istantanea di una immagine in forma digitale con il minimo numero di raggi X. Computed Radiology (Storage Phosphorous Radiology). Computed Radiology (Storage Phosphorous Radiology). Radiografia analogica vs digitale.
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Radiografia digitale Sistema ideale: Acquisizione istantanea di una immagine in forma digitale con il minimo numero di raggi X
Radiografia digitale Specifiche
Necessità di larga area • Soluzioni • accoppiamento ottico “fosfori+lenti+Fotomoltiplicatore/CCD” • matrici attive in selenio/silicio amorfo
Necessità di larga area • Soluzioni • accoppiamento ottico “fosfori+lenti+Fotomoltiplicatore/CCD” • matrici attive in selenio/silicio amorfo Conversione diretta Conversione indiretta
Matrice di sensori attivi a conversione diretta Fotoconduttori
Requisiti per fotoconduttori Alto coefficiente di assorbimento: d<<L Alta sensibilità No ricombinazione No trappole: mtE>> L Bassa corrente dark: no iniezione dagli elettrodi, no generazione termica No degradazione Facilità di deposizione
Source Drain n a-Si:H i a-Si:H Gate insulator Gate Substrato Polarizzazione negativa
Matrici di sensori in a-Si:H: Scintillatori • Sono scintillatori inorganici: NaI, CsI, Bi4Ge3O12 (noto come BGO), PbWO4, BaF2... • Il meccanismo di scintillazione negli scintillatori inorganici è caratteristico della struttura a bande elettroniche che si trovano nei cristalli. • Spesso si hanno 2 costanti di tempo: • ricombinazione rapida dai centri di attivazione (ns-μs) • ricombinazione ritardata (trappole) (~100 ms)
Matrice di sensori in silicio amorfo Scintillatori • Segnale dipende da: • coefficiente di conversione • efficienza quantica • self-absorption X-ray Reflector S SCATTERING SELF ABSORPTION
Matrice di sensori in silicio amorfo CsI:Tl • Spessori 550µm • Buon assorbimento dei raggi X (65000 ph/MeV) • Struttura colonnare: guide d’onde • MTF=50% @ 1 lp/mm • Emissione luce nel verde
ITO/Metal n a-Si:H i a-Si:H p a-Si:H Metal/ITO Substrato Matrice di sensori in silicio amorfo
Row Driver Source Drain Switch n a-Si:H PD i a-Si:H Gate insulator Gate Substrato Vbias Matrice di sensori in silicio amorfo
Tecnologia planare • Limited Fill-factor limitato (<75%) TOP VIEW CROSS SECTION
Tecnologia Multi-livello • Fill-factor >90% TOP VIEW CROSS SECTION
Sistemi statici Large size (43cm x 43cm / 17" x 17") for high projection flexibility even with large patients Resolution up to 3.5 lp/mm, 143 μm pixel size
Sistemi dinamici • Amplificatore di brillanza • Pesante • Sensibile ai campi magnetici • Schermo curvo
Sistemi dinamici • Flat detector • Leggero • Assenza di distorsione • Miglior contrasto • Miglior uso della dose