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UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA DE LA FUERZA ARMADA

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA DE LA FUERZA ARMADA. UNIDAD I CARACTERÍSTICAS NO LINEALES DE LOS DISPOSITIVOS ACTIVOS. INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES ELECTRÓNICA DE LAS TELECOMUNICACIONES. ALUMNOS: WENDY GUÍA CI: V- 13749529 ALFREDO VELIZ CI: V- 14016501

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  1. UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA DE LA FUERZA ARMADA UNIDAD I CARACTERÍSTICAS NO LINEALES DE LOS DISPOSITIVOS ACTIVOS INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES ELECTRÓNICA DE LAS TELECOMUNICACIONES ALUMNOS: WENDY GUÍA CI: V- 13749529 ALFREDO VELIZ CI: V- 14016501 RINO MARTINEZ CI: V- 10077619 JESÚS RIOBUENO CI: V- 15082818

  2. TRANSISTORES El transistor es un dispositivo electrónico, semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavarropas automáticos, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

  3. TRANSISTORES BIPOLARES Pueden ser de dos tipos: NPN PNP

  4. Límites de operación del transistor En los amplificadores con transistores hay dos casos extremos, cuando el transistor esta en saturación ( IC = Max ) que significa que vce es prácticamente 0 Voltio y cuando el transistor esta en corte ( IC = 0 ) que significa que vce es prácticamente igual a Vcc.

  5. Límites de operación del transistor Estos forman parte de los límites de operación del transistor, que deben tenerse en cuenta en el diseño de cualquier circuito, he aquí un conjunto típico para el transistor de silicio 2N2222 • Voltaje colector – base VCB = 60 V • Voltaje colector – emisor VCE = 30 V • Voltaje base – emisor VBE = 5 V • Disipación de potencia IC VCE = 500m/W

  6. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FETTransistor Efecto de Campo (inglés; FieldEffect Transistor) Es una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. Entre los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET, MOSFET y MESFET.

  7. Características de transistores FET • Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entrada. Características generales: • Por el terminal de control no se absorbe corriente. • Una señal muy débil puede controlar el componente • La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico • Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación más frecuente la encontramos en los circuitos integrados.

  8. Según su construcción pueden ser de canal P o de canal N. Sus símbolos son los siguientes: Símbolo de un FET de canal N Símbolo de un FET de canal p

  9. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL

  10. FET • El FET es un dispositivo controlado por voltaje y no por corriente como lo es el transistor BJT. El control de esta corriente (IDS) se efectúa por medio de la aplicación de un voltaje de polarización inverso, aplicado entre la compuerta y el surtidor (VGS), formando un campo eléctrico el cual limita el paso de la corriente a través de Drenador y Source. Al aumentar el voltaje inverso, aplicado a la compuerta, aumenta el campo eléctrico, y la corriente de Source a Drenador disminuye.

  11. POLARIZACIÓN DEL FET POR EMPLAZAMIENTO DE PICO O FIJA

  12. TRIODO

  13. TETRODO A K válvula termoiónica Triodo VÁLVULA TERMOIÓNICA CONSTRUIDA POR CUATRO ELECTRODOS: CÁTODO,DOS REJILLAS Y ÁNODO 1 + - 3 2 4 Polarización del Tetrodo. Tetrodo

  14. AMPLIFICADOR LINEALES DE POTENCIA Amplificador lineal Heathkit para radio de comunicacion HF, el amplificador es para las bandas de 10, 15, 20, 40, y 80 metros. Amplificador lineal vhfrm vla-100

  15. EFECTO RESISTENCIA DEL EMISOR.

  16. USO Y APLICACIONES DE TETRODO Los tetrodos de alto voltaje del interruptor se utilizan para la conmutación de alto voltaje Amplificador de Alta Frecuencia. Multiplicador Modulador de Frecuencia.

  17. ALGUNOS TETRODO EXISTENTE EN EL MERCADO Amplificador casero Frecuencia de alimentación A.m. de radio de 30 MHz hasta 40 kW F.M. radio de 88 a 110 MHz hasta 40 kW VHF T.V. 48 a 125 MHz hasta 30 kW T.V. UHF 470 a 860 MHz hasta 10 kW Electro - harmonix 6973 tubo de vacío electrónico altavoz tetrodo tubo Tubo de radiodifusión Electrónicotube_powertube electronictubo 8f76r tetrodo 4cx1000a tetrodo tubo de alimentación de electrones del tubo

  18. FIN

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