270 likes | 470 Views
COLEGIUL TEHNIC INFOEL – BISTRIŢA. PROIECT INTERDISCIPLINAR ELECTRONICĂ ANALOGICĂ - TIC. STUDIUL TRANZISTOARELOR BIPOLARE. AUTORI PROIECT GRUPA CLASA a X a Lupaescu Daniel Blaga Ionuț-Emilian Costinea Darius Maxian Robert Albețăl Daniel Roman Raul. COORDONATORI PROIECT:
E N D
COLEGIUL TEHNIC INFOEL – BISTRIŢA PROIECT INTERDISCIPLINAR ELECTRONICĂ ANALOGICĂ - TIC STUDIUL TRANZISTOARELOR BIPOLARE
AUTORI PROIECT GRUPA CLASA a X a Lupaescu Daniel Blaga Ionuț-Emilian Costinea Darius Maxian Robert Albețăl Daniel Roman Raul COORDONATORI PROIECT: Prof. RUSU CONSTANTIN Prof. COSTINAŞI SIDOR
1. SCOPUL PROIECTULUI • Proiectul – este o metodă complementară de evaluare, cu caracter aplicativ, întocmit pe baza unei anumite teme. • Obiectivul principal al acestui proiect este familiarizarea elevilor cu modul de realizare a unui proiect tehnic şi obţinerea unui produs final prin îmbinarea cunoştinţelor tehnice de electronică şi TIC.
2. OBIECTIVE OPERAŢIONALE • Să câştige încrederea în sine în forţele proprii. • Să-şi asume rolurile care îi revin în echipă. • Să colaboreze cu membrii echipei pentru îndeplinirea sarcinilor. • Să utilizeze cunoştinţele teoretice de electronică pentru realizarea sarcinilor care-i revin în cadrul proiectului. • Să utilizeze abilităţile şi deprinderile practice dobândite pentru realizarea sarcinilor care-i revin în cadrul proiectului. • Să utilizeze cunoştinţele de TIC pentru realizarea şi prezentarea în format electronic şi online al proiectului. • Să-şi evalueze nivelul de pregătire teoretică precum şi deprinderile şi abilităţile practice în raport cu cerinţele proiectului.
3. STRUCTURA PROIECTULUI A. COMPONENTA TEORETICĂ A1. GENERALITĂŢI PRIVIND TRANZISTOARELE BIPOLARE • A1.1. STRUCTURA ŞI SIMBOLURILE TRANZISTOARELOR BIPOLARE • A1.2. FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR • A1.3. PARAMETRII ŞI CARACTERISTICILE ELECTRICE • A1.4 CARACTERISTICA DE IEŞIRE ŞI REGIMURILE DE FUNCŢIONARE A2. FUNCŢIILE ŞI CONEXIUNILE TRANZISTOARELOR BIPOLARE • A2.1 FUNCŢIILE TRANZISTORULUI BIPOLAR • A2.2 CONEXIUNEA EMITOR COMUN • A2.3 CONEXIUNEA BAZĂ COMUNĂ • A2.4 CONEXIUNEA COLECTOR COMUN A3. POLARIZAREA TRANZISTOARELOR BIPOLARE • A3.1 PUNCTUL STATIC DE FUNCŢIONARE. Caracteristici. Determinare. • A3.2 POLARIZAREA CU DIVIZOR REZISTIV • A3.3 POLARIZAREA CU DOUĂ SURSE DE TENSIUNE
B. COMPONENTA PRACTICĂ B1. IDENTIFICAREA TERMINALELOR TRANZISTOARELE BIPOLARE • B1.1. FAMILII DE TRANZISTOARE BIPOLARE ŞI ÎNCAPSULAREA • B1.2. IDENTIFICAREA TERMINALELOR CU MULTITESTERUL DIGITAL B2. DEPANAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE • B2.1. DEFECTE INTERNE ALE TRANZISTOARELOR BIPOLARE • B2.2. DEFECTE ALE CIRCUITELOR DE POLARIZARE SPECIFICE TRANZISTOARELOR BIPOLARE C. COMPONENTA TIC C1. PREZENTAREA PROIECTULUI ÎN FORMAT ELECTRONIC C1.1. EDITAREA PROIECTULUI ÎN WORD ŞI PRINTAREA ACESTUIA C1.2. PREZENTAREA PROIECTULUI ÎN POWER POINT C2. PREZENTAREA PROIECTULUI ONLINE Se publică proiectul pe platforma educaţională wikispaces la adresa: http://proiecte-electronica.wikispaces.com
6. CONŢINUTUL ŞTIINŢIFIC AL PROIECTULUI A1. GENERALITĂŢI PRIVIND TRANZISTOARELE BIPOLARE A1.1. STRUCTURA ŞI SIMBOLURILE TRANZISTOARELOR BIPOLARE • Tranzistorul bipolar – este un dispozitiv electronic realizat din material semiconductor, format din trei regiuni (EMITOR, BAZĂ, COLECTOR) separate prin două joncţiuni pn.În funcţie de tipul regiunilor, tranzistoarele bipolare se împart în două categorii:NPN şi PNP • Fiecare regiune are ataşată câte un terminal care se notează cu E(emitor) , B(bază),C(colector). a – tranzistor NPN b – tranzistor PNP • În structura tranzistorului bipolar, purtătorii de sarcină electrică sunt atât golurile cât şi electronii. Deoarece conducţia este realizată de două tipuri de purtători, tranzistorul se numeşte bipolar. Secțiunea de principiu printr-un tranzistor
A1.2. FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR • Un tranzistor bipolar funcţionează corect, dacă joncţiunea bază-emitor este polarizatădirect cu o tensiune mai mare decât tensiunea de prag, iar joncţiunea bază-colector este polarizată invers cu o tensiune mult mai mare decât tensiunea bază-emitor. • Funcționarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistoare purtători majoritari sunt electronii. • Regiunea de tip n a emitorului este puternic dopată cu electroni liberi. Regiunea de tip P a bazei este foarte subţire şi slab dopată cu goluri. Prin polarizarea directă a joncţiunii BE electronii din regiunea emitorului difuzează cu uşurinţă prin joncţiunea BE către regiunea bazei. • Funcționarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor putătorii majoritari sunt golurile. • Regiunea de tip p a emitorului este puternic dopată cu goluri. Regiunea de tip N a bazei este foarte subţire şi slab dopată cu electroni. Prin polarizarea directă a joncţiunii BE golurile din regiunea emitorului difuzează cu uşurinţă prin joncţiunea BE către regiunea bazei.
A1.3. PARAMETRII ŞI CARACTERISTICILE ELECTRICE • Parametrii tranzistorului bipolar a1. Factorul de amplificare al tranzistorului • Factorul de amplificare în curent din bază în colector (βcc) - reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin bază (IB) • β este o mărime statică de curent continuu, care indică de câte ori este mai mare curentul prin colectorul tranzistorului decât curentul prin baza tranzistorului. Acest parametru mai poartă denumirea de câştig în curent al tranzistorului. Valoarea acestui parametru este menţionat de către producător în foile de catalog, ca parametru echivalent hibrid hFE. • Factorul de amplificare în curent din emitor în colector (αcc) – reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin emitor (IE) • Acest parametru este întotdeauna subunitar deoarece curentul de colector (IC) este întotdeauna mai mic decât curentul de emitor (IE) . a2. Valorile maxime absolute Sunt valori care nu trebuie depăşite în timpul funcţionării tranzistorului, deoarece pot produce defectarea acestuia. De regulă în această grupă apar: • Tensiunile maxime între terminale: VCBO, VCEO, VEBO • Curentul maxim de colector şi de bază: ICM, IBM • Puterea maximă disipată: Ptot • Temperatura maximă a joncţiunii: TjM(este cuprinsă între 175°C şi 200°C)
b.Caracteristicile electrice ale tranzistorului bipolar Curenții și tensiunile tranzistorului
A1.4 CARACTERISTICA DE IEŞIRE ŞI REGIMURILE DE FUNCŢIONARE a.Caracteristica de ieșire • În cataloagele de tranzistoare sunt prezentate caracteristica de intrare şi caracteristica de ieşire, deoarece aceste caracteristici sunt mai importante. Pe caracteristica de ieşire se pot delimita regiunile de funcţionare a tranzistorului şi se poate trasa dreapta de sarcină. Caracteristica de ieșire a tranzistorului bipolar în conexiunea EC b.Regimurile de funcționare • În regiunea de blocare tranzistorul funcţionează în regim de blocare (tăiere) • În regiunea de saturaţie tranzistorul funcţionează în regim de saturaţie • În regiunea activă normală tranzistorul funcţionează în regim activ normal (RAN)
A2. FUNCŢIILE ŞI CONEXIUNILE TRANZISTOARELOR BIPOLARE A2.1 FUNCŢIILE TRANZISTORULUI BIPOLAR Tranzistorul bipolar are două funcții importante: • Funcţia de amplificare – când tranzistorul funcţionează în regim activ normal • Funcţia de comutare – când tranzistorul funcţionează în regim de blocare şi în regim de saturaţie. a. FUNCŢIA DE AMPLIFICARE Când tranzistorul este polarizat astfel încât să lucreze în regiunea activă, acesta poate amplifica atât un semnal de formă continuă cât şi un semnal de formă alternativă.În circuitul de curent continuu tranzistorul amplifică curentul din bază. b. FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar când lucrează în regim de comutaţie, trece alternativ din starea deblocare în starea de saturaţie.În starea de blocare, când joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct, tranzistorul se comportă ca un întrerupător deschis şi prin el nu circulă curent.
A2.2 CONEXIUNEA EMITOR COMUN • În această conexiune EMITORUL este comun intrării şi ieşirii circuitului. Conexiunea esteutilizată în circuitele de amplificare înensiune, curent şi putere. Este cea mai utilizatăconexiune, deoarece are cea mai eficientă combinaţie de amplificare întensiune şicurent.Amplificarea încurent (β-beta) este raportul dintre curentul de ieşire şi curentul de intrare.
A2.3 CONEXIUNEA BAZĂ COMUNĂ • În această conexiune BAZA este comună intrării şi ieşirii, semnalul de intrare este aplicat pe emitor iar semnalul de ieşire este cules de pe colector. Amplificarea în curent (α-alfa)este raportul dintre curentul de ieşire şi curentul de intrare. Se utilizează în etajele amplificatoare de RF din receptoarele UUS. • Avantaj - lucrează la frecvenţe foarte înalte. • Dezavantaj - rezistenţă de intrare mică.
A2.4 CONEXIUNEA COLECTOR COMUN • În această conexiune COLECTORUL este comun intrării şi ieşirii, semnalul de intrare esteaplicat pe bază iar semnalul de ieşire este cules de pe emitor.Conexiunea se mai numeşte şi repetor pe emitor, deoarece tensiunea de ieşire esteaproximativ egală cu tensiunea de intrare.Amplificarea în curent (γ - gama) este raportul dintre curentul de ieşire şi curentul de intrare. • Conexiunea colector comun se utilizează când se doreşte o rezistenţă de intrare foarte mare şi o rezistenţă de ieşire mică. • Conexiunea se utilizează în general ca adaptor de impedanţă între impedanţa de ieşire a unui amplificator şi o rezistenţă de sarcină de valoare mică.
A3. POLARIZAREA TRANZISTOARELOR BIPOLARE A3.1 PUNCTUL STATIC DE FUNCŢIONARE • În figura alaturată se observă că punctul static de funcţionare se află pe dreapta de sarcină,la intersecţia acesteia cu caracteristicastatică de ieşire a tranzistorului. • Pentru funcţionarea cât mai corectă a unui amplificator(semnalul de intraresă fie amplificat şi reprodus fidel la ieșire), punctul static de funcționare trebuiesă fie situat cam la jumatatea dreptei de sarcină. • Odată cu deplasarea PSF în regiunea de sarcină sau în regiunea de blocare, semnalul de ieșire este distorsionat. Caracteristica pentru determinarea PSF • Dacă PSF este situat în regiunea de saturație sunt distorsionate semialternanțe pozitive ale semnalului alternativ sinusoidal de intrare. (a) • Dacă PSF este situat în regiunea de blocare sunt distorsionate semialternanțele negative ale semnalului alternative sinusoidal de intrare.(b) a b
A3.2 POLARIZAREA CU DIVIZOR REZISTIV • Prin această metodă, tranzistorul se polarizează prin intermediul unui divizor de tensiune rezistiv de la o singură sursă de alimentare.Rezistențele divizorului de tensiune înlocuiesc o a doua sursă de alimentare necesară polarizarii celor două joncțiuni ale tranzistorului. Această metodă de polarizare se utilizează foarte des în practică deoarece asigură o stabilitate satisfăcătoare utilizând o singură sursă de tensiune. • Divizorul de tensiune este format din rezistențele Rb1 și Rb2 • Pentru modificarea tensiunii în baza trenzistorului se modifică valorile rezistențelor divizorului astfel: • VB creşte daca Rb2 creşte sau Rb1 scade. • VB scade daca Rb2 scade sau Rb1 creşte. • Un circuit de polarizare a tranzistorului trebuie sa fie astfel conceput încat să asigure independent PSF-ului de parametrul .Pentru a funcţiona tranzistorul trebuie indeplinite 2 conditii de bază: • 0,5< VCE<(VCC-1) • Rb2 sa fie mai mică de cel puţin 10 ori decât CC∙RE (Rb2 ∙R)E Polarizarea tranzistorului bipolar cu divizor rezistiv
A3.3 POLARIZAREA CU DOUĂ SURSE DE TENSIUNE • Schemele prezentate mai jos au fost realizate cu simulatorul Multisim. În fiecare schemă este un voltmetru care indică valoarea tensiunii colecto-emitor (Uce) ,un ampermetru care indică valoarea curentului din colector (Ic) şi un ampermetru care indică valoarea curentului din bază (Ib). Rezultate obţinute: Rezultate obţinute: IB = 192 μA ; IC = 50 mA ; UCE = 4,48 IB = 12 μA ; IC = 3,97 mA ; UCE = 13,59 V Coordonatele punctului static de funcţionare sunt Coordonatele punctului static de funcţionare sunt sunt P(4,4V ; 50mA) P(13,6V ; 3,9mA)
B1. IDENTIFICAREA TERMINALELOR TRANZISTOARELE BIPOLARE B1.1. FAMILII DE TRANZISTOARE BIPOLARE ŞI ÎNCAPSULAREA • Tranzistoarele se pot realiza intr-o gama largă de capsule. Ele pot avea capsule din metal sau material plastic in funcţie de destinatia lor. • Dupa destinaţia lor tranzistoarele se împart in trei mari categori: • Tranzistoare de semnal mic: sunt utilizate la frecvenţe joase (sub 100kHz) si curenţi mari. • Tranzistoare de putere: se utilizeză la curenti mari (peste 1A). • Tranzistoare de radio frecventa: se utilizează la frecvenţe foarte inalte.
B1.2. IDENTIFICAREA TERMINALELOR CU MULTITESTERUL DIGITAL Pentru identificarea terminalelor tranzistorului prin această metodă se parcurg 3 etape: • în prima etapă se identifică baza tranzistorului Se plasează o tastă a multitesterului pe unul din terminalele tranzistorului iarcu cealaltă tastă se măsoară rezistenţele electrice faţă de celelalte douăterminale. Dacă rezistenţele electrice sunt aproximativ egale (într-un sensrezistenţe mici iar în celălalt sens rezistenţe foarte mari) tasta multitesteruluieste plasată pe baza tranzistorului. • în a doua etapă se identifică tipul tranzistorului Se plasează o tastă a multitesterului pe bază şi cealaltă tastă pe unul din celelaltedouă terminale ale tranzistorului în sensul în care multitesterul indică rezistenţă mică.Dacă pe BAZĂ este tasta COM(MINUS) tranzistorul este de tip PNPDacă pe BAZĂ este tasta PLUS tranzistorul este de tip NPN • în a treia etapă se identifică Emitorul şi Colectorul Se plasează o tastă a multitesterului pe bază iar cu cealaltă tastă se măsoară şi senotează valoarea rezistenţelor faţă de celelalte două terminale. Terminalul faţă de care rezistenţa este mai mare va fi Emitorul tranzistorului iar celălalt Colectorul tranzistorului.
B2. DEPANAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE B2.1. DEFECTE INTERNEALE TRANZISTOARELOR BIPOLARE • Cea mai rapidă metodă de a afla dacă joncţiunile unui tranzistor sunt întrerupte sau străpunse este măsurarea rezistenţelor joncţiunilor cu un multitester digital. Pentru aceasta vom considera structura tranzistorului bipolar ca un ansamblu de două diode conectate ca în figura de mai jos. • O joncţiune (BE sau BC) este întreruptă dacă multitesterul în ambele sensuri de măsurare indică rezistenţă foarte mare (sau infinită). • O joncţiune (BE sau BC) este străpunsă dacă multitesterul în ambele sensuri de măsurare indică rezistenţă mică. • O joncţiune (BE sau BC) este scurtcircuitată dacă multitesterul în ambele sensuri de măsurare indică rezistenţă foarte mică.
B2.2. DEFECTE ALE CIRCUITELOR DE POLARIZARE SPECIFICE TRANZISTOARELOR BIPOLARE • Defect 1. Rezistorul Rb1 întrerupt Acest defect duce la dispariţia tensiunilor din baza şi emitorul tranzistorului, iar tranzistorul se BLOCHEAZĂ. • Defect 2. Rezistorul Rb2 întrerupt Acest defect duce la creşterea tensiunii şi curentului din bază, iar tranzistorul intră în SATURAŢIE. • Defect 3. Rezistorul RE întrerupt Acest defect duce la dispariţia curenţilor prin tranzistor, iar tranzistorul se BLOCHEAZĂ. • Defect 4. Rezistorul RC întrerupt Acest defect duce la dispariţia curentului prin colector. Valorile tensiunilor din colector şi emitor ne determină să presupunem că tranzistorul este saturat dar în realitate tranzistorul nu conduce. • Defect 5. Rezsitorul Rb1 scurtcircuitat Tensiunea bază-emitor este egală cu tensiunea de alimentare a tranzistorului fapt care determină deteriorarea acestei joncţiuni.Tranzistorul se BLOCHEAZĂ. • Defect 6. Rezsitorul Rb2 scurtcircuitat Acest defect duce la dispariţia curentului şi tensiunii în baza tranzistorului, iar tranzistorul se BLOCHEAZĂ. • Defect 7. Rezistorul RC scurtcircuitat Acest defect duce la creşterea tensiunii pe joncţiunea colector-emitor a tranzistorului. Funcţionarea tranzistorului nu este stabilă (FPS-ul se deplasează spre zona de blocare). • Defect 8. Rezistorul RE scurtcircuitat Aceste defect duce la funcţionarea tranzistorului în zona de SATURAŢIE.
7. BIBLIOGRAFIE • Electronică analogică – Vol. I Autor. Prof. RUSU CONSTANTIN • Site-ul http://eprofu.ro/electronica • Auxiliare şi materiale de învăţare de pe site-ul http://eprofu.ro/ct/index.html • Manual TIC clasa a X-a