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Einführung in die Funktionswerkstoffe Kapitel 5d: magnetische Speichermedien. Prof. Dr. F. Mücklich, Dipl.-Ing. K. Trinh. Lernziele Kapitel 5d: magnetische Speichermedien. Welche Arten magnetischer Speichermedien gibt es? Wie funktioniert ein Schreib-/Lesekopf? Was ist der GMR-Effekt?
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Einführung in die FunktionswerkstoffeKapitel 5d: magnetische Speichermedien Prof. Dr. F. Mücklich, Dipl.-Ing. K. Trinh
Lernziele Kapitel 5d: magnetische Speichermedien Welche Arten magnetischer Speichermedien gibt es? Wie funktioniert ein Schreib-/Lesekopf? Was ist der GMR-Effekt? Was ist die superparamagnetische Grenze? Wie lässt sich die magnetische Speicherdichte erhöhen?
Magnetische Schreibköpfe Quantisierte Magnetplatte Magnetische Speicherzellen (MRAMs)
Magnetische Datenspeicher Magnetoresistiver Kopf
Magnetische Datenspeicher REM-Aufnahme: nadelförmiges -Fe2O3 mit Vorzugsorientierung, eingebettet in Epoxidharz
Magnetische Datenspeicher HRTEM-Aufnahme eines Co-Cr-Pt- Dünnfilms für hochdichte Speichermedien Kornstruktur mit Textur/leichter Magnetisierungsrichtung
granulare, magnetische Schicht (z.B. CoPtCrB), 10-15 nm dick mittlere Korngröße etwa 10 nm viele Körner für ein Bit (50-100) in-plane Magnetisierung Festplatte Albrecht, Thiele, Moser: Terabit-Speicher – bald Realität oder nur Fiktion Paetzold: Thermische Stabilität und Modifizierung der magn. Austauschanisotropie in Schichtsystemen • GMR-Lesekopf • Spule zum Schreiben • Flughöhe: 15-20 nm Speicherdichte: 70 GBit/in235 nm x 270 nm - Struktur
Giant Magneto Resistance bzw. Riesenmagnetwiderstand 1988 von Peter Grünberg und Albert Fert entdeckt GMR-Effekt • in dünnen Filmen mit abwechselnd ferromagnetischen und nichtmagnetischen Schichten • starker Anstieg des elektrischen Widerstands, wenn die Magnetschichten entgegengesetzt polarisiert sind gegenüber paralleler Polarisation Film: GMR
Anforderungen Stabilität gegen äußere Felder Wiederbeschreibbarkeit geringe Zugriffszeiten Auslesegeschwindigkeit Daten auslesbar Signal zu Rausch-Verhältnis hohe Speicherdichte Koerzitivfeldstärke Korngröße
große Bitgröße kleiner Übergangsbereich kleine Körner konstante Korngröße Signal zu Rausch-Verhältnis B: Bitlänge W: Bitbreite a: Übergangsbereich D: Korndurchmesser s: Streuung der Korngröße Albrecht, Thiele, Moser: Terabit-Speicher – bald Realität oder nur Fiktion
Ziel: kleinere Körner thermische Stabilität ? thermische Aktivierung: (Stoner-Wohlfarth-Partikel) K: Anisotropiekonstante V: Größe des Nanopartikels Relaxationszeit: Zeit, die der Abbau der Remanenz durch thermische Fluktuationen in Anspruch nimmt Langzeitstabilität: Erhöhung der Anisotropie aber: höheres Schreibfeld notwendig: Superparamagnetische Grenze
Probleme: kleine Hitzequelle (opt. bei 50 nm) T nahe TC benötigt je größer K, desto größer auch TC Thermisch unterstütztes Schreiben • Idee: Erniedrigung des Schreibfeldes durch Erwärmung: • Curie-Weiss-Gesetz: • Abnahme von M • K ist aber ~ Ms(T)n, mit n >2 • K fällt stärker als M • Hw nimmt ab Albrecht, Thiele, Moser: Terabit-Speicher – bald Realität oder nur Fiktion
Probleme: kleine Hitzequelle (opt. bei 50 nm) T nahe TC benötigt je größer K, desto größer auch TC Thermisch unterstütztes Schreiben Curie-Weiss-Gesetz: Albrecht, Thiele, Moser: Terabit-Speicher – bald Realität oder nur Fiktion Albrecht, Thiele, Moser: Terabit-Speicher – bald Realität oder nur Fiktion
Antiferromagnetische Kopplung durch dünne Ru-Schicht Vorteile: kleineres HW wegen geringerer effektiver Schichtdicke höhere thermische Stabilität Reduktion der Streufelder Erhöhung der Speicherdichte um den Faktor 2 Antiferromagnetische Kopplung Quelle: Hitachi Albrecht, Thiele, Moser: Terabit-Speicher – bald Realität oder nur Fiktion
senkrechtes Schreiben Quelle: Hitachi Magnetische Momente stehen senkrecht zur Schichtebene höhere Speicherdichte möglich (Faktor 2-7)
Magnetische Materialien Quelle: Hitachi insbesondere Materialien mit L10-Phase und SE-Verbindungen bieten sich als Speichermaterialien an
Vorteile: hohe Speicherdichte höhere thermische Stabilität kein Rauschen kleinere Schreibfelder Patterned Magnetic Media - Quantum Disks Idee: 1 Nanostruktur entspricht 1 Bit • Anforderungen: • eindomäniger Zustand • exakt gleiche Nanostruktur • periodische Anordnung • uniaxiale Anisotropie • kleine Strukturgröße (1TBit/in2 entspricht 25nm x 25nm – Struktur) • keine Strukturfehler • komplexe Systemsteuer
selbstorganisierte Nanostrukturen bzw. Nanopartikel Ausblick FePtmonolayer, 130 nm * 130 nm; hexagonale Anordnung von monodispersen Eisenoxidpartikeln in Preteinhülle
Millipede I • Nutze Spitzen-Prinzip des AFM‘s • hohe Datendichte möglich • Parallelschaltung: Array aus Spitzen mit integrierter Schaltung thermo-mechanisches Schreiben in einen Polymerfilm Abbildungen: IBM