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Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale

Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale. Emettitore (GeP). Collettore (GeP). supporto in plexiglass. Base (GeN). Ie. Ic. 1948: nei Bell Labs Schockley, Brattain e Bardeen inventano il transistor. C. Ib. E. B. strato epitassiale N =. substrato N+.

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Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale

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Presentation Transcript

  1. Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale Emettitore (GeP) Collettore (GeP) supporto in plexiglass Base (GeN) Ie Ic 1948: nei Bell Labs Schockley, Brattain e Bardeen inventano il transistor C Ib E B

  2. strato epitassiale N = substrato N+ Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale 1 - substrato N+ 2 - crescita epitassiale N=

  3. strato epitassiale N = substrato N+ Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale 1 - substrato N+ 2 - crescita epitassiale N= 3 - ossidazione superficiale 4 - deposiz. Resist, mascheratura, esposiz. UV, sviluppo, attacco acido

  4. diffusione di Base P strato epitassiale N = substrato N+ Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale 1 - substrato N+ 2 - crescita epitassiale N= 3 - ossidazione superficiale 4 - deposiz. Resist, mascheratura, esposiz. UV, sviluppo, attacco acido 5 - diffusione P di Boro per la Base

  5. diffusione N+ di Em. strato epitassiale N = substrato N+ Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale 6 - ossidazione superficiale 7 - attacco acido selettivo 8 - diffusione N+ di Emettitore diffusione di Base P

  6. diffusione N+ di Em. strato epitassiale N = substrato N+ Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale 9 - ossidazione superficiale 10 - attacco acido selettivo diffusione di Base P

  7. diffusione N+ di Em. strato epitassiale N = substrato N+ Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale 9 - ossidazione superficiale 10 - attacco acido selettivo 11 - metallizzazione superficiale 12 - attacco acido selettivo diffusione di Base P

  8. diffusione N+ di Em. strato epitassiale N = substrato N+ E B Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale 9 - ossidazione superficiale 10 - attacco acido selettivo 11 - metallizzazione superficiale E B 12 - attacco acido selettivo diffusione di Base P COLLETTORE

  9. Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale 13 - separazione dei chip 14 - saldatura nel package 15 - saldatura dei contatti

  10. struttura interdigitata Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale

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