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Realizzazione di impedenze

Realizzazione di impedenze. Impedenze distribuite Impedenze concentrate. Impedenze distribuite. Parametri primari e secondari di una linea di trasmissione. Linea chiusa su carico. Se Z L = 0 Z(-l) = jZ 0 tan  l Se Z L =  Y(-l) = jY 0 tan  l Z(-l) = -jZ 0 cotan  l

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Realizzazione di impedenze

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Presentation Transcript

  1. Realizzazione di impedenze Impedenze distribuite Impedenze concentrate

  2. Impedenze distribuite

  3. Parametri primari e secondari di una linea di trasmissione

  4. Linea chiusa su carico Se ZL= 0 Z(-l) = jZ0tanl Se ZL= Y(-l) = jY0tanl Z(-l) = -jZ0cotanl Se ZL= Z0 Z(-l) = Z0

  5. Induttanza Se l << /10 il circuito è assimilabile ad un’induttanza Z(-l) = jZ0tanl  jZ0l = jZ0 ( / c) l = j  Leq Leq = Z0l /  = Z0l / c = L'l

  6. Capacità Se l << /10 il circuito è assimilabile ad una capacità Y(-l) = jY0tanl  jY0l = jY0 ( / c) l = j  Ceq Ceq = Y0l /  = Y0l / c = C'l

  7. Induttanza + carico Se l << /10 e Z0 >> mod( ZL) il circuito è assimilabile ad un’induttanza in serie al carico

  8. Induttanza + carico (segue) Se l << /10 e Z0 >> mod( ZL ) Z(-l) ZL + jZ0l = ZL + jZ0 ( / c) l = ZL + j  Leq Leq = Z0l / c = L'l

  9. Capacità + carico Se l << /10 e Z0 << mod( ZL) il circuito è assimilabile ad una capacità in parallelo al carico CEQ = Y0 l / c = C' l

  10. Realizzazione su microstriscia di impedenze distribuite Induttanza serie e parallelo Capacità parallelo e serie Circuito risonante serie Circuito risonante parallelo

  11. Induttanza serie e parallelo L < 2-3 nH Nei modelli trascuro i parassiti delle discontinuità

  12. Capacità parallelo e serie C < 0.2 pF Nei modelli trascuro i parassiti delle discontinuità

  13. Circuiti risonanti e antirisonanti in parallelo alla linea

  14. Impedenze concentrate

  15. Impedenze concentrate • Con questa dizione si intendono componenti le cui dimensioni sono piccole rispetto alle lunghezze d’onda in gioco. • Grazie all’uso di tecniche fotolitografiche è oggi possibile realizzare elementi concentrati a frequenze fino a 60 GHz • Vantaggi sono le ridotte dimensioni e un comportamento abbastanza costante su ampie bande • Svantaggi sono i Q più bassi rispetto a quelli ottenibili con elementi distribuiti

  16. Linea corta Per linee corte l < /10 ( =  l)

  17. Rete a pi-greco

  18. Analogia Affinché le due matrici si riferiscano allo stesso componente deve essere: operando su B operando su A

  19. Conclusioni Un tratto di linea breve può essere rappresentato tramite una rete a pi greco in cui L2 e C1 sono legati ai parametri primari del tratto di linea

  20. Induttanza a loop LTOT < 1 nH

  21. Induttanza a spirale Lunghezza totale < /20 LTOT < 20 nH Rispetto al caso precedente si evidenzia la non simmetria del circuito Cp1 Cp2 e la presenza di una capacità di shunt legata al ponte in aria.

  22. Capacità interdigitata C < 1 pF

  23. Capacità MIM C < 25 pF

  24. Circuito antirisonante e risonante

  25. Resistenza a film metallico Tipicamente si usano Nichel Cromo o Tantalio l t l R = l/S = l/lt =  / t non dipende dal lato del quadrato Si misura in ·

  26. Resistenza a film semiconduttore Si realizza una piazzola di semiconduttore su di un substrato semi-isolante

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